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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 21 차동 증폭기 심화 실험)2025.01.291. MOS 차동 쌍 회로 주어진 MOS 차동 쌍 회로는 정전류원을 기반으로 한 차동 증폭기로, 신호 증폭과 공통 모드 신호 제거를 위한 고급 회로 구조를 가지고 있다. 주요 동작 원리는 입력 트랜지스터, 전류 거울, 부하 트랜지스터 등으로 구성되어 있으며, 공통 모드 제거, 정전류 안정성 등의 특성을 가지고 있다. 이 회로는 고속 신호 처리, 연산 증폭기의 입력단, 데이터 변환기 등 다양한 아날로그 회로에서 사용된다. 2. 실험 절차 및 결과 실험 절차에는 증폭기 설계를 위한 동작점 결정, 입력-출력 공통 모드 전압 레벨 확인, ...2025.01.29
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[전자공학응용실험]7주차_5차실험_실험 15 다단 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 다단 증폭기 다단 증폭기의 개념과 등가회로를 설명하고, 다단 증폭기의 전압 이득 계산 방법을 제시하였습니다. 또한 작은 부하 저항을 구동하기 위한 2단 및 3단 증폭기 구성 방법을 설명하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 특성 공통 소스 증폭기, 소스 팔로워 증폭기, 공통 게이트 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 특성을 정리하였습니다. 이를 바탕으로 다단 증폭기 설계 시 고려해야 할 사항을 설명하였습니다. 3. 2단 증폭기 설계 공통 소스 증폭기와 소스 팔로워를 연결한 2단 증폭기 회로를 제시하고, 이 회로의...2025.01.29
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험1_결과보고서_RC직렬회로2025.05.101. RC 직렬회로의 위상 특성 측정 실험에서 측정한 저항과 커패시터 양단의 전압 값이 PSPICE로 측정한 값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했을 수 있으며, 함수 발생기와 오실로스코프 간 케이블 연결 문제 또는 실험 장치 주변의 노이즈로 인한 것으로 추정됨. 2. RC 직렬회로의 임피던스 측정 4선 저항 측정으로 얻은 저항값은 이론값과 유사했지만, 오실로스코프로 측정한 저항과 커패시터의 첨두치 값은 PSPICE 측정값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했...2025.05.10
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MOSFET 실험 2-Single Stage Amplifier 1_예비레포트2025.01.121. MOSFET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. MOSFET은 N형 반도체나 P형 반도체 재료의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 NMOSFET이나 PMOSFET, 두 가지를 모두 가진 소자를 CMOSFET(Complementary MOSFET)으로 분류합니다. MOSFET은 축전기에 의한 전하 농도의 변화에 기초를 두고 있으며, 두 개의 단자(소스와 드레인)는 각각 ...2025.01.12
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RLC 공진 회로_예비레포트2024.12.311. RLC 직렬 공진 회로 RLC로 구성된 회로에 교류 전압을 가할 때 전압과 전류가 동위상이 되는 경우를 공진(resonance)이라 하며, 이때의 주파수를 공진 주파수(resonance frequency)라 한다. 공진시 리액턴스 성분은 서로 상쇄되어 합성 임피던스 또는 합성 어드미턴스는 순저항 성분만 남게 된다. 따라서 역률(power factor)은 1이 된다. 직렬 공진 회로에서 Q는 유도성 리액턴스와 저항의 비가 되며, 전압 확대비(voltage get up ratio)를 나타낸다. 2. RLC 병렬 공진 회로 병렬 공...2024.12.31
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[A+] 건국대 전기전자기초실험1 6주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. 중첩의 원리 중첩의 원리는 여러 개의 독립 전원을 포함하고 있는 회로에서, 회로 내의 어떤 점에서의 전류 또는 전압은 각 독립 전원이 단독으로 있을 때의 성분의 대수적인 합과 같다는 것이다. 이때 해당 전원을 제외한 나머지 독립전원들은 전압원이면 단락회로, 전류원이면 개방회로 대체된다. 1개의 전원만 인가된 상태로 응답을 구하는 과정을 반복하면서 각 전원에 의한 방향을 고려하여 중첩함으로써 모든 전원에 의한 응답을 구한다. 2. 테브난 등가회로 테브난의 정리는 회로를 독립적인 전압원 하나와 저항 하나가 직렬로 연결된 등가회로로...2025.01.15
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 6. Common Emitter Amplifier 설계2025.04.291. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50 Ω, Rc = 5 kΩ, Vcc = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Ic가 kΩ단위이고 amplifier gain(Vout/Vin)이 –100 V/V인 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early effect 무시, 최대전력 전달을 위한 부하저항 결정, 증폭기 이득 계산, 바이어스 전압 및 저항 값 도출 등의 내용이 포함되어 있...2025.04.29
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서62025.01.111. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서는 50Ω, 5kΩ, 12V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 이 kΩ 단위이고 amplifier gain(Av)이 -100V/V인 증폭기를 설계, 구현, 측정, 평가하는 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 Early Effect를 무시하고 이론부의 Overall Voltage Gain 식을 사용하여 부하저항 RL에 최대전력이 전달되도록 하는 방법을 설명하고 있습니다. 또한 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 설계...2025.01.11
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소오스 팔로워 실험 결과 보고서2025.01.021. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전압 이득이 1에 가까운 버퍼 증폭기로 사용됩니다. 이는 입력 임피던스에 비해 매우 낮은 출력 임피던스를 가지고 있어, 신호 전달 시 손실이 거의 발생하지 않아 버퍼 이득이 크다는 장점이 있습니다. 또한 소자의 개수를 줄일 수 있어 비용 절감 효과도 있습니다. 이러한 장점들로 인해 소오스 팔로워가 전압 증폭기로 사용됩니다. 1. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워 증폭기는 전자 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하고 부하에 대한 영향을 최소화하여 출력 ...2025.01.02
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전기회로 설계 및 실습 결과보고서 - Thevenin 등가회로 설계2025.04.281. Thevenin 등가회로 설계 실험을 통해 Thevenin 등가회로를 설계, 제작, 측정하여 원본 회로 및 이론값과 비교하였다. 먼저 브리지회로를 구성하여 부하에 걸리는 전압과 전류를 측정하고 계산하였다. 그 다음으로 Thevenin 등가전압과 등가저항을 측정하였고, 이를 이용하여 부하에 걸리는 전압과 전류를 계산하였다. 실험 결과, 이론값과 비교하여 1% 미만의 오차가 발생하였으며, 이를 통해 Thevenin 등가회로의 정확성을 확인할 수 있었다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 전기 회로...2025.04.28
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