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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서7_RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계(보고서 1등)2025.05.101. RC회로의 시정수 측정 실습을 통해 RC회로의 시정수를 측정하는 방법을 알아보았다. DMM의 내부저항을 활용하여 RC회로를 구성하고, 10V 직류전압을 이용한 실험에서 이론적 계산 값과 실제 측정 값의 오차가 7.95%로 나타났다. 또한 Function Generator를 이용한 실습에서는 시정수가 9μs로 계산된 10μs와 10%의 오차를 보였다. 오차의 원인으로는 저항과 커패시터의 값 차이, 시계를 이용한 수동 측정의 한계 등이 지적되었다. 2. RC회로의 과도응답 특성 RC회로에 사각파를 인가했을 때의 전압 및 전류 파형...2025.05.10
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인하대 VLSI 설계 6주차 Flip-Flop2025.05.031. Latch Latch는 하나 이상의 비트들을 저장하기 위한 디지털 논리회로로, 데이터 입력 In, 클럭 입력 CLK, 출력 Q로 이루어진다. Latch의 종류에는 Negative Latch와 Positive Latch가 있으며, Negative Edge에서는 clk = 1일 때 Q가 기존의 값을 유지하고 clk = 0일 때 In의 값이 출력 Q로 나오며, Positive Edge에서는 clk = 1일 때 In의 값이 출력 Q로 나오고 clk = 0일 때 Q가 기존의 값을 유지한다. 2. Flip-Flop Flip-Flop은 2...2025.05.03
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중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.04.291. RC 회로 이번 실험에서는 저항과 커패시터로 구성된 RC 회로의 time constant를 측정하는 방법에 대해 알아보았으며, 오실로스코프에 나타나는 파형을 통해 커패시터와 time constant의 기능과 동작 원리, 의미 등을 확인할 수 있었다. DMM의 내부 저항과 커패시터를 활용하여 RC time constant를 측정하고, 이론값과 비교하여 오차율을 분석하였다. 또한 Function generator를 이용하여 RC 회로의 동작을 관찰하고, 사각파 입력 시 커패시터의 충전 및 방전 특성을 확인하였다. 2. DMM 내부...2025.04.29
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인하대 VLSI 설계 3주차 NAND,NOR,AND,OR2025.05.031. Rule of Conduction Complements(Dual) NAND gate 회로에서 PMOS는 병렬 연결되어 두 Input 중 하나라도 0일 경우 Y 노드가 VDD와 연결되어 1이 출력되는 Pull-up network를 구성하고, NMOS는 직렬 연결되어 두 Input 모두 1일 때만 Y 노드가 GND와 연결되어 0이 출력되는 Pull-down network를 구성한다. Complementary CMOS Logic gates는 PMOS Pull-up network와 NMOS Pull-down network로 구성되며,...2025.05.03
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회로이론및실험1 10장 커패시터 A+ 결과보고서2025.01.131. 커패시터의 특성 실험을 통해 커패시터가 직류 또는 교류 회로에서 전하를 저장하는 역할을 한다는 것을 알 수 있었다. 커패시턴스 또는 전압이 증가하면 커패시터를 이동하는 전하량도 증가한다는 것을 확인했다. 커패시터로 이동하는 전하의 양은 커패시터에 가해진 전압과 커패시턴스 값에 정비례한다. 2. 커패시터의 직렬 연결 커패시터를 직렬회로로 연결했을 때는 회로 내의 모든 소자에 같은 크기의 전류가 흐르므로 한 전압원에 연결한 세 개의 커패시터에 충전된 전하량은 서로 같다. 3. 커패시터의 병렬 연결 커패시터를 병렬회로로 연결했을 때...2025.01.13
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단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
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회로이론및실험1 10장 커패시터 A+ 예비보고서2025.01.131. 커패시터의 특성 실험을 통해 커패시터의 특성을 이해하였습니다. DC 전압 및 AC 전압 하에서 커패시터의 전압, 전류, 전력 등의 변화를 관찰하였습니다. 커패시터의 용량이 증가할수록 전압은 감소하고 전류는 증가하는 것을 확인하였습니다. 또한 주파수가 증가할수록 커패시터의 임피던스가 감소하여 전류가 증가하는 것을 관찰하였습니다. 2. 커패시터의 직렬 연결 실험을 통해 커패시터의 직렬 연결 특성을 이해하였습니다. 직렬로 연결된 커패시터들의 전압은 서로 다르게 나타났으며, 전체 커패시턴스는 감소하는 것을 확인하였습니다. 또한 직렬 ...2025.01.13
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_20 커패시터(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에 전하가 모이게 된다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 직렬 연결된 커패시터들은 서로 전하를 채워주는(충전) 전류가 같고, 전체 커패시턴스는 줄어든다. 병...2025.05.13
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전기회로설계실습 실습12 예비보고서2025.01.201. 저항의 고주파 특성 측정 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로를 이해하며 이들 소자들이 넓은 주파수영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해한다. 위 3개의 회로에 각각 사인파를 입력하고, 주파수를 증가시키며 저항의 값을 확인한다. 그러면 3개의 회로 모두 저항의 값이 감소하는 모습으로 돌아서는 지점이 있다. 커패시터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 인덕터와 같이 행동하며, 반대로 인덕터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 커패시터와 같이 행동한다. 이것이 고주파 특성...2025.01.20
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. 저항의 고주파 특성 측정 저항의 고주파 특성을 측정하기 위한 회로는 Digital MultiMeter를 저항의 양단에 연결하여 저항의 값을 측정하고, Function Generator에서 정현파를 입력한 후 주파수를 증가시키며 저항의 값의 변화를 측정한다. 주파수를 증가시키다 보면 저항의 값이 감소하는 주파수를 측정할 수 있다. 이는 실제 저항이 구조상 원치 않는 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있기 때문에 기생 커패시터에 흐르는 전류가 증가하여 저항의 값이 감소하는 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터의 고주파...2025.04.29
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