총 319개
-
교류및전자회로실험 실험5-1_다이오드 특성실험 결과보고서2025.01.201. 다이오드 특성 이번 실험에서는 다이오드의 전압-전류 특성을 실측을 통해 확인하였다. 다이오드가 정방향으로 연결되었을 때 일정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가 그 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가하는 것을 확인하였다. 역방향으로 연결되었을 때는 전류가 흐르지 않음을 확인하였다. LED의 경우에도 비슷한 특성을 보이지만, 전압-전류 특성 곡선에서 특정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가, 해당 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가함을 확인하였다. 2. 부하선 특성 실험을 통해 다이오드 회로에서 부하선을 얻는 방법을 확인하였...2025.01.20
-
[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
-
BJT IV 특성 실험 레포트2025.05.081. BJT(Bipolar Junction Transistor) BJT(Bipolar Junction Transistor)는 2개의 PN 접합 구조로 되어있으며, n-p-n형, 혹은 p-n-p형이 있다. 총 3개의 전극으로 이루어져 있으며, 각각 Emitter, Base, Collector이다. Emitter는 전류가 흐르게 하도록 전자를 주입하게 되고, Base는 전류의 흐름을 제어하며, Collector는 Transistor에서 증폭된 전류를 받게 된다. 2. BJT의 동작 모드 BJT는 Emitter-Base와 Base-Col...2025.05.08
-
Ex22.망로전류를 이용한 회로해석 결과 레포트2025.05.111. 선형회로의 특성 선형회로는 저항기 또는 다른 형태의 저항성 소자들로만 구성된 회로이다. 이 회로는 인과성, 불변성, 직선성이라는 특성을 가진다. 소자의 전압과 전류 특성이 옴의 법칙에 따르는 소자를 선형소자라고 한다. 즉, 소자에 걸리는 전압이 2배 증가되면 그 소자에 흐르는 전류도 2배가 되며, 전압이 1/3로 감소하면 전류도 1/3로 한다. 2. 망로전류 방정식 풀이 그림 22-6을 참조하여 망로 2의 전류 I2를 반 시계 방향으로 가정하여 3개의 망로전류 방정식을 세웠다. 이 방정식을 풀어서 R1, R2, R3, R4, ...2025.05.11
-
[기하광학 실험 A+] 태양전지 효율 및 회절실험2025.01.191. 태양전지 기초 이론 태양전지의 동작 원리를 이해하고 실리콘 태양전지에서 전류-전압 관계를 측정하여 태양전지의 효율을 도출한다. 태양전지는 기본적으로 넓은 면적의 다이오드이기 때문에 태양전지의 IV 곡선은 다이오드 IV 곡선의 변형이다. 2. 단락 전류 및 개방 전압 측정 일사량이 50 mW/cm2가 되도록 하고 개방전압을 측정한 후 단락전류를 측정한다. 3. Constant voltage 측정 전압을 0.01V씩 감소시켜가며 대응되는 전류값을 측정하여 전압-전류 곡선을 얻는다. 4. Constant current 측정 전압을 ...2025.01.19
-
MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
-
저항의 직렬회로 & 병렬회로 예비보고서2025.01.121. 직렬저항 회로 직렬저항 회로에서 전체저항의 크기를 측정하고, 각각의 저항에 걸리는 전압을 측정하여 저항과 전압의 관계를 살펴본다. 회로에 흐르는 전류와 각 저항에 걸리는 전압 및 소비되는 전력을 계산하고 측정한다. 2. 병렬저항 회로 병렬저항 회로에서 각 저항소자에 걸리는 전압을 측정하고, 합성저항의 크기와 전압-전류 관계를 살펴본다. 각 저항에 흐르는 전류와 전체 전류를 측정하고 계산한다. 1. 직렬저항 회로 직렬저항 회로는 전기 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로에서는 전류가 모든 저항을 통과하면서 동일한 값을 ...2025.01.12
-
전기회로설계실습 실습2 결과보고서2025.01.201. DC Power Supply 사용법 이 실험에서는 DC Power Supply에서 다이얼을 돌림으로써 모니터에 나타나는 CC와 CV를 통해 최대 전류와 최대 전압의 개념을 알 수 있었으며, 과전류가 흐를 때 어떤 일이 일어나는지 알게 되었다. 또한, DC Power Supply의 output 1, output 2 사이의 전압을 측정할 때는 (-) 단자끼리 측정해야 함을 알 수 있었다. 2. DMM 내부저항과 외부저항 관계 DMM은 내부저항보다 외부저항이 충분히 클 때 저항 측정이 정상적으로 가능함을 알 수 있었다. 따라서, 측...2025.01.20
-
microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
-
일반물리학 실험 2 - 옴의 법칙2025.01.271. 옴의 법칙 실험 결과를 통해 전류, 전압, 저항의 관계를 설명하였다. 전압이 감소함에 따라 전류도 감소하며, 전류에 저항값을 곱하면 전압값이 나온다. 전류-전압 그래프의 기울기는 저항값을 의미하며, 실험 결과와 디지털 멀티미터 측정값을 비교하여 디지털 멀티미터가 더 정확한 것으로 나타났다. 또한 옴의 법칙은 금속류 등 특정 물질에서만 성립하는 실험식이라는 점을 언급하였다. 2. 전기저항 도선 내부의 자유전자와 원자의 충돌로 인해 전기저항이 발생한다. 도선의 길이가 길수록, 단면적이 작을수록 전기저항이 증가한다. 실험 과정에서 ...2025.01.27
6 / 32
