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[전자회로실험] 연산증폭기의 비이상적 특성 결과보고서2025.04.261. 옵셋 전압 실험 결과 입력 옵셋 전압이 매우 작기 때문에 출력 옵셋 전압에 1000을 나누는 식으로 입력 옵셋 전압을 구했다. 출력 옵셋 전압을 측정할 때도 값이 큰 폭으로 널뛰어서 측정에 많은 주의를 기울여야 했다. 직접 측정한 출력 옵셋 전압에 1000을 나눈 값은 각각 –1.867mV와 –1.787mV로, opamp 제작사에서 배포한 입력 오프셋 전압인 0~6mV 범위 안에 포함된다. 2. 입력 바이어스 및 옵셋 전류 입력 전류는 저항을 크게 설정해도 직접 측정하기 어려울 정도로 작아서, 출력 전압에 저항 값 200k Ω...2025.04.26
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2주차 16장 OrCAD 사용법 실험 예비 보고서2025.05.011. Op-amp 입력부 전류 Op-amp의 특성상 입력단자의 전압이 최대한 커야하고 이를 위해서는 입력 임피던스가 무한히 커야한다. 따라서 입력부에 들어가는 전류는 거의 유입되지 않는다. 2. Op-amp 입력부 전위차 Op-amp의 -단자에 입력을 가하여 증폭 작용을 하는 '반전 증폭 회로'에서, Op-amp의 단자 사이는 마치 단락된 것과 같은 상태로 작용하기 때문에 -단자의 전압(Vn)과 +단자의 전압(Vp)이 같아 전위차는 0이 된다. 3. Op-amp 전압이득 도출 Op-amp 회로에서 전압이득 Av = Vout/Vin은...2025.05.01
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[A+신소재공학과 실험]GTAW 용접 사전&결과보고서2025.05.061. GTAW 용접 GTAW 용접은 용접을 생성하기 위해 비소모성 텅스텐 전극을 사용하는 아크 용접 공정이다. 전극봉이 용융점이 매우 높은 텅스텐으로 되어 있어 아크만 발생시키고 그 아크에 Filler metal을 따로 공급하여 용접하는 방식이다. 용접 영역과 전극은 불활성 차폐 가스(아르곤 or 헬륨)에 의해 산화 또는 기타 대기 오염으로부터 보호된다. GTAW는 알루미늄, 마그네슘 및 구리 합금과 같은 비철금속 및 스테인리스 강의 얇은 부분을 용접하는데 가장 일반적으로 사용된다. 2. 알루미늄 용접 알루미늄은 부식성이 없고 가벼...2025.05.06
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실험 20_차동 증폭기 기초 실험 결과 보고서2025.04.281. 차동 증폭 회로 차동 증폭 회로(differential amplifier)는 출력이 단일한 단일 증폭 회로(single-ended amplifier)에 비하여 노이즈와 간섭에 의한 영향이 적고, 바이패스(bypass) 및 커플링(coupling) 커패시터를 사용하지 않고도 증폭 회로를 바이어싱하거나 다단 증폭기의 각 단을 용이하게 커플링할 수 있으므로, 집적회로의 제작 공정이 좀더 용이하여 널리 사용되고 있다. 2. MOSFET 차동 증폭 회로 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기...2025.04.28
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전기회로실험1_Diode의 전기적 특성 실험 결과레포트2025.01.281. Diode의 전기적 특성 실험 첫번째 실험은 작은 저항과 다이오드로 구성된 회로를 통해 다이오드의 전기적 특성을 이해하기 위한 실험이었다. 전압을 0V에서 0.1V씩 증가시켜 5V까지 인가하는 과정을 통해 다이오드에 흐르는 전류와 전압을 측정하고 표와 그래프를 작성해 다이오드의 동작을 알아보았다. 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교했을 때, 전류측정의 경우 0.2mA ~ 2mA 정도의 차이를 보였고, 전압의 경우 0.01V~0.1V 정도의 차이를 보였다. 현실에서는 그렇게 크지 않는 차이라고 생각할 수 있지만 다이오드의 입장에...2025.01.28
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중앙대학교 다이오드 결과 보고서2025.01.291. Si 다이오드 DC 특성 Si 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. 순방향 바이어스 시 전압-전류 특성으로 Vd가 0.6V까지는 출력전류가 인가전압의 변화에도 거의 변화가 없다. 그러나 0.6V부터는 미세한 변화가 생기기 시작하다가 0.6~0.7V를 넘어서면 전압의 변화에 전류는 비례적으로 증가한다. 반대로 역방향 전압을 점점 크게 하면 누설전류는 조금씩 증가하다가 어느 값에 가까우면 급격히 증가하기 시작한다. 2. Ge 다이오드 DC 특성 Ge 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. Ge 다이오드는 Si ...2025.01.29
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현대물리실험 메뉴얼2025.04.261. 관의 공명 실험 음파는 진동 방향과 이동 방향이 같은 방향인 종파이다. 또한 음파는 매질 속에서 밀함과 소함을 반복하면서 진행한다. 정상파는 관의 끝에서 반사되어 오는 음파와 원래의 음파가 간섭하여 만들어진다. 정상파는 배와 마디를 가지고 있다. 열린관에서의 끝 부분은 배가 되어야 하고, 막힌 관에서의 끝 부분은 마디가 되어야 한다. 관속에서 음파는 양쪽 끝을 오가며 반사를 여러 번 일으킨다. 이러한 여러 번의 반사되는 동안 서로 중첩되어 일반적으로는 작은 진폭을 보일 것이다. 하지만 모든 반사파가 같은 위상을 가지고 있을 때...2025.04.26
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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한양대 일반물리학실험1 <축전기의 축방전> A+레포트2025.04.301. 축전기의 충방전 이번 실험은 축전기 회로를 이용해 축전기의 충방전이 일어날 때, 전압과 전류를 측정하고 이론값과 비교하는 실험이었다. 공통된 결과는 충전 시에는 전압의 크기가 증가하고 전류의 크기가 감소한 것이고, 방전 시에는 전압의 크기가 감소하고 전류의 크기가 감소한 것이다. 충전 시 전류의 부호가 +로, 방전 시 -로 나타난 이유는 충전 시의 전류의 방향을 +로 설정했고 충전 시와 방전 시의 전류의 방향이 다르기 때문이다. 실험 결과 전압과 전류가 각각 이론식 V(t)=, I(t)=를 만족하는 것을 확인할 수 있었다. 2...2025.04.30
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
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