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커패시터의 충방전 실험 결과 보고서2025.05.141. 커패시터 충방전 회로 이 실험에서는 저항과 커패시터로 이루어진 회로에서 커패시터의 충전 및 방전 과정을 관찰하고, 회로의 시간 상수를 구하는 것이 목적입니다. 커패시터가 충전되는 동안 회로에 흐르는 전류는 키르히호프의 법칙을 적용하면 RC 회로의 미분방정식으로 표현할 수 있으며, 이 방정식의 해를 통해 커패시터의 전압 변화와 전류 변화를 구할 수 있습니다. 실험에서는 실제 측정값과 계산값을 비교하여 오차를 확인하고, 커패시터 값 변화에 따른 그래프 변화를 관찰하였습니다. 2. 실험 장치 및 방법 실험에 사용된 장치는 커패시터 ...2025.05.14
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RC, RL 미적분 회로 예비 보고서2024.12.311. 커패시터의 전류-전압 특성 커패시터는 두 도체판 사이에 유전체를 두어 전하를 축적할 수 있는 소자입니다. 커패시터에 전압이 가해지면 전하가 축적되어 지수 함수적으로 전압이 증가하며, 방전 시에는 지수 함수적으로 전압이 감소합니다. 커패시터의 전류는 전압의 미분값에 비례합니다. 2. 인덕터의 전류-전압 특성 인덕터는 철심에 절연된 도체를 나선형으로 감은 소자로, 전압과 전류의 관계가 커패시터와 반대입니다. 인덕터에 전압이 가해지면 전류가 지수 함수적으로 증가하며, 전압이 제거되면 전류가 지수 함수적으로 감소합니다. 인덕터의 전압...2024.12.31
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커패시터(Capacitor) 실험 결과보고서2025.11.161. 커패시터(Capacitor)의 정의 및 원리 커패시터는 두 개의 도체판 사이에 유전체를 삽입하여 전기에너지를 저장하는 소자입니다. 전하를 축적하고 방출하는 기능을 하며, 전기장을 이용하여 정전기 에너지를 저장합니다. 커패시턴스는 저장된 전하량과 전압의 비율로 정의되며, 단위는 패럿(F)입니다. 2. 커패시턴스(Capacitance) 측정 커패시턴스는 커패시터가 전하를 저장하는 능력을 나타내는 물리량입니다. 실험을 통해 다양한 조건에서 커패시턴스 값을 측정하고 계산합니다. 평행판 커패시터의 경우 판의 넓이, 판 사이의 거리, 유...2025.11.16
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인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response) 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RL 회로 10mH 인덕터와 1kΩ의 저항을 사용하여 RL회로를 구성하고 오실로스코프를 이용하여 RL time constant를 측정하였다. 입력전압은 FG를 사용하여 1V 사각파(high = 1V, low = 0V, duty cycle = 50%)로 인가하였다. 또한 인덕터가 충분한 자기에너지를 충전, 방전할 수 있도록 이 사각파의 주기를 10τ,즉,100μs로 설정하였다. 실험을 통한 시정수는 9.50μs였고 오차는 5%였다. 2. 입력전압 변화 입력전압을 ±0.5 V의 사각파(high = 0.5 V, low = - 0.5...2025.04.25
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[기초전자실험 with pspice] 13 커패시터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 커패시터 커패시터는 전하를 저장(충전)하는 기능을 가진 부품이다. 커패시터는 유전체를 가운데 두고 양쪽에 전극(도체판)이 놓여 있는 구조로 만들어져 있다. 커패시터에 전압이 인가되면 [+]와 [-]의 전하들이 유전체를 사이에 두고 전극에 대전되어 충전이 이루어진다. 커패시터의 충전 용량을 커패시턴스라고 하며, [F]을 단위로 사용한다. 커패시터에는 전해 커패시터, 세라믹 커패시터, 탄탈 커패시터, 마일러 커패시터 등 다양한 종류가 있다. 커패시터를 직렬 또는 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 변화하며, 커패시터에 교류전압을 인...2025.04.28
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.151. 저항의 고주파 특성 측정 저항은 기생(parasitic)소자 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있고, 특히 저항을 통과하여야 하는 전류가 고주파에선 parasitic 커패시터에 더 잘 흐르기 때문에 주파수를 올릴 때, 저항 값은 점차 줄어들 것으로 예상된다. 즉, 주파수가 높아질 수록 저항은 커패시터의 특성을 더 많이 나타낸다는 고주파 특성을 확인할 수 있을 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터는 기생 인덕터의 영향을 가지고 있어 고주파 영역에서는 임피던스가 증가한다. 따라서 저항 전압은 주파수 증가에 따라 전압이...2025.05.15
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 20 커패시터2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에는 전하(electric charge)가 모이게 된다. 이렇게 전하를 저장하는 능력이 커패시터의 기본 성질이다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 즉, 커패...2025.05.13
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커패시터 충방전 실험 보고서2024.12.311. 커패시터 충방전 실험 이 실험에서는 커패시터와 저항으로 이루어진 회로에서 커패시터의 충전 및 방전 과정을 관찰하고, 회로의 시간상수를 구하는 것이 목적입니다. 실험에서는 저항 값을 고정하고 커패시터 값을 변화시키면서 충전 및 방전 과정을 관찰하였습니다. 실험 결과, 커패시터 값이 클수록 실험값과 계산값의 오차가 작아지는 것을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 커패시터 값이 클수록 실험 결과가 더 정확해짐을 알 수 있었습니다. 1. 커패시터 충방전 실험 커패시터 충방전 실험은 전기 회로의 기본 원리를 이해하는 데 매우 중요한 실...2024.12.31
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서52025.01.201. 슈미트 회로의 특성 슈미트 트리거 (=5 V)의 문턱 전압을 2.5 V로 설계하는 방법을 설명합니다. 문턱 전압 계산 공식을 이용하여 저항비를 1:1로 조정하면 원하는 문턱 전압을 얻을 수 있습니다. 실제 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 통해 2.42 V 부근에서 문턱 전압이 나타나는 것을 확인할 수 있습니다. 2. 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 공식을 도출합니다. 실습 이론에 나오는 식(8-3)과 식(8-5)를 연립하여 주파수 공식 f=1/2πRC를 도출할 수 있습니다. 3. 전압제어 발진기...2025.01.20
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공통 이미터 증폭기 및 주파수 특성 실험 결과보고서2025.11.181. 공통 이미터 증폭기 (Common Emitter Amplifier) 공통 이미터 증폭기는 BJT 트랜지스터를 이용한 기본 증폭 회로로, 입력 신호는 베이스-에미터 접합으로 주입되고 출력은 콜렉터-에미터 접합에서 취합니다. 이 회로는 입력과 출력 신호 사이에 180도의 위상 차이를 가지며, 직류 바이어스 회로를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정합니다. 실험에서는 전압 분배 바이어스 방식을 사용하여 각 단자의 전압과 전류를 측정하고, 베타값과 임피던스를 계산하여 회로의 특성을 분석했습니다. 2. 전압이득 및 임피던스 특성 전압이득은...2025.11.18
