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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 21 차동 증폭기 심화 실험)2025.01.291. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하고자 한다. 주요 동작 원리는 입력 트랜지스터(M1, M2)가 차동 입력 신호를 증폭하고, 전류 거울(M3, M4)이 정전류원을 구성하며, 부하 트랜지스터(M5, M6)가 능동 부하로 작동하여 높은 출력 저항과 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 높은 선형성과 잡음 억제 특성으로 고성능 아날로그 설계에서 필수적인 역할을 한다. 2. 공통 모드 제거비(CMRR) 차동 증폭기의 공통 모드 제...2025.01.29
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기의 입력-출력에 원하는 DC 전압 및 전압 이득이 나오게 하기 위해 DC 전류와 전류를 결정하여 회로를 구성했습니다. 입력 신호의 주파수를 변화시키면서 전압 이득의 변화를 측정하여 보드 선도를 그렸고, 이를 통해 3dB 대역폭을 구했습니다. 또한 이득 대역폭 곱을 계산하고, 이를 증가시키기 위한 방안으로 회로를 closed loop로 만드는 것을 제안했습니다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가 모델 그림 [18-5]의 실험회로를 소신호 등가 모델을 사용하여 등가회로로 표...2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 20 차동 증폭기 기초 실험)2025.01.291. 정전류원 회로 정전류원 회로는 일정한 전류를 제공하는 회로로, 주로 전류 제어 및 안정적인 전류 공급이 요구되는 응용에서 사용된다. 이 회로는 MOSFET의 전류 제어 특성과 전류 거울 원리를 사용하여 기준 전류를 설정하고, 이를 기반으로 일정한 부하 전류를 제공한다. 2. 차동 증폭기 회로 차동 증폭기는 두 입력 신호의 차이를 증폭하는 회로로, 높은 입력 저항과 낮은 출력 저항을 가지며 잡음 제거와 신호 증폭에서 중요한 역할을 한다. 이 회로는 입력 신호의 차이를 증폭하고 공통 모드 신호를 억제하여 신호 품질을 향상시킨다. ...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 NMOS의 소신호 등가회로는...2025.01.29
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전자회로실험 A+ 13주차 결과보고서(MOSFET common source amplifier)2025.05.101. MOSFET 드레인 특성 실험(1)에서는 VDD와 VGG의 값을 변화시키면서 MOSFET의 드레인 전류 ID를 측정하였다. 실험 결과를 그래프로 나타내었더니 이론과 비슷한 형태의 그래프가 나타났다. MOSFET은 트라이오드 영역에서 VDS가 증가함에 따라 ID도 증가하지만, 포화 영역에서는 ID가 일정한 값을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. 실제 실험에서는 포화 영역에서도 ID가 조금씩 증가하는데, 이는 채널 길이 변조 현상 때문이다. 2. MOSFET 공통 소스 증폭기 실험(3)에서는 MOSFET 공통 소스 증폭기의 특성을...2025.05.10
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A+받은 에미터 공통 증폭기 전압이득 결과레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기 회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기 회로의 전압이득 특성을 확인하였습니다. PSPICE 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교하여 분석하였으며, 입력전압과 출력전압의 위상 차이, 전압이득 등을 확인하였습니다. 실험에 사용된 소자와 시뮬레이션에 사용된 소자의 특성 차이로 인해 약간의 오차가 있었지만, 에미터 공통 증폭기 회로의 기본적인 동작 원리를 이해할 수 있었습니다. 1. 에미터 공통 증폭기 회로 에미터 공통 증폭기 회로는 트랜지스터를 이용한 기본적인 증폭 회로 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하...2025.05.10
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디지털회로 실험 보고서 전체본2025.01.171. AND, OR, NOT 게이트 실험 01에서는 AND 게이트와 OR 게이트의 논리 동작을 실험하고, NOT 게이트의 논리 동작을 실험했습니다. AND 게이트는 모든 입력이 1일 때 출력이 1이 되고, OR 게이트는 어느 한 입력이 1이면 출력이 1이 됩니다. NOT 게이트는 입력과 반대의 논리 레벨을 출력합니다. 실험 결과를 통해 이러한 게이트의 논리 동작을 확인할 수 있었습니다. 2. NAND, NOR 게이트 실험 02에서는 NAND 게이트와 NOR 게이트의 논리 동작을 실험했습니다. NAND 게이트는 AND 논리의 부정이며...2025.01.17
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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MOSFET의 특성 실험2025.05.111. MOSFET의 동작 원리 MOSFET 소자는 게이트의 전압을 인가시켜 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하고, 그 채널을 통해 전류가 흐르게 하는 소자이다. 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. MOSFET의 드레인 특성곡선 실험 결과에 따르면 V_GS값이 3V까지는 I_D가 급격하게 증가하다가 4V 이후부터는 기울기가 감소하여 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이로 미루어 보아 핀치오프 전압은 약 4V라고 할 수 있고...2025.05.11
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아날로그 및 디지털회로 설계 실습 실습10_7-segment Decoder 회로 설계_결과보고서2025.01.211. 7-segment Decoder 7-segment Decoder는 4비트 BCD 입력을 받아 7-segment LED 디스플레이를 구동하는 회로입니다. 7-segment LED는 16개의 세그먼트로 구성되어 있으며, 이 중 4개의 세그먼트를 사용하여 0부터 9까지의 숫자를 표시할 수 있습니다. 7-segment Decoder 회로는 BCD 입력을 받아 이를 7-segment LED 구동 신호로 변환하는 역할을 합니다. 이를 통해 디지털 회로에서 숫자 표시가 가능해집니다. 2. 7-segment LED 유형 7-segment L...2025.01.21