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MOSFET Current Mirror 설계 및 실습2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 Reference 전류가 흐르는 단일 Current Mirror를 설계한다. 트랜지스터의 Transconductance Parameter를 Data sheet에서 구하고, Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 분석한다. 출력저항은 Channel Length Modulation 효과를 고려하여 계산하며, 10mA의 전류원 설계를 목표로 한다. OrCAD와 PSPICE를 이용한 시뮬레이션으로 설계값을 검증한다. 2. Cascode C...2025.11.13
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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전자회로 설계 및 실습 결과보고서: MOSFET Current Mirror 설계2025.05.141. Current Mirror Current Mirror는 트랜지스터를 전류원으로 이용하여 같은 크기의 전류를 계속해서 만들어내는 회로입니다. 이번 실험에서는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 그 특성을 확인하였습니다. 2. 단일 Current Mirror 첫 번째 실험에서는 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 결과 MOSFET을 이용해 회로를 설계하면 동일한 전류(Io)가 흐르는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 ΔVo ≡ Io·ΔRo...2025.05.14
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[전자공학실험2] 차동 증폭기2025.04.271. MOSFET을 이용한 차동증폭기 실험을 통해 MOSFET을 이용한 차동증폭기의 동작 원리와 회로 특성을 확인하였다. 차동증폭기의 입력 전압에 따른 출력 전압 특성, 저항 값 변화에 따른 differential gain, common mode gain, CMRR 등을 측정하여 분석하였다. 또한 current mirror를 사용한 경우와 저항을 사용한 경우의 차동증폭기 성능을 비교하였다. 실험 결과를 통해 차동증폭기의 특성과 설계 시 고려해야 할 사항들을 이해할 수 있었다. 1. MOSFET을 이용한 차동증폭기 MOSFET을 이용...2025.04.27
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MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 IREF = 10 mA인 단일 Current Mirror를 설계한다. M1, M2는 동일한 트랜지스터이며 Gate와 Source 단자를 공유한다. Data sheet에서 Vth = 2.1 V, VGS = 2.41 V를 구하고, R1 = 759Ω으로 계산된다. M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건은 VDS ≥ 0.31 V이며, RL의 최대값은 969Ω이다. PSPICE 시뮬레이션 결과 IREF = 10.09 mA, IO = 1...2025.11.13
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MOSFET Current Mirror 설계 및 시뮬레이션2025.11.181. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 10mA의 Reference 전류를 갖는 단일 Current Mirror를 설계한다. Data Sheet에서 VTH=2.1V, VDS=4.5V, ID=600mA를 이용하여 (1/2)kn'(W/L)=104.167[mA/V²]을 계산한다. Saturation 영역에서 동작하기 위해 VGS≥VTH 조건을 만족해야 하며, 출력저항은 RL 변화에 따른 ID 변화로 구한다. 2. Cascode Current Mirror 설계 단일 Current Mirr...2025.11.18
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서82025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 실습에서는 N-type MOSFET을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것이 목적입니다. 단일 current mirror 설계에서는 MOSFET의 특성을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하고, 이를 시뮬레이션으로 확인합니다. 또한 cascode current mirror 설계에서는 단일 current mirror...2025.01.11
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.011. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계에서는 그림 1의 Current Source 회로를 이용하여 IREF = 10 mA인 전류원을 설계하는 것이 목표입니다. 이를 위해 (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 활용하여 (1/2)kn'(W/L)을 구하고, (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 M2의 VGS와 R1 값을 계산합니다. (C) M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 구하고, (D) OrCAD로 IO = ...2025.05.01
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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전자회로 A+ 실습과제 한양대 에리카2025.01.221. RC Filters RC 필터 회로를 설계하고 주파수 특성을 분석하였습니다. Low-pass 필터와 High-pass 필터의 동작 원리를 이해하고, 수식을 통해 cut-off 주파수를 계산하였습니다. 또한 Bode plot을 그리고 AC 시뮬레이션을 수행하여 주파수 특성을 확인하였습니다. Transient 시뮬레이션을 통해 입력 신호에 따른 출력 파형을 분석하였습니다. 2. Common-source amplifier 1 Common-source 증폭기 회로를 설계하였습니다. 원하는 이득을 얻도록 트랜지스터 사이즈와 저항값을 결...2025.01.22
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