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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_20 커패시터(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에 전하가 모이게 된다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 직렬 연결된 커패시터들은 서로 전하를 채워주는(충전) 전류가 같고, 전체 커패시턴스는 줄어든다. 병...2025.05.13
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디지털집적회로 inverter 설계도 및 시뮬레이션 결과2025.04.281. CMOS 인버터 설계 CMOS 인버터는 다른 유형의 인버터에 비해 노이즈 마진이 넓고 전력 소비가 낮아 집적 회로 설계의 기반이 되고 있습니다. 이 프로젝트에서는 CMOS 인버터를 선택하여 설계하고 시뮬레이션을 수행했습니다. PMOS와 NMOS의 크기 비율을 변경하여 스위칭 임계 전압과 전파 지연 시간을 분석했습니다. 2. DC 분석 DC 분석에서는 스위칭 임계 전압(Vs)을 계산하고 PMOS/NMOS 크기 비율에 따른 변화를 확인했습니다. PMOS/NMOS 크기 비율이 1.4335일 때 Vs는 VDD/2보다 낮았고, 1일 때...2025.04.28
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_18 정현파 측정(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 정현파 생성 정현파는 스프링을 이용하거나 등속도 원운동을 이용하여 생성할 수 있다. 스프링에 추를 매달아 아래로 당겼다가 놓으면 추가 규칙적으로 위아래로 움직이며 정현파를 생성한다. 또한 물체가 일정한 속도로 원운동을 하면 그 물체의 높이 변화가 정현파 형태가 된다. 2. 정현파의 특징 정현파의 특징은 주파수가 다른 정현파를 더하면 새로운 모양의 파형을 만들 수 있다는 것이다. 오실로스코프로 정현파의 주기와 주파수를 측정할 수 있으며, 함수발생기로 정현파의 진폭, 주파수, 직류성분 등을 조정할 수 있다. 3. 오실로스코프 사용...2025.05.13
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경희대 전기전자회로 보고서 HW22025.05.051. DC 전압, 저항 회로 시뮬레이션 문제[1]에서는 DC 전압과 저항으로 구성된 간단한 회로를 시뮬레이션하고 전압, 전류, 소비전력을 계산하는 방법을 학습했습니다. Pspice를 처음 사용해보면서 회로 구성 및 기본적인 사용법을 익혔고, 복잡한 회로 해석에도 유용하게 사용될 수 있다는 것을 알게 되었습니다. 2. DC Sweep 분석 문제[2]에서는 전원 전압을 변수로 설정하여 DC Sweep 분석을 수행했습니다. 이를 통해 전압, 전류, 소비전력이 전원 전압 변화에 따라 어떻게 변화하는지 확인할 수 있었습니다. 또한 Point...2025.05.05
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 3. Voltage Regulator 설계2025.04.301. 전파정류회로 전파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가한다. 전파정류회로에서는 양의 주기와 음의 주기 모두에서 2개의 다이오드가 동작하여 전압 분배가 발생한다. 따라서 입력 전압에서 다이오드 2개의 전압만큼 빼준 값이 부하에 출력되는 전압이 된다. 2. 리플 전압 전파정류회로에서 발생하는 리플 전압은 입력 주파수와 평활 커패시터 값에 따라 결정된다. 설계에서는 리플 전압이 0.9V 이하가 되도록 커패시터 값을 10uF로 설계하였다....2025.04.30
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Voltage Regulator 설계 예비보고서2025.04.271. 직류전압공급기(DC Power Supply) 설계 이 보고서의 목적은 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압공급기(DC Power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것입니다. 이를 위해 정류회로와 필터 회로를 사용하여 직류 전압을 생성하고, 오프셋 전압과 슬루율 등의 특성을 분석합니다. 설계 과정에서 수식을 이용하여 부하 전압의 최대치와 리플 전압을 계산하고, PSPICE 시뮬레이션을 통해 결과를 검증합니다. 2. 정류 회로 설계 이 보고서에서는 1:1 변압기와 다이오드를 이용한 정류 회로를 설계합니다....2025.04.27
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인하대 VLSI 설계 2주차 inverter2025.05.031. Inverter 회로의 개념 Inverter 회로는 입력이 0일 때 출력으로 1이 출력되고 입력이 1이면 출력으로 0을 출력하는 회로를 말한다. CMOS Inverter 회로는 VDD에 PMOS, GROUND에 NMOS가 연결되어 있으며, 입력 신호가 1일 때 PMOS는 OFF, NMOS는 ON이 되어 출력 단자 Y가 VDD와 차단되고 GND와 연결되어 0의 값을 출력하며, 입력 신호가 0일 때 PMOS는 ON, NMOS는 OFF가 되어 출력 단자 Y가 VDD와 연결되고 GND와 차단되어 1의 값을 출력한다. 2. Invert...2025.05.03
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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 바이어스 회로 일반적으로 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 가장 기본적인 전압분배 바이어스 회로는 저항 RB1 또는 R...2025.01.13
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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7주차 예비 보고서 17장 회로 모의 실험2025.05.011. PSIM과 OrCAD PSpice의 특징 비교 PSIM과 OrCAD PSpice는 회로 시뮬레이션 도구로 각각의 장단점이 있다. PSIM은 전력전자 회로 검증에 적합하며 고조파 및 파형 정보를 제공하지만 제한된 라이브러리와 사용자 친화적 인터페이스가 부족하고 간략화된 소자 모델로 인한 데이터 부정확성이 문제점으로 지적된다. 반면 OrCAD PSpice는 실제 모델을 사용하여 정확성이 높지만 연산 시간이 오래 걸리고 수렴 문제가 발생할 수 있다. 이러한 차이점을 고려하여 시뮬레이션 도구를 선택해야 한다. 2. DC Sweep 해...2025.05.01
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