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Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10
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RTO (축열연소산화설비) 개념2025.05.151. RTO (Regenerative Thermal Oxidizer) RTO(Regenerative Thermal Oxidizer)는 VOCs(휘발성유기화합물)를 고온상태에서 연소시켜 제거하는 장치입니다. Valve Rotary RTO는 Valve를 Rotary화한 VOCs처리 최고효율의 RTO System입니다. RTO 가동 중 발생하는 폐열은 산업체 생산공정의 열원으로 사용되며, 축열재를 활용한 열교환 회수법을 사용하므로 직접연소법 대비 효율성이 높습니다. 2. RTO 공정 흐름 축열연소산화설비(RTO)는 VOCs 물질이 포함된...2025.05.15
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Hydrogen peroxide assay2025.05.101. Hydrogen peroxide assay Hydrogen peroxide assay를 통해 세포 내 ROS의 양을 정량한다. DCF-DA는 세포 안으로 확산되어 esterase에 의해 비형광물질이 된 후 ROS와 반응하여 형광성을 띠는 DCF가 된다. 따라서 DCF 형광도가 높으면 세포 내 ROS 활성이 높음을 의미한다. PBS wash하는 이유는 세포 외 ROS와 반응을 배제하기 위함이다. 실험결과 형광도는 A>C>B 순서대로 크며 편차를 고려하여도 이 관계가 역전되지 않는다. 화합물이 항산화 효과가 있다면 형광도가 가장 ...2025.05.10
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인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석2025.01.091. MOS Capacitor 동작 원리 MOS Capacitor의 동작 원리를 이해하기 위해 Gate Material, Oxide Material, Semiconductor material 등에 대한 특성을 기술하였습니다. Gate Material로는 TiN을 선택하였고, Oxide Material로는 HfO2와 SiO2를 사용하였으며, Semiconductor material로는 p-type Si을 사용하였습니다. 각 material의 특성과 선택 이유를 자세히 설명하였습니다. 2. High-k 물질 도입에 대한 배경 Moore...2025.01.09
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면저항 결과 보고서2025.05.101. 면저항 면저항의 개념을 알고, 직접 면저항을 측정해 봄으로써 면저항을 측정하는 이유와 면저항을 줄일 수 있는 방법을 연구하였습니다. 면저항은 단위면적당 저항으로, 4-point probe 방법을 이용하여 측정할 수 있습니다. 비저항과 전기전도율 등 면저항과 관련된 개념들을 이해하고 실험을 통해 ITO, FTO, 실리콘 웨이퍼의 면저항 특성을 분석하였습니다. 2. ITO (Indium Tin Oxide) ITO는 산화인듐(In2O3)에 산화주석(SnO2)을 첨가하여 전기전도성을 높인 투명 전도막입니다. 고전도율이며 가시광선 영역...2025.05.10
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미생물 면역학 실험보고서2024.12.311. Active Transposition of Insertion Sequences in Prokaryotes: Insights from the Response of Deinococcus radiodurans R1 to Oxidative Stress 이 실험은 Deinococcus radiodurans R1 균주를 사용하여 산화 스트레스에 대한 반응을 연구하는 것입니다. D. radiodurans R1은 UV, 건조 등의 산화 스트레스에 대한 내성을 가지고 있습니다. 실험에서는 다양한 농도의 과산화수소를 처리하여 균주의 반응을 관찰...2024.12.31
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Sonogashira Cross-Coupling: Synthesis of 3-Methyl-1-phenyl-1-butyn-3-ol2025.01.211. Sonogashira Cross-Coupling Reaction Sonogashira cross-coupling 반응은 palladium 촉매를 이용하여 terminal alkyne과 aryl 또는 vinyl halide 사이에 새로운 C-C 결합을 형성하는 반응이다. 이 반응은 상온 또는 온화한 염기 조건에서 진행되며, Pd 촉매 사이클과 Cu 촉매 사이클이 연계되어 진행된다. 반응 메커니즘은 Pd에 의한 oxidative addition, transmetallation, reductive elimination 단계와 Cu에...2025.01.21
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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반도체공정 과제2025.05.101. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체 구조로 이루어져 있습니다. 평면(2D) 구조를 가지고 있습니다. FinFET(Fin Field Effect Transistor)은 트랜지스터 모양이 물고기 지느러미를 닮아 붙여진 이름입니다. MOSFET의 집적도를 높이기 위해 채널 길이를 줄...2025.05.10
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전자기적특성평가_면저항 결과보고서2025.01.081. 박막 박막은 반도체 제조 공정에서 중요한 재료 중 하나이며, 두께가 나노미터에서 마이크로미터 범위의 얇은 막을 의미한다. 박막의 특성을 확인할 때 면저항은 가장 적합한 특성평가 방법이다. 실험을 통해 박막의 종류와 전기전도율, 비저항, 면저항의 이론을 이해하고 면저항과 비저항의 차이를 알아볼 수 있다. 2. ITO ITO(Indium Tin Oxide)는 산화인듐과 산화주석의 혼합물로 구성된 투명하고 전도성 있는 박막이다. ITO는 우수한 전기 전도성과 투명성으로 인해 다양한 전자기기와 광전자 응용 분야에 널리 사용되지만, 인...2025.01.08
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