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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. RC 직렬 회로의 고주파 특성 RC 직렬 회로는 약 13 [MHz]부터 파형이 불안정해서 정확한 측정이 이루어지지 않았으므로 그 이상의 데이터는 무의미하다고 판단했다. 약 1 [MHz]까지는 이론값과 비슷한 전달함수의 특성을 보이는데, 그 이상의 고주파에서는 커패시터 소자 내의 인덕터 성분에 의해 전달함수의 특성이 달라지는 것을 그래프를 통해 확인할 수 있다. 약 10 [MHz]에서 전달함수의 크기가 가장 작아져서 이 부분이 커패시터가 확실히 인덕터처럼 행동하는 부분이라고 생각한다. 2. RL 직렬 회로의 고주파 특성 RL 직...2025.04.29
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Common Source Amplifier의 저주파 효과 분석2025.11.181. Common Source Amplifier 회로 Common Source Amplifier는 Coupling Capacitor C1과 By-pass Capacitor C3를 포함하는 회로이다. 이 커패시터들은 리액턴스 성분으로서 주파수에 따라 임피던스가 변하는 특성을 가진다. 저주파와 고주파에서 회로의 동작이 달라지며, 이로 인해 주파수에 따른 이득 특성이 변한다. AC 등가 회로에서 ro 값을 무시할 수 있으며, 전압 이득은 주파수에 따라 변화한다. 2. Bode Plot과 주파수 응답 Bode Plot은 주파수에 따른 이득...2025.11.18
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전자회로에서 수동소자의 개념과 기능, 용도2025.01.041. 저항 저항은 전기회로에서 전류의 흐름을 제한하거나 조절하는 역할을 합니다. 저항의 단위는 옴이며, 길이, 단면적, 재질 등에 따라 결정됩니다. 저항은 전류의 크기와 방향을 제어하는 데 사용되며, 전압 분배 회로나 주파수 응답 회로 등에서 활용됩니다. 2. 인덕터 인덕터는 전선을 여러 번 감아서 만든 소자로, 전류가 흐르면 자기장이 형성됩니다. 인덕터는 고주파 신호나 잡음을 걸러내는 필터 역할을 하며, 전류를 안정화시키는 데 사용됩니다. 또한 전기 에너지를 저장할 수 있어 회로에서 일시적인 전력 공급에 활용됩니다. 3. 커패시터...2025.01.04
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R, L, C 소자의 특성_예비레포트2024.12.311. 저항 회로 저항만을 가지는 이상적 저항기를 통하여 정현파 전류가 흐를 때 저항기 양단의 전압은 옴의 법칙으로부터 표현할 수 있다. 전압과 전류의 최댓값 사이의 관계는 V = IR이며, 실효값은 V = IR 또는 I = V/R로 표현할 수 있다. 저항만의 교류 회로에서 전압과 전류는 동일 주파수이며, 동상의 정현파이다. 2. 인덕터 회로 인덕터에 정현 전류가 흐를 때 전류의 방향으로 생기는 전압 강하는 V = -Ldi/dt로 나타낼 수 있다. 전압과 전류의 최댓값 사이의 관계는 V = IXL이며, 실효값은 V = IXL 또는 I...2024.12.31
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전기전자공학실험-클리퍼 & 클램퍼 회로2025.04.301. 클리퍼 회로 클리퍼 회로는 교류 신호의 한 부분을 잘라내고 남은 부분을 왜곡 없이 나타내기 위해 다이오드를 사용한 회로입니다. 직렬 클리퍼와 병렬 클리퍼가 있으며, 각각 (+)전압 또는 (-)전압만 출력하도록 구성할 수 있습니다. 클리퍼 회로는 과도한 전압으로부터 부하를 보호하기 위해 자주 사용됩니다. 2. 클램퍼 회로 클램퍼 회로는 교류 전압에 전압을 더하는 기능을 수행하기 위해 커패시터를 첨가한 다이오드 회로입니다. 커패시터가 충전되어 직류 전압원 역할을 하며, 입력 신호 파형을 일정 레벨로 고정시킬 수 있습니다. 양의 클...2025.04.30
