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핵심이 보이는 전자회로 실험 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성2025.05.161. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 실험 측정 결과를 비교하여 다이오드의 커트-인 전압 값을 확인하였습니다. 시뮬레이션 결과에서는 커트-인 전압이 400mV, 실험 측정 결과에서는 350mV로 나타났습니다. 이를 통해 다이오드의 전류-전압 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 PN 접합 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반도체 소자입니다. 다이오드의 전류-전압 특성은 다이오드의 동작 원리와 성능을 이해...2025.05.16
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_20 커패시터(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에 전하가 모이게 된다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 직렬 연결된 커패시터들은 서로 전하를 채워주는(충전) 전류가 같고, 전체 커패시턴스는 줄어든다. 병...2025.05.13
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전자회로실험 실험 2 - 다이오드 특성 결과 보고서 (보고서 점수 만점)2025.01.141. 실리콘 다이오드 특성 실험 결과, 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스에서는 약 0.58V의 전압이 측정되었고, 역방향 바이어스에서는 OL 표시가 나타났다. 이는 이론적인 값과 유사한 결과이다. 또한 순방향 바이어스에서는 낮은 저항값을, 역방향 바이어스에서는 매우 높은 저항값을 나타내어 이론과 일치하는 결과를 보였다. 순방향 바이어스의 특성곡선은 0.7V 부근에서 수직에 가까운 모습을 보였는데, 이는 다이오드 내부 저항과 회로 내부 저항 등의 변수로 인한 오차로 볼 수 있다. 2. 다이오드 역방향 바이어스 특성 실험 결과, 실리콘...2025.01.14
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아주대학교 물리학실험2 A+ 실험2 축전기와 전기용량2025.01.221. 축전기의 전하, 전압 및 전기용량의 관계 실험을 통해 전하량 Q와 전압 V가 비례하는 관계를 확인하였다. 또한 평행판 축전기의 전기용량 C= epsilon_{0} {A} over {d} 식이 측정한 거리 d의 범위에서 잘 적용됨을 확인하였다. 실험 결과를 통해 축전기의 전기적 특성을 이해할 수 있었다. 2. 평행판 축전기 내부의 전하밀도 분포 실험 2를 통해 평행판 축전기 내부의 전하밀도 분포를 관찰하였다. 이론적으로 균일한 전하밀도를 예상했지만, 실험 결과 가장자리 부분에서 전하밀도가 더 높게 나타났다. 이는 가장자리 효과로...2025.01.22
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2023-1 정보소자물리실험 레포트2025.05.111. 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 박막 트랜지스터는 박막 증착에 의해 만들어진 전계 효과 트랜지스터(FET)입니다. 박막 트랜지스터는 OLED나 LCD와 같은 디스플레이의 제작에 사용되고, 한 픽셀의 액정 배열 상태를 조절해 픽셀의 색을 결정하는 역할을 합니다. 박막 트랜지스터는 게이트, 소스, 드레인으로 구성되며, 게이트 전압에 의해 통제되는 전류 흐름을 이용하여 작동합니다. 2. IGZO IGZO는 Indium, Gallium, Zinc, Oxide의 준말입니다. 규소반도체 기반의 박막 트랜지...2025.05.11
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전자재료 보고서2025.05.101. 반도체 구성 물질의 물성 이해 및 반도체 성능저하 요인 개선 방안 반도체 구성 물질의 물성을 이해하고 high k 물질 및 low k 물질, graphene 등의 물질을 이용하여 반도체 성능향상을 도모하는 것이 주요 내용입니다. SiO2의 Scaling 한계로 인한 Gate Leakage와 Dram Capacitor의 Leakage 증가 문제를 해결하기 위해 High-K 유전체가 대두되었지만, 대부분의 High-K 유전체가 Crystallization-Induced 누설전류와 낮은 신뢰성을 가지고 있어 실리콘과의 계면상태가 우...2025.05.10
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH6. 제너다이오드 실험보고서2025.05.051. 제너다이오드 제너다이오드는 역방향 바이어스 상태로 주로 사용되며, 항복영역에서 다이오드가 파괴되지 않고 사용이 가능한 소자입니다. 제너다이오드의 주요 특성으로는 역포화 전류, 애벌란치 효과, 제너 효과, 제너 항복전압, 회복시간, 누설전류 등이 있습니다. 제너다이오드는 정전압기, 전압 표준기 등에 사용되며, 전압 레귤레이터 회로에서 병렬로 연결되어 직류전원의 출력전압을 일정하게 유지하는 역할을 합니다. 2. 제너다이오드의 동작 특성 제너다이오드는 순방향 바이어스일 때 단락 스위치처럼 동작하며, 순방향 전류는 공급전압의 증가에 ...2025.05.05
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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. TFET 디바이스 및 특성 TFET는 밴드-대-밴드 터널링 메커니즘을 사용하여 MOSFET의 60mV/decade 한계를 극복할 수 있는 초저전력 애플리케이션의 유망한 후보로 부상했다. TFET 디바이스의 단방향 전류 전도 특성과 낮은 온전류로 인해 SRAM 셀의 견고성이 저하되는 문제가 있다. 이 논문에서는 TFET 회로 스위칭/출력 특성/성능과 기본 물리학을 자세히 분석하고, SRAM의 평가 요소인 SNM을 조사하고 표현한다. 또한 TFET와 MOSFET을 함께 사용하는 하이브리드 GAA 6T SRAM을 제안한다. 2. S...2025.05.10
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키르히호프의 법칙 결과보고서2025.01.031. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 전기회로에 관한 법칙으로, 들어오고 나가는 모든 전류의 합은 0이며, 회로 모든 전압의 합은 0이라는 내용입니다. 이 법칙은 RLC회로의 이계 선형 상 미분 방정식을 유도할 수 있으며, 실생활에서는 차량 배터리 점프 등에 활용됩니다. 2. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 미세하게 변하는 저항값을 측정하기 위해 별도의 회로를 구성하는 방법입니다. 이 회로는 차동식 열감지기, 가스누설 감지기, CO감지기 등에 활용됩니다. 1. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 전기 회로 이해의 기본이 되...2025.01.03
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LED의 소신호 모델 분석 및 특성2025.05.111. LED 소신호 모델 LED 소자의 전기적 등가회로에서 Rs, Cp, Rj 등의 요소가 갖는 물리적 의미를 설명하였습니다. Rs는 소자 내부의 전력 손실을 의미하며, Cp는 고주파 신호의 커플링 차단 효과를 조절하는 역할을 합니다. Rj는 출력 임피던스의 실수부와 허수부를 조절하는 중요한 저항 매개변수입니다. 2. 임피던스 측정 및 캘리브레이션 임피던스 측정을 위한 Spectroscopy 실험에서 파장이나 진폭이 다른 물질이나 요소에 민감하게 반응하기 때문에, 작은 변화에도 큰 오차가 발생할 수 있습니다. 따라서 이러한 오차를 ...2025.05.11
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