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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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무기화학실험 Preparation of-Dye-Sensitized Solar Cell 결과보고서2025.01.181. 태양전지 태양전지는 태양에너지를 직접 전기 에너지로 변화시키는 반도체 소자를 말한다. 태양전지는 광기전 효과를 이용하여 빛에너지가 전기에너지로 바뀌며, 유기 태양전지와 무기 태양전지로 구분된다. 유기 태양전지는 탄소 기반의 전도성 광 흡수 유기재료를 사용하고, 무기 태양전지는 실리콘 반도체 재료로 만들어진다. 2. 염료감응형 태양전지(DSSC) DSSC는 금속산화물인 TiO₂ 표면에 특수한 염료를 흡착시키고, 흡착된 특수 염료가 태양빛을 흡수해 광전기화학적 반응을 일으키는 전지이다. DSSC는 투명 전도성 기판, 작업전극, 염...2025.01.18
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만0세 1학기 (3월-8월) 평가제 영아 관찰일지 및 발달평가2025.01.171. 기본생활 OO는 오전 놀이를 하던 중 자리에 앉은 상태로 소변을 본 후 교사에게 '팬티에 쉬를 했어요?' 라고 이야기를 한다. 교사가 OO의 옷을 갈아 입혀 주며 '축축하겠네, 옷 갈아 입혀줄게요. 다음에는 쉬가 마려우면 변기에 앉아 볼까?'라고 말하자 OO가 '네.'라고 대답한다. 점심식사를 마친 후 교사가 OO에게 다가가 'OO야, 이제 쉬해야 할 시간인데 변기에 앉아볼까?'라고 말하자 OO가 '쉬~'라고 말하며 영아용 변기에 앉아서 소변을 본다. 아직 스스로 배변감을 인지하는것은 어려워하지만 교사가 변기에 앉아볼것을 권유...2025.01.17
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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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[A+] 다이오드1 보고서2025.05.151. 다이오드 이번 실험을 통해 다이오드는 5가 원소를 넣어 만든 N형 반도체와 3가 원소를 넣어 만든 P형 반도체를 붙여 한 쪽으로만 전기가 흐르게 하는 회로 소자라는 것을 알았습니다. 다이오드는 역방향일 때 전류가 흐르지 않고 순방향일 때 전류가 흐르지 않다가 전압이 한 지점을 넘어서면 전류가 흐르는 것을 알았으며 이것은 다이오드의 종류에 따라 문턱전압이 다르기 때문이라는 것도 알 수 있게 되었습니다. 2. 반도체의 전기적 특성 반도체는 절연체와 도체 사이 중간 정도의 전기저항을 갖습니다. 순수한 반도체의 전기전도도는 매우 낮지...2025.05.15
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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[서울대학교 일반화학실험I] 원소분석과 어는점 내림2025.05.111. 용액의 총괄성 용액의 총괄성이란, 용질의 양에만 의존하는 성질로서 증기압력 내림, 끓는점 오름, 어는점 내림, 삼투압 크게 네 가지가 존재한다. 각각의 식은 1. 증기압력 내림: 용질 ∙ 순수한 용매, 2. 어는점 내림: ∙ , 3. 끓는점 오름: ∙ , 4. 삼투압: 이다. 이 총괄성은 모두 용질이 존재함으로써 액체 용매의 화학 퍼텐셜이 낮아지기 때문에 나타난다. 2. 어는점 내림 어는점 내림은 용질의 양이 많아질수록 용액의 어는점이 하강하는 현상으로 이를 수식적으로 ∙ 로 나타낼 수 있다...2025.05.11
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기기분석 GC 레포트2025.05.101. GC 구성요소 GC는 기체공급장치, 시료주입부, 오븐과 컬럼, 검출기, 자료처리장치로 구성되어 있다. 기체공급장치는 운반기체를 공급하고, 시료주입부에서 시료가 주입되며, 오븐과 컬럼에서 시료가 분리되고, 검출기에서 분리된 성분이 검출되며, 자료처리장치에서 결과가 처리된다. 2. 분배와 분배계수 분배는 용매 추출을 통해 용해도 차이로 물질을 분리하는 것이다. 분배계수는 두 개의 서로 섞이지 않는 액체 A와 B에 어떤 물질이 일정한 온도와 압력에서 용해되어 평형에 도달했을 때, 각 용액 중의 농도 비 CA/CB를 의미한다. 3. ...2025.05.10
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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