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교류및전자회로실험 실험10-1 트랜지스터 증폭회로1 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 증폭회로 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높인다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해하도록 한다. 2. 트랜지스터 바이어스 트랜지스터의 Q-point를 load line의 중앙에 위치시키기 위해 사용되는 bias는 여러 종류가 있으며, 가장 보편적인 방법은 voltage divider bias이다. 이를 통해 트랜지스터를...2025.01.17
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아주대학교 물리학실험2 A+ 20. 정류회로 예비 + 결과 보고서2025.04.261. 변압기의 특성 실험 1에서 변압기의 입력 및 출력 전압(피크 값, 진폭)을 측정하였다. 이를 통해 변압기의 2차코일 A1-A2와 1차코일의 권선비는 0.4917, 변압기의 2차코일 A3-A2와 1차코일의 권선비는 0.4977로 약 0.5 정도임을 확인할 수 있었다. 이는 패러데이의 법칙에 따라 1차코일의 전압과 2차코일의 전압이 각각의 코일의 감긴 횟수에 비례하게 되어 전압비와 권선비가 동일하다는 사실을 보여준다. 2. 반파 정류회로 실험 2에서 반파 정류회로를 구성하고 측정한 결과, 다이오드가 순방향일 때만 전류가 흐르고 역...2025.04.26
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열전달실험 예비보고서2025.05.141. 열전달 메커니즘 열전달 과정에는 전도, 대류, 복사 등 여러 가지 모드가 있다. 전도는 온도구배에 의해 열에너지가 이동하는 과정이며, 대류는 고체와 액체 사이의 온도 차이로 인해 열 에너지가 교환되는 과정이다. 복사는 절대온도 0K가 아닌 물질에 의해 방출되는 에너지이다. 2. 열저항 1D 열전달에서 열전도를 방해하는 열저항을 R로 정의할 수 있다. 직렬로 배열된 재료를 지나 열의 전달현상이 발생하면 열 저항이 증가하며, 각각의 열 저항을 더해 총괄 열저항을 구할 수 있다. 3. Fourier's law Fourier's la...2025.05.14
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실험 6 . 다이오드 리미터 회로와 클램퍼 회로의 특성 실험2025.05.111. 다이오드 리미터 회로 다이오드 리미터(limitter)는 다이오드 파형 정형회로로서 클리핑(clipping)회로 또는 슬라이서(slicer)라고 부른다. 입력 신호의 한부분이 잘려나간 것과 같은 출력을 가지게 된다. 클리핑회로는 적어도 다이오드 한 개와 저항 한 개로 구성되고 직류 전원장치가 필요하다. 이때 출력 파형은 직류전원의 크기를 변화시키거나 여러 가지 소자들을 위치를 변화시겼을 때 서로 다른 레벨로 클리핑 시길 수 있다. 따라서 클리핑회로는 직렬 클리핑회로와 병렬 클리핑회로 또 한 바이어스 된 클리핑회로로 구분 할 수...2025.05.11
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실험 07_이미터 팔로워 결과보고서2025.04.281. 이미터 팔로워 증폭기 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. BJT 증폭기 구조 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기를 [실험 06]에서 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중 이미터 팔로워에 대한 실험이다. 3. 이미터 팔로워 회로 분석 실험을 통해 이미터 팔로워 회로의 DC 조건, 입력-출력 전달 특성, ...2025.04.28
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인하대 VLSI 설계 4주차 XOR2025.05.031. XOR Gate XOR Gate는 두 입력 값이 서로 다른 경우 1을, 서로 같은 경우 0을 출력하는 gate로 배타적 논리합이라고도 한다. 이를 나타내는 진리표를 보면 입력 신호가 서로 같을 경우 0, 서로 다를 경우(배타적인 경우) 1이 출력됨을 알 수 있다. 이 진리표를 토대로 카르노맵을 그려서 입력식을 구하면 X = AB' + A'B가 나온다. 2. Transistor level layout transistor level layout을 그리는 과정을 살펴보면 NMOS network에 A와 B를 직렬 연결해 AB, A'과...2025.05.03
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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서강대학교 22년도 전자회로실험 4주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 다이오드 리미터 다이오드 리미터 회로를 설계하고 동작을 확인했습니다. 직렬 리미터와 병렬 리미터 회로를 구성하여 입력 신호에 따른 출력 파형을 관찰했습니다. 다이오드의 턴온 전압이 출력에 영향을 미치는 것을 확인했고, 이론값과 실험값의 오차는 5% 미만으로 나타났습니다. 2. 다이오드 클램퍼 다이오드 클램퍼 회로를 구성하여 DC 전압이 더해지는 동작을 확인했습니다. 저항값에 따라 클램핑 효과가 달라지는 것을 관찰했고, 이론값과 실험값의 오차는 5% 미만이었습니다. 3. 반파 정류기 반파 정류기 회로를 구성하여 다이오드의 정류 ...2025.01.12
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 13장 연습문제 풀이2025.01.021. 위상 선행-지연회로 위상 선행-지연회로에서 입력전압과 출력전압의 크기의 비는 공진주파수에서 1/√2가 된다. 따라서 출력전압의 실효치는 입력전압의 실효치의 1/√2배가 된다. 위상 선행-지연회로의 공진주파수 ω0는 다음과 같이 주어진다: ω0 ≅ 1/√(RC) 2. 빈브리지 발진기 빈브리지 발진기는 비반전 증폭기의 전압분배회로에 저항 R과 병렬로 연결된 2개의 제너다이오드 회로가 추가된 구조이다. 제너다이오드가 도통되면 폐루프 이득이 3이 되어 발진조건을 만족하게 된다. 빈브리지 발진기의 발진주파수는 다음과 같이 계산된다: ω...2025.01.02
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부산대 기초전기전자실험 예비보고서 1주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. 직류 회로 전압 측정 전압분배 법칙에 따르면 V0=3000/(1000+3000)*5= 3.75V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.677V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 4k옴으로 바꾼 후, V0는 전압분배 법칙에 따르면 4V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.923V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 2. 교류 회로 전압 측정 이론 결과 주파수 1kHz, 진폭 5Vp-p, 오프셋 전압은 0V로 입력파형을 주었다. 실험 결과는 보고서에 자세히 기술되어 있다. 3. 직류 회로 전류 측정 옴의 법칙에 ...2025.05.16
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