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전자회로실험 설계2 결과보고서2025.05.091. CMOS 특성 확인 실험 1에서는 NMOS 트랜지스터의 특성을 확인하였다. V_DS를 고정하고 V_GS에 따른 I_DS의 선형성을 살펴보았으며, 문턱 전압 V_TH를 측정하고 cut-off region, saturation region, triode region에서의 동작을 관찰하였다. 또한 실험 결과를 통해 μ_n C_ox W/L와 λ_n을 도출하였다. 2. NMOS 기반 증폭기 설계 실험 2에서는 NMOS 특성과 파라미터를 이용하여 전압 이득이 2 이상인 common source 증폭기 회로를 설계하였다. 입력 신호의 진폭...2025.05.09
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전기회로설계실습 결과보고서2025.11.131. 전기회로설계 전기회로설계는 전기 및 전자 시스템의 기본 구성 요소인 회로를 설계하는 과정입니다. 이는 저항, 커패시터, 인덕터 등의 소자를 이용하여 특정 기능을 수행하는 회로를 구성하고 분석하는 실무적 기술입니다. 회로설계 실습을 통해 이론적 지식을 실제 응용에 적용하는 능력을 배양합니다. 2. 회로해석 및 측정 회로해석은 설계된 회로의 동작 특성을 분석하고 예측하는 과정입니다. 전압, 전류, 임피던스 등의 전기적 특성을 계산하고 측정하여 회로의 성능을 평가합니다. 실습 결과보고서에서는 각 단계별 측정값과 이론값을 비교하여 회...2025.11.13
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.111. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 최대전력이 전달되도록 부하저항을 결정하고, 이를 바탕으로 필요한 저항 값들을 계산합니다. 또한 PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형을 분석하고 증폭기의 특성을 확인합니다. 2. ...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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BJT와 MOSFET을 사용한 LED 구동 스위치 회로 설계2025.11.121. BJT 스위치 회로 설계 2N3904 BJT를 사용하여 TTL 레벨(5V)의 구동신호로 LED를 제어하는 회로를 설계한다. BJT가 포화영역에서 동작하도록 VCE(sat)=0.2V, VBE(sat)=0.85V, βforced=10으로 설정하여 20mA의 LED 구동전류를 확보한다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter 출력에 연결된 경우 두 가지 구성을 비교 분석하며, 각 경우의 저항값 계산 및 소비전력을 측정한다. 2. MOSFET 스위치 회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 입력저항 100kΩ에서 ...2025.11.12
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아주대 전자회로실험 설계3 결과보고서2025.05.091. 최대 출력전압 및 주파수 측정 최대 출력전압(Vpp)은 43.014kHz에서 2.0884Vpp로 나타났습니다. 2. 3dB 감소 주파수 측정 최대 peak 값보다 3dB 감소(0.707) 하는 주파수는 40.918kHz와 45kHz로 측정되었습니다. 3. Center frequency 및 Center frequency gain 측정 Center frequency는 43.014kHz이며 gain은 1.044로 1에 가깝게 나왔습니다. 4. 3dB bandwidth 및 20dB bandwidth 측정 3dB bandwidth는 4...2025.05.09
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 9. LPF와 HPF 설계2025.05.151. RC 및 RL 필터 설계 RC 및 RL 필터를 설계하고 주파수응답과 전달함수의 크기를 측정하였다. 전자전기공학부에서 많이 쓰이는 회로이므로 중요하다. 2. LPF 설계 및 분석 RC 직렬 LPF를 구성하고 주파수가 10 ㎑이고 Vpp가 1 V인 사인파를 인가하여 입력 전압, R의 전압(출력)의 파형을 측정하였다. 이론값과 실험값의 오차율은 약 4% 이내였으나 위상은 9% 정도의 오차율을 보였다. 주파수 응답 분석 시 높은 주파수에서 출력 전압이 작아 큰 오차가 발생하였다. 3. HPF 설계 및 분석 RL 직렬 HPF를 구성하고...2025.05.15
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[전자공학응용실험] 능동부하가 있는 공통 소스증폭기-예비레포트2025.04.261. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 이 실험에서는 정전류원 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구할 수 있다. 3. 공통 소...2025.04.26
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. 저항의 고주파 특성 측정 저항의 고주파 특성을 측정하기 위한 회로는 Digital MultiMeter를 저항의 양단에 연결하여 저항의 값을 측정하고, Function Generator에서 정현파를 입력한 후 주파수를 증가시키며 저항의 값의 변화를 측정한다. 주파수를 증가시키다 보면 저항의 값이 감소하는 주파수를 측정할 수 있다. 이는 실제 저항이 구조상 원치 않는 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있기 때문에 기생 커패시터에 흐르는 전류가 증가하여 저항의 값이 감소하는 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터의 고주파...2025.04.29
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울산대학교 전기전자실험 12. RLC 회로의 주파수 응답 및 공진 회로2025.01.121. 직렬공진 실험 결과 및 계산 과정을 통해 직렬공진 회로의 특성을 확인하였다. 부품들의 측정값을 확인하고, 공진 주파수의 이론값과 측정값을 비교하였다. 공진 주파수에서 입력 전압과 측정된 저항의 전압이 다른 이유를 설명하였고, 공진 주파수의 이론값과 측정값의 차이가 발생하는 이유를 설명하였다. 또한 공진 회로가 유용한 경우에 대해 설명하였다. 2. 직렬공진 주파수 응답 0.0033μF와 0.01μF 커패시터를 사용하여 직렬공진 주파수 응답을 측정하고 분석하였다. 주파수 변화에 따른 전압과 위상차의 변화를 관찰하였고, 공진 주파수...2025.01.12
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