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MRI 설명 보고서/레포트2025.05.081. MRI (Magnetic Resonance Imaging) MRI는 강력한 외부자장을 갖는 마그넷내에 인체의 관심 영역에 고주파(RF) 에너지를 가하여 관심있는 신체 부위의 수소원자핵을 공명시켜 해당 조직으로부터 나오는 신호를 측정해 컴퓨터로 재구성하여 단면 및 3차원 영상화하는 진단 장치입니다. MRI의 기본 원리는 원자핵이 강한 자기장에 놓이면 세차운동이 일어나고, 이 세차운동의 속도는 자기장의 세기와 밀접한 관계가 있어 자기장이 셀수록 빨라집니다. 이렇게 자화되어 있는 원자핵에 고주파를 가하면 고에너지 상태가 되었다가, ...2025.05.08
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
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피드백 증폭기 설계 및 실습2025.11.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 입력이 전압이고 출력도 전압인 Shunt 구조의 피드백 증폭기 설계. PSpice를 이용하여 입력저항 1kΩ, 부하저항 1kΩ, 전원 12V 조건에서 입출력 transfer characteristic curve를 분석. 입력 전압의 2배가 출력전압으로 나오는 linear 특성을 확인. 입력저항과 부하저항 변경 시에도 동일한 특성 유지. 전원 전압이 충분하지 않을 때는 MOSFET의 특성으로 인해 출력이 전원 전압을 따라가는 현상 관찰. 2. Series-Series 피드백 증폭기 입력이 전...2025.11.12
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공통 에미터 트랜지스터 증폭기 실험2025.11.161. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 공통 에미터 증폭기는 베이스로 공급된 입력신호에 따라 베이스와 에미터 사이의 전류가 증가하고, 콜렉터와 에미터의 전압이 증가하면서 콜렉터 전류가 증가되어 전압이득이 발생한다. 실험에서 Av가 275배 증가하여 입력 신호와 출력 신호의 크기가 100배 이상 증폭되는 것을 확인했다. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기는 낮은 출력 임피던스를 가져 증폭된 출력 신호가 다른 회로로 전달될 때 손실이 적고 전력 손실이 적다는 장점이 있다. 2. 전압 분배기 바이어스 공통 에미터 회로의 직류값 측정에서 2N390...2025.11.16
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부산대 기초전기전자실험 4주차 결과보고서2025.11.131. 비평형 브릿지 회로 비평형 브릿지 회로에서 R5를 제거한 상태에서 V1과 V2 양단의 전압을 측정하여 Vt를 구하는 실험이다. 이론값으로 V1은 8V, V2는 4V이며, Vt는 4V로 계산된다. 실제 측정값은 V1 8.009V, V2 3.982V, Vt 4.027V로 이론값과 매우 유사한 결과를 보여준다. 이는 브릿지 회로의 기본 원리를 확인하는 실험이다. 2. 테브난 정리 테브난 정리는 부하를 제외한 전체 회로를 독립 전압원 하나와 저항 하나가 직렬로 연결된 등가회로로 대체할 수 있는 방법이다. 실험에서 구한 Vth, Rt,...2025.11.13
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ICP 레포트2025.05.101. 복사선의 파장과 강도 복사선의 파장은 원소의 종류에 따라 다르고, 복사선의 강도는 원소의 양에 따라 다르다. 2. 플라즈마 플라즈마는 다수의 하전 입자들이 서로 영향을 끼치면서 존재하는 하전 입자들의 집단이다. 3. 전리상태(이온화) 전리상태(이온화)는 제1상태(고체) → 제2상태(액체) → 제3상태(기체) → 제4상태(플라즈마, 원자가 고온에서 원자핵과 전자로 나누어지는 것)를 말한다. 4. ICP 원자 발광 분석법의 특징 ICP 원자 발광 분석법의 특징은 시료 중의 미량원소 분석에 가장 흔하게 사용되는 방법, 단시간 및 장...2025.05.10
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[고려대학교 전기회로] 15단원 정리본2025.05.031. Active Filter Active 필터는 증폭기를 사용하여 구현되는 필터입니다. 첫 번째 순서 회로에서 저역 통과 필터와 고역 통과 필터의 동작 원리와 특성을 설명합니다. 저역 통과 필터의 경우 저주파 신호는 통과시키고 고주파 신호는 차단하며, 고역 통과 필터의 경우 그 반대로 동작합니다. 이러한 필터의 차단 주파수와 통과대역 이득은 독립적으로 설정할 수 있습니다. 또한 필터의 특성을 보드 선도로 나타낼 수 있습니다. 2. First Order Circuits 첫 번째 순서 회로에서 저역 통과 필터와 고역 통과 필터의 전달...2025.05.03
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클리핑과 클램핑 회로 실험 예비레포트2025.11.161. 클리퍼(Clipper) 회로 클리퍼는 인가된 교류신호의 일부를 자르는 회로로, 저항과 다이오드 조합으로 구성된다. 제거하려는 교류신호의 직류값을 설정하기 위해 별도의 직류전원을 사용한다. 입력신호가 구형파인 경우 입력전압이 두 값만 가지므로 기본적인 순간값들과 직류전압과의 관계에 따라 출력을 결정한다. 직렬 클리퍼 회로는 구형파 입력에서 전지 역방향으로 동작하며 신호의 특정 부분을 제거한다. 2. 클램퍼(Clamper) 회로 클램퍼는 입력파형의 첨두값을 바꾸지 않고 정해진 직류전압만큼 이동시키는 회로다. 다이오드, 저항, 커패...2025.11.16
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Emitter Follower와 Class A Amplifier 실험 보고서2025.11.161. Emitter Follower (CC 증폭기) Emitter Follower는 CC 증폭기로 불리며 이득이 1에 가깝고 출력 저항이 매우 작은 회로다. 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 하여 부하에 충분한 전압을 전달할 수 있다. 실험에서 입력 임피던스는 매우 높지만 출력 임피던스는 27.78Ω으로 매우 작음을 확인했다. 2N3904 트랜지스터를 사용하여 DC 및 AC 특성을 측정하고 부하 저항 연결 시 출력 임피던스 변화를 관찰했다. 2. Class A Amplifier (공통 이미터 회로) Class A ...2025.11.16
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반도체 Dry Etching2025.01.191. Dry Etching Dry Etching은 고에너지 상태의 가스를 이용하여 반도체 회로의 패턴을 구현하는 건식식각 기술입니다. 이 기술은 이방성 및 등방성 식각을 동시에 가능하게 하여 고종횡비 회로 구현 및 미세한 패턴 조각에 필수적입니다. Dry Etching은 습식식각에 비해 고종횡비로 회로 패턴 구현이 가능하고 미세 패턴 조각에 유리하며 고밀도 3D 회로에 필수적인 이방성 식각을 구현할 수 있습니다. 2. Cryogenic Etch 극저온 Etching은 Passivation Gas 생성으로 인한 식각률 저하 문제와 D...2025.01.19
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