총 273개
-
중앙대학교 전자회로설계실습 피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.05.101. Series-Shunt 피드백 회로 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Series-Shunt 피드백 회로를 설계하였습니다. 전원 전압원을 12V로 고정하고 입력저항 및 부하저항을 1kΩ, 피드백 저항을 계산하여 설정하였습니다. 입력 전압을 0V에서 6V까지 변화시키며 출력 전압의 변화를 관찰하였고, 입력 저항과 부하 저항을 변경하여 추가 시뮬레이션을 진행하였습니다. 이를 통해 피드백 회로의 특성을 분석하였습니다. 2. Series-Shunt 피드백 회로 설계 (LED 구동) Series-Shunt 피드백 회로를 활용하...2025.05.10
-
MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서52025.01.111. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이 예비 보고서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 BJT를 이용한 LED 구동 회로 설계, MOSFET을 이용한 LED 구동 회로 설계, 그리고 구동 회로 측정 방법 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 BJT와 MOSFET의 스위칭 특성을 이해하고 실제 회로 설계에 적용하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 BJT...2025.01.11
-
일반물리실험2 5. 모터와 발전기 실험 결과리포트2025.01.111. 모터의 원리 모터는 전기 에너지를 역학적 에너지로 전환시키는 장치이다. 외부 자기장이 가해지는 상태에서 전류가 흐르고 코일 주변에 자기장이 유도된다. 유도 자기장과 외부자기장의 상호작용으로 힘이 발생하여 코일이 회전한다. 정류자는 코일에 흐르는 전류의 방향을 유지시켜주는 장치로, 직류 전동기에서 코일이 한 방향으로 계속 회전할 수 있도록 한다. 2. 발전기의 원리 발전기는 역학적 에너지를 전기 에너지로 바꾸는 장치이다. 외부 자기장이 가해지는 상태에서 힘에 의해 코일이 회전하면 회전하는 코일에 의해 자기장이 유도된다. 유도 자...2025.01.11
-
BJT의 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스 회로2025.01.121. BJT 바이어스 회로 이번 실험에서는 BJT의 고정 바이어스 회로와 전압 분배기 바이어스 회로를 구성하여 각 소자에 걸리는 전압을 측정하고 전류의 관계를 확인하였다. 고정 바이어스 회로에서는 트랜지스터를 바꾸어가며 측정했을 때 V_C와 I_C에 큰 차이가 발생했지만, 전압 분배기 바이어스 회로에서는 대부분의 값이 일정하게 유지되었다. 이를 통해 전압 분배기 바이어스 회로가 고정 바이어스 회로에 비해 더 안정적인 회로라는 것을 알 수 있었다. 2. 트랜지스터 특성 측정 실험에서는 트랜지스터의 β 값을 측정하고 이론값과 비교하였다...2025.01.12
-
A+ 광통신 - PIN 포토다이오드와 APD2025.01.081. PIN 포토다이오드 PIN 포토다이오드는 pn 접합에 진성 반도체 층(i 영역)을 삽입한 구조를 가지고 있습니다. i 영역은 저항성이 크고 불순물 농도가 낮아 역 전압이 주로 이 영역에 걸리게 됩니다. 이로 인해 공핍층이 넓어지고 전계가 강해져 고속 동작, 높은 양자효율, 낮은 암전류 등의 장점을 가지고 있습니다. 하지만 역 전압 증가에 따라 암전류와 잡음전류도 증가하는 단점이 있습니다. 2. 어밸런치 포토다이오드(APD) APD는 내부에 강한 전계가 형성된 p 영역이 있어, 이 영역에서 발생한 전자가 가속되어 새로운 전자-정...2025.01.08
-
A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.011. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...2025.05.01
-
부산대 기초전기전자실험 예비보고서 1주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. 직류 회로 전압 측정 전압분배 법칙에 따르면 V0=3000/(1000+3000)*5= 3.75V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.677V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 4k옴으로 바꾼 후, V0는 전압분배 법칙에 따르면 4V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.923V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 2. 교류 회로 전압 측정 이론 결과 주파수 1kHz, 진폭 5Vp-p, 오프셋 전압은 0V로 입력파형을 주었다. 실험 결과는 보고서에 자세히 기술되어 있다. 3. 직류 회로 전류 측정 옴의 법칙에 ...2025.05.16
-
전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 7장 연습문제 풀이2025.01.091. JFET 바이어스 JFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 차단 상태와 도통 상태가 결정됩니다. Vgs가 음의 값이면 JFET은 차단 상태가 되어 드레인 전류(Id)가 흐르지 않습니다. Vgs가 양의 값이면 JFET은 도통 상태가 되어 Id가 흐르게 됩니다. 따라서 JFET의 동작 상태는 Vgs에 의해 결정됩니다. 2. MOSFET 바이어스 MOSFET은 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 동작 상태가 결정됩니다. Vgs가 문턱 전압(Vth) 이상이면 MOSFET이 도통되어 드레인 전류(Id)가 흐르게 됩니다. Vgs가 Vt...2025.01.09
-
옴의 법칙 보고서2025.01.231. 옴의 법칙 이번 실험에서는 옴의 법칙을 실험적으로 확인하였다. 33Ω과 100Ω의 저항을 사용하여 전압과 전류를 측정하고, 옴의 법칙을 이용하여 저항값을 계산한 결과, 실제 저항값과 매우 근접한 값이 측정되었다. 이를 통해 저항이 전압에 관계없이 일정한 저항값을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 한편, 다이오드의 경우 전압-전류 특성이 옴의 법칙을 만족하지 않는 비선형 특성을 보였다. 다이오드에 음의 전압이 가해지면 전류가 흐르지 않는 정류 작용을 관찰할 수 있었다. 또한 발광 다이오드의 경우 문턱 전압 이상에서 전류가 흐르며 ...2025.01.23
5 / 28