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전기회로설계실습 결과보고서122025.05.151. RC 회로 RC 회로의 주파수 응답을 측정하고 이론값과 비교하였다. 6MHz 이상의 고주파 영역에서 커패시터가 인덕터처럼 동작하는 것을 확인하였다. 전달함수의 크기와 위상차 그래프에서 이론값과 실험값의 차이가 크게 나타났다. 2. RL 회로 RL 회로의 주파수 응답을 측정하고 이론값과 비교하였다. 140kHz 이상의 고주파 영역에서 인덕터가 커패시터처럼 동작하는 것을 확인하였다. 전달함수의 크기와 위상차 그래프에서 이론값과 실험값의 차이가 크게 나타났다. 3. 고주파 영역 수동소자 동작 고주파 영역에서 수동소자인 저항, 커패시...2025.05.15
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전기회로설계실습 결과보고서 - RC회로의 시정수 측정2025.05.151. DMM 내부 저항 측정 22M 저항과 DMM을 직렬로 연결하여 DMM에 걸리는 전압을 측정하고, 전압분배 법칙을 사용하여 DMM의 내부 저항을 약 10mohm으로 계산하였다. 높은 저항값을 사용할 때는 DMM의 내부 저항을 고려해야 한다는 것을 알 수 있었다. 2. RC 시정수 측정 2.2uF 커패시터와 DMM을 직렬로 연결하여 RC 시정수를 측정하였다. 이론적으로 예상한 값은 22.21초이지만, 실험 결과 평균 19.5초로 약 12%의 오차가 발생하였다. 오차의 원인은 커패시터의 완전한 방전 실패와 스탑워치 사용의 한계로 인...2025.05.15
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클램퍼 회로 실험 예비결과보고서2025.11.181. 클램퍼 회로(Clamped Circuit) 클램퍼 회로는 입력 파형을 DC 레벨로 고정시키는 회로입니다. 커패시터를 회로에 직렬로 연결하고 다이오드를 출력과 병렬로 연결하여 구성됩니다. 커패시터가 충전되면서 직류전원의 역할을 하여 전체 DC 전압이 더해져 회로 전체가 기존보다 높거나 낮은 전압에서 파형을 이루게 됩니다. 2. 커패시터의 충전과 시상수 커패시터는 클램퍼 회로의 중요한 요소입니다. 커패시터에 충전이 되면서 직류 전원과 같은 역할을 하게 되어 입력 신호 파형의 상승을 이끕니다. 이를 통해 회로의 DC 레벨 시프트가 ...2025.11.18
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RC회로의 시간 응답2025.04.271. RC 회로의 충전 특성 실험을 통해 RC 회로의 충전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 충전 시간이 길어지는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 시상수 τ = RC의 관계에 따른 것으로, 저항이 증가하면 시상수가 커져 충전 시간이 길어지게 된다. 또한 실험 결과와 이론값을 비교하여 약 ±10% 내의 오차를 확인하였다. 이러한 오차는 측정 시 시간 동기화의 어려움과 커패시터의 내부 저항(ESR) 등에 의한 것으로 추정된다. 2. RC 회로의 방전 특성 실험을 통해 RC 회로의 방전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 방전...2025.04.27
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MOSFET CS Amplifier 실험 보고서2025.11.181. MOSFET CS Amplifier 회로 MOSFET을 이용한 Common Source 증폭기는 Saturation mode에서 동작하며, 드레인 전류가 게이트 전압에 의해 제어된다. CS Amplifier의 AC 등가회로에서 출력 전압은 v_o = -g_m v_gs(r_o||R_D)로 표현되며, 전압이득은 A_V = -g_m(r_o||R_D)(R_i/(R_i+R_Si))이다. 주파수가 증가할수록 커패시터의 임피던스가 감소하여 전압이득이 이론값에 가까워진다. 2. MOSFET 바이어스 및 동작 원리 MOSFET은 드레인 전류가...2025.11.18
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