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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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Oxidation (반도체)2025.05.081. SiO2 Layer SiO2 레이어는 다음과 같은 용도로 사용됩니다: (1) 도펀트 확산 및 이온 주입 동안 마스크로 사용, (2) 칩 상의 다른 장치 간 전기적 절연 제공, (3) 금속-산화물 반도체 장치에서 게이트 산화물 및 커패시터 유전체로 사용, (4) 실리콘 표면의 패시베이션 제공, (5) 다단계 금속화 구조에서 전기적 절연 제공. 2. SiO2 종류 SiO2에는 세 가지 종류가 있습니다: (1) 자연 산화막 - 실리콘이 공기 중에 노출되면 얇은 자연 산화막이 형성됨, (2) 열 산화막 - 고온에서 실리콘을 산화시켜 ...2025.05.08
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Photolithography 결과보고서2025.05.051. Photolithography 이번 실험은 Photolithography을 통해 baking, Alignment, Exposure와 같은 개념을 알아보고 반도체 8대 공정을 이해하는 실험이었습니다. 실험을 하는 과정에서 기판을 세척하여 이물질을 제거해주는 것이 실험 결과에 지대한 영향을 미친다는 것을 확인할 수 있었으며, 스핀코터의 Rpm조건에 따라 기판에 새겨지는 마크의 차이점을 이해할 수 있었습니다. 이번 실험을 통해 PR에 빛을 비추어 패턴을 형성하는 과정인 Exposure(노광)에도 여러 가지 종류가 있다는 것을 학습할...2025.05.05
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반도체 부품 장비 융합 개론 - 노트정리 & 기출문제 포함2025.01.181. 반도체 기본 특성 반도체의 기본적인 특성에 대해 설명하고 있습니다. 마이크로 패브리케이션 공정을 활용한 집적회로, MEMS 센서, 태양광 패널 등의 예시를 제시하고 있습니다. in-plane과 out-of-plane의 차이, 트랜지스터의 발전, 무어의 법칙, 반도체 8대 공정 등을 다루고 있습니다. 또한 클린룸 시설의 중요성과 기준, 실리콘 웨이퍼 직경 증가 추세와 그에 따른 이슈 등을 설명하고 있습니다. 2. 3D 반도체 트렌드 집적도를 높이기 위해 웨이퍼 표면에 수직방향으로 소재를 쌓아올리는 3D 반도체 기술에 대해 설명하...2025.01.18
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단국대 고분자공학 실험 및 설계1 ps-p2vp Orientation 및 Reconstruction & etching 레포트 [A+]2025.01.231. BCP Phase diagram BCP는 화학적으로 서로 다른 두 개 이상의 고분자 사슬이 공유 결합으로 연결된 구조로 이루어져 있다. 이는 sphere, cylinder, gyroid, and lamellae 등 다양한 형태 및 크기로 자기조립이 가능하며, 각 block의 부피 비율(f), 분자량(N), 플로리-허긴스 상호작용 파라미터(χ) 등의 조건에 영향을 받는다. 2. Solvent-Vapor Annealing Solvent-Vapor Annealing은 BCP 필름의 나노 구조 및 배향을 부여하기 위한 간단하고 효과적...2025.01.23
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Semiconductor Device and Design - 13~142025.05.101. Full Custom Design Full Custom Design은 표준화된 셀 라이브러리를 사용하지 않고 모든 회로를 설계하는 방식입니다. 장점은 칩 가격이 낮고 성능과 면적 효율이 높지만, 설계 기간이 길고 복잡도와 위험이 높습니다. 2. Semi Custom Design Semi Custom Design은 표준 셀과 메모리 생성기를 사용하는 빠른 설계 방식입니다. 장점은 단순성과 널리 사용되는 방식이지만, 셀 성능이 제한적이고 설계 면적 효율이 낮습니다. 3. Gate Array Gate Array는 기본 논리 게이트와...2025.05.10
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[일반화학실험] PDMS를 이용한 미세접촉 인쇄 예비 레포트2025.05.021. 미세접촉 인쇄 미세접촉 인쇄는 릴리프 무늬를 가진 탄성 중합체의 도장에서 도장이 접촉된 부분의 기질로 물질이 이동하는 과정을 나타낸다. 이 과정에서 알케인싸이올이 찍힌 부위에 피브로넥틴이 선택적으로 흡착되고, 이는 도장이 찍힌 부위에 세포들이 선택적으로 부착할 수 있게끔 한다. 2. 자기조립 자기조립은 무질서하게 존재하는 물질들이 일정한 규칙으로 인해 제어된 구조체를 형성하거나 물질들이 일정한 양식으로 배치되는 현상을 나타낸다. 자기조립에는 반데르발스 힘과 수소 결합 등 느슨한 상호작용이 주로 개입하며, 이를 통해 형성된 유기...2025.05.02
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Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10
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Edge Computing을 위한 AI Memory 기술2025.01.281. 3D Monolithic Integration 3D Monolithic Integration 기술은 Edge Computing을 위한 AI Memory 기술 중 하나로, 다층 구조의 반도체 칩을 단일 칩으로 통합하여 전력 효율성과 성능을 향상시킬 수 있다. 이 기술은 센서, 메모리, 프로세서 등의 다양한 기능을 하나의 칩에 집적할 수 있어 Edge Device에 적합하다. 그러나 제조 공정의 복잡성과 비용 문제가 해결해야 할 과제로 남아있다. 2. Planar SoC Integration Planar SoC Integratio...2025.01.28
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자기조립형 분자박막(Self-Assembled Monolayer, SAM)을 이용한 소수성 표면 제조2025.05.141. 자기조립형 분자박막(Self-Assembled Monolayer, SAM) 자기조립형 분자박막(SAM)은 반응기에 따라 phosphonic acid, n-alkanoic acid, organosilane과 같이 다양한 종류가 있는데 organosilane은 그 종류에 따라 다양한 특성을 지닌 표면을 균일하게 만들 수 있는 표면처리 물질로 널리 이용되고 있다. Organosilane은 기판 표면 hydroxyl기와 화학 반응하여 SAM을 형성한다. SAM 말단기의 화학조성에 따라 표면 dipole moment의 차이가 생기고 이...2025.05.14
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