총 134개
-
2023-1 정보소자물리실험 레포트2025.05.111. 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 박막 트랜지스터는 박막 증착에 의해 만들어진 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. 박막 트랜지스터는 OLED나 LCD와 같은 디스플레이의 제작에 사용되고, 한 픽셀의 액정 배열 상태를 조절해 픽셀의 색을 결정하는 역할을 합니다. 박막 트랜지스터는 게이트, 소스, 드레인으로 구성되며, 게이트 전압에 의해 통제되는 전류 흐름을 이용하여 작동합니다. 2. IGZO IGZO는 Indium, Gallium, Zinc, Oxide의 준말입니다. 규소반도체 기반의 박막 트랜지...2025.05.11
-
금오공대 신소재 박막공학 기말고사 범위 정리2025.01.271. 진공 기초 및 진공 시스템 진공은 기체 분자의 밀도가 대기압보다 낮은 상태를 의미한다. 진공 펌프는 러핑 펌프와 고진공 펌프로 구분되며, 러핑 펌프는 건식 메커니컬 펌프와 송풍기/부스터 펌프로 나뉜다. 고진공 펌프에는 터보분자펌프와 크라이오펌프가 있다. 터보펌프는 기계적 압축 원리로 작동하며, 크라이오펌프는 고진공과 최고진공 범위에서 펌핑 작용을 할 수 있다. 2. 화학 기상 증착법(CVD) 화학 기상 증착법은 가스 혼합물의 화학적 반응을 통해 기판 위에 고체 박막을 증착하는 공정이다. 균질 반응과 비균질 반응으로 구분되며, ...2025.01.27
-
전자기파의 특성 실험 결과리포트2025.01.111. 전자기파의 투과 및 전파 특성 실험을 통해 전자기파의 투과 및 전파 특성을 이해하였습니다. 휴대폰에서 나오는 전자기파는 알루미늄 박막에 의해 차단되지만, 종이나 옷 등의 물질은 투과할 수 있습니다. 이는 전자기파의 파장 길이와 물질의 구조에 따라 달라지는데, 파장이 길수록 투과성이 좋아집니다. 또한 전자기파를 반사시켜 특정 방향으로 진행하도록 만드는 도파로 실험을 통해 전자기파의 응용 가능성을 확인하였습니다. 2. 블루투스 통신 거리 측정 두 스마트폰 간 블루투스 통신 가능 거리를 실험을 통해 측정하였습니다. 실험 결과 약 1...2025.01.11
-
유기소재실험2_고분자_박막_제조2025.05.141. 박막의 정의 일상생활에서 만나는 얇은 막 형태의 물체, 전자레인지에 쓰이는 랩이라든지 알루미늄 호일, 물 위의 기름 막 등은 넓은 의미로 박막이라고 한다. 좁은 의미의 박막은 두께가 약 1㎛ 이하의 인공적으로 만들어진 고체의 박막으로 한정한다. 1㎛이상의 막은 후막이라고 한다. 2. 박막 제조 방법 1) 진공증착법 : 진공 중에서 물질을 가열하여 증발시킴으로써 그 증기를 기판 위에 응축시켜서 박막을 제작하는 방법이다. 2) 스퍼터링(Sputtering)법 : 원자 또는 분자 레벨의 입자가 큰 에너지를 갖고 고체와 충돌할 때에 ...2025.05.14
-
반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
-
전도성 고분자 필름제조 및 특성분석2025.05.151. 저항과 전기 전도도의 관계 전류 I가 흐르고 있는 단면적 A, 길이 L인 도선에서 전기장은 전위가 낮아지는 방향으로 향하고 있으므로 점 a에서의 전위는 점 b에서의 전위보다 높다. 전류를 양전하의 흐름으로 생각할 경우 양전하는 전윅 krkath하는 방향으로 이동한다. 이 도선에서 전기장이 일정할 경우 두 점 a와 b사이의 전합강하는 V(전압)이다. 전류의 방향으로 생기는 전압강하의 전류에 대한 비를 도선의 저항이라 부른다. V=IR은 보통 Ohm's law라고 한다. 물질이나 용액이 전하를 운반할 수 있는 정도. 비저항의 역수...2025.05.15
-
숭실대 신소재공학실험1) 14주차 고분자 디바이스 예비보고서2025.01.141. 4-point probe 측정 원리 4-point probe 방법은 동일선상에 놓은 4개의 핀을 시료의 표면에 접촉시켜 저항을 측정하고, 기하학적 보정계수를 적용하여 면저항을 측정하는 방식이다. Single configuration의 측정 원리는 핀 A, D에 전류(I_{AD})를 흘리고 핀 B, C에서 전압(V_{BC})을 측정하여 저항 R_a = V_{BC}/I_{AD}를 구하고, 면저항(R_S = k_a * R_a)을 구하는 방법이다. 여기서 k_a는 핀 간격에 대한 시료 크기 보정 인자, 핀 간격에 대한 시료의 두께 보...2025.01.14
-
[기하광학 실험 A+] 박막 굴절률 측정 및 반사방지막 설계 실험2025.01.191. Fresnel 방정식 Fresnel 방정식은 물질의 굴절률이 빛의 반사율에 미치는 영향을 설명하는 수학적 모델입니다. 이 방정식은 편광 모드, 입사각, 물질의 굴절률 등을 고려하여 반사율과 투과율을 계산할 수 있습니다. 2. 반사방지막 설계 반사방지막은 물질의 굴절률 차이로 인한 반사를 최소화하기 위해 설계됩니다. 실험에서는 450nm, 550nm, 650nm의 세 가지 파장에 대해 반사방지막을 설계하고 Fresnel 방정식을 이용하여 반사율을 계산합니다. 3. 박막 굴절률 측정 실험에서는 spectrophotometer를 사...2025.01.19
-
반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
-
반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
3 / 14
