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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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개방형 BIM기반 설계VE 활용방안 연구2025.05.131. 설계VE 개념 및 현황 설계VE는 건설 프로젝트에서 최소한의 비용으로 최대의 기능을 달성하기 위한 기법으로, 현재 건설업계에서 표준화되어 활용되고 있다. 그러나 기존의 VE는 최상의 성능 달성에 어려움이 있어 BIM 기술을 활용하여 이를 극복하고자 하는 연구가 필요한 상황이다. 2. 설계VE 프로세스 설계VE 프로세스는 크게 준비단계, 분석단계, 실행단계로 구성된다. 준비단계에서는 계획 수립 및 팀 구성, 기초자료 준비가 이루어지며, 분석단계에서는 기능 분석, 아이디어 창출 및 평가가 진행된다. 실행단계에서는 제안서 검토, 회...2025.05.13
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기하의 원리를 이용한 공학 ( 기하 세특)2025.01.201. 컴퓨터 그래픽스 및 3D 모델링 3D 모델링과 렌더링은 기하학적 개념에 기반합니다. 물체의 모양, 크기, 위치 등을 수학적으로 표현하는 데 기하학이 사용됩니다. 이는 영화, 게임, 가상 현실(VR), 증강 현실(AR), 건축 시각화 등에 응용됩니다. 기하학의 원리로는 메시(mesh) 생성, 변환 행렬, 광원 및 음영 처리 등이 있습니다. 2. 기계 설계 및 CAD (Computer-Aided Design) CAD 소프트웨어는 기하학적 도형을 사용하여 기계 부품, 제품, 건축 구조 등을 설계합니다. 기하학은 제품의 형태, 조립 ...2025.01.20
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몬테카를로 시뮬레이션으로 원의 면적 구하기 (파이썬코드예제 포함)2025.05.091. 몬테카를로 시뮬레이션 몬테카를로 추정(Monte Carlo estimation)은 통계학과 컴퓨터 과학 등 다양한 분야에서 널리 사용되는 추정 방법 중 하나입니다. 이 방법은 통계적인 시뮬레이션을 통해 확률적인 모델링을 수행하여 원하는 값을 추정하는 방식으로 작동합니다. 몬테카를로 추정은 랜덤 샘플링과 통계적 분석을 결합하여 정확한 결과를 얻기 어려운 문제를 해결하는 데 유용하게 사용됩니다. 2. 원의 면적 구하기 원의 면적을 구하기 위해서는 원 안에 몬테카를로 시뮬레이션으로 생성된 점들 중 원 안에 속하는 점들의 비율을 계산...2025.05.09
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.301. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호를 측정하고 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 설명하였습니다. 센서의 출력전압이 200mV이고 부하에 걸리는 전압이 100mV일 때, 센서의 Thevenin 등가회로를 구하였습니다. 또한 Function generator의 출력을 100mV로 설정하여 센서의 등가회로를 구현하는 방법을 제시하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결과를...2025.04.30
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위기 관리 대응 강화: 미래를 보호하기 위한 포괄적인 접근 방식2025.05.151. 위기 관리 대응 위기 관리 대응은 단순한 조직 기능에서 한 사회의 회복력과 적응력을 정의하는 척도로 전환되었다. 역사적으로 인류는 다양한 위기에 시험을 받아왔으며, 이를 통해 취약성을 노출시키고 위기 관리에 대한 귀중한 교훈을 얻었다. 새로운 시대의 문턱에 서 있는 현재, 다양한 규모의 위기에 대응하기 위한 전략을 재조정하는 것이 중요하다. 2. 조기 경보 시스템 조기 경보 시스템은 위기 관리에 있어 사전 예방적 조치의 중요성을 보여준다. 기상 예보, 질병 감시 네트워크, 위험 평가 프로토콜 등을 포함하는 조기 경보 시스템은 ...2025.05.15
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확률과 통계 - 뷔퐁의 바늘실험2025.01.161. 뷔퐁의 바늘 실험 프랑스의 수학자 뷔퐁 백작(Georges Louis Leclerc, Comte de Buffon)은 1733년 경에 원주율의 값을 계산하기 위하여 평행선이 그려져 있는 탁자에 바늘을 던지는 실험을 제시하였는데, 이 실험을 뷔퐁의 바늘이라고 합니다. 뷔퐁의 뜨개바늘 문제를 실험적으로 검사함으로써 확률의 개념을 이해하고 실험값을 처리하는 기본 기술을 익히고자 하였습니다. 2. 확률오차 확률오차는 측정값을 얻을때 추정되는 오차의 크기를 나타낸다. 어떤 측정값이 chi = bar { x } PLUSMINUS sigm...2025.01.16
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양자컴퓨터 PPT2025.01.161. 양자컴퓨터 등장배경 오늘날 트랜지스터 기술이 발달하면서 트랜지스터 크기가 점점 작아지고 있습니다. 하지만 트랜지스터가 원자 크기에 가까워지면 양자 터널 현상으로 인해 비트 역할을 하지 못하게 됩니다. 이에 따라 컴퓨터 성능을 높이기 위한 새로운 돌파구로 양자컴퓨터가 등장하게 되었습니다. 2. 양자컴퓨터 구조 양자컴퓨터는 기존 컴퓨터의 비트와 달리 큐비트라는 데이터 구조를 사용합니다. 큐비트는 0과 1의 중첩 상태를 가지며, 측정 시 확률적인 결과를 얻게 됩니다. 양자컴퓨터는 이러한 큐비트의 특성을 활용하여 병렬 처리를 수행할 ...2025.01.16
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