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물리학콜로퀴움 Spintronics 레포트2025.05.141. Spintronics 현재 사용되는 전자제품은 대부분 '전하'라는 전자의 기본 속성을 이용한 제품이다. 기존의 전하를 사용하는 방식 대신 전자의 또 다른 기본 속성인 '스핀'을 이용하는 방식이 연구 중이며 이러한 전자 이용 방식을 일컫는 용어가 spintronics이다. spintronics란 spin, transport, electronics의 합성어로 앞서 설명한 것처럼 전자의 스핀을 이용하는 방식이다. spintronics는 기존 방식에 비해 몇 가지 장점을 가지고 있다. 먼저 반도체를 알루미늄, 구리와 같은 소재로 대체...2025.05.14
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RFIC 설계및실험 중간2025.05.101. MMIC Device MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 장치에는 능동 소자 유형이 있습니다. 이에는 GaAs MESFET, GaAs HEMT, GaAs HBT, Si-BJT, SiGe HBT, Si-CMOS, InP HEMT, IMPATT, PIN 등이 포함됩니다. 이러한 능동 소자는 신호를 증폭하며 선형성 정도가 다양합니다. 재료 선택은 전자 drift, 속도, 이동도, 저항률 등에 따라 달라집니다. 1. MMIC Device MMIC (Monolithic Microwave I...2025.05.10
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Software Fundament - Computer Architecture2025.01.221. Computer Architecture Computer architecture is the organization of the components that make up a computer system and the meaning of the operations that guide its function. All computers, regardless of their size, are based on a set of rules that dictate how software and hardware work together to ...2025.01.22
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전자회로설계실습 11차 예비보고서2025.05.101. Push-Pull Amplifier Push-Pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해서 실험하였습니다. 회로 시뮬레이션을 통해 Dead zone이 발생하는 이유와 이로 인한 Crossover distortion 현상을 확인하였습니다. 또한 OP amp를 이용한 negative feedback 회로를 구성하여 Dead zone을 제거하고 Crossover distortion을 개선할 수 있음을 확인하였습니다. 마지막으로 Push-Pull...2025.05.10
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Oxidation (반도체)2025.05.081. SiO2 Layer SiO2 레이어는 다음과 같은 용도로 사용됩니다: (1) 도펀트 확산 및 이온 주입 동안 마스크로 사용, (2) 칩 상의 다른 장치 간 전기적 절연 제공, (3) 금속-산화물 반도체 장치에서 게이트 산화물 및 커패시터 유전체로 사용, (4) 실리콘 표면의 패시베이션 제공, (5) 다단계 금속화 구조에서 전기적 절연 제공. 2. SiO2 종류 SiO2에는 세 가지 종류가 있습니다: (1) 자연 산화막 - 실리콘이 공기 중에 노출되면 얇은 자연 산화막이 형성됨, (2) 열 산화막 - 고온에서 실리콘을 산화시켜 ...2025.05.08
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[실험설계] UV VIS 흡수도, 투과도, Haze 측정2025.01.241. Analysis of Eg, Transmittance and Haze for Carbazole and mCP by UV-Vis 이 프레젠테이션에서는 UV-VIS 흡수도, 투과도, Haze 측정을 통해 Carbazole과 mCP의 특성을 분석하였습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다. 1) Carbazole과 mCP의 흡수 스펙트럼을 측정하여 최대 흡수 파장 영역이 260nm~350nm 범위의 자외선 영역임을 확인하였습니다. 2) 시료 농도 증가에 따른 흡광도 증가를 관찰하였으며, mCP의 몰흡광계수가 Carbazole보다 더 큰...2025.01.24
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UV VIS를 이용한 박막 두께 분석2025.01.241. Analysis of Thickness of PEDOT:PSS and Transmittance for PEDOT:PSS by UV-Vis 이 실험은 glass 기판 위에 PEDOT:PSS를 spin coating하여 박막을 형성한 후 박막 두께와 투과도를 측정하였습니다. rpm에 따른 박막 두께와 투과도의 경향성을 파악하여 최적의 물성을 갖는 두께를 설계하였습니다. Surface profiler 측정 결과 rpm이 낮을수록 두께가 두꺼워지는 것을 확인하였고, UV-Vis 측정 결과 rpm이 빠를수록 투과도가 높은 것을 확인하였...2025.01.24
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Ion implantation (반도체)2025.05.081. Ion implantation Ion implantation은 반도체에 도펀트 이온을 고운동에너지로 주입하여 농도와 전도성 타입을 변화시키는 공정입니다. 이는 화학적 확산보다 우수하며, 표면 영역의 선택적 도핑이 가능합니다. 이온 주입 시 이온의 경로는 직선이 아니며, 핵과 전자와의 충돌로 인해 일정 거리 R에서 정지하게 됩니다. 이온의 투과 깊이는 RP로 표현되며, 통계적 변동은 △RP와 △R⊥로 나타납니다. 이온 주입으로 인한 격자 손상은 이온의 에너지, dose, 질량 등에 따라 달라지며, 열처리를 통해 결함을 제거하고 ...2025.05.08
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LED(PN Diode) 측정 및 분석 실습 Report2025.01.121. PN junction diode (LED) LED는 전자가 많아 음의 성격을 띤 n형 반도체와 전자의 반대 개념인 정공이 많아 양의 성격을 띤 p형 반도체의 이종접합 구조를 가진다. Forward bias를 가하면 전류가 흘러 발광을 하며, 에너지 준위차인 Band gap에 따라 빛의 색상이 정해진다. LED의 I-V 특성에서는 Forward bias 시 Threshold Voltage 이하에서 전류가 거의 흐르지 않다가 Vth 이상이 되면 전류가 급격히 증가하며, Reverse bias 시 Breakdown voltage까지...2025.01.12
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[실험설계] PL Spectrum을 이용한 PLQY 분석2025.01.241. Analysis of PLQY for mCP/Toluene by using PL Spectrum 이 실험의 목적은 PL Spectrum을 이용하여 mCP의 Quantum Yield를 확인하고 Stoke shift를 계산하여 발광효율을 구하는 것입니다. 실험에서는 mCP와 톨루엔을 사용하였고, Quartz plate 위에 용액을 dropping하여 PL Spectrum으로 측정하였습니다. 결과 분석에서는 흡수 및 발광 스펙트럼, Quantum Yield, Stokes shift 등을 확인하였습니다. 실험값과 문헌값의 차이가 있어...2025.01.24
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