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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.161. FET 전류원 FET 전류원 실험에서 부하저항 RL의 값에 관계없이 일정한 전류 IDSS가 흐르는 특성을 확인했다. 표 13-1의 측정값에서 20Ω부터 3.6kΩ까지의 다양한 부하저항에서 전류값이 안정적으로 유지되었으며, 이는 ID=IDSS 식으로 표현된다. 완전히 이상적인 전류원은 아니지만 필요한 전류량을 공급할 수 있는 실용적인 전류원으로 간주할 수 있다. 2. BJT 전류원 BJT 전류원은 부하저항에 관계없이 약 1mA의 일정한 전류를 유지한다. 이는 BJT가 정상 동작하기 위해 일정한 베이스-에미터 전압이 필요하기 때문...2025.11.16
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OP 증폭기를 이용한 비교기 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 비교기 회로 비교기 회로는 두 입력 전압의 크기를 비교하여 출력 전압을 결정하는 회로입니다. 실험을 통해 입력 전압이 기준 전압보다 크거나 작을 때 출력 전압이 달라지는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 LED를 이용하여 출력 전압의 상태에 따라 LED의 색이 변하는 것을 관찰할 수 있었습니다. 2. 포토트랜지스터 포토트랜지스터는 빛에 의해 베이스 전류가 변화하여 콜렉터 전류가 변화하는 소자입니다. 실험을 통해 입력 전압이 증가하거나 포토트랜지스터와 발광 다이오드 사이의 거리가 가까워질수록 출력 전압이 감소하는 것을 확인할 수...2025.01.03
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부산대_응용전기전자실험2_예비보고서4_MOSFET [A+보고서]2025.01.291. MOSFET Buck Chopper MOSFET Buck Chopper는 전류의 ON-OFF를 반복하여 직류 또는 교류 전원으로부터 원하는 전압이나 전류를 만들어내는 전원 회로 제어 방식입니다. 스위칭 소자가 ON일 때 전류가 흐르고 OFF일 때 다이오드를 통해 전류가 흐르면서 출력 전압이 입력 전압보다 낮아지는 강압형 컨버터입니다. 인덕터의 전압 특성을 이용하여 출력 전압을 조절할 수 있으며, 적절한 인덕턴스와 스위칭 주파수 선정이 중요합니다. 2. MOSFET Boost Chopper MOSFET Boost Chopper는...2025.01.29
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[부산대 이학전자실험] OP-AMP (3)2025.05.041. Comparator Comparator는 이름에서 알 수 있듯이 전압을 비교할 수 있는 장치이다. Op Amp의 높은 전압 이득을 이용하여 입력신호를 무한대로 가깝게 증폭해준다. Comparator는 입력되는 두 전압의 크기를 비교하여 두 입력 값 중 가장 큰 것을 결정해준다. 실험 결과 입력전압이 기준전압보다 크면 출력전압이 (+)로, 작으면 (-)로 출력되는 것을 확인할 수 있었다. 다만 회로의 내부저항으로 인해 출력전압이 공급전압보다 약간 낮게 나왔다. 2. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 하는 소자이다...2025.05.04
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)2025.01.111. Series-Shunt 피드백 회로 설계 PSPICE schematic을 그리고 입력 전압원의 값을 0V에서 +6V까지 0.1V의 증분으로 증가시킴에 따라 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 입력저항을 10kΩ, 부하저항을 100Ω으로 하고 같은 작업을 반복해서 부하저항 양단의 출력전압이 어떻게 변하는지를 보여주는 입출력 transfer characteristic curve를 그렸습니다. 두 경우의 transfer characteris...2025.01.11
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MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 IREF = 10 mA인 단일 Current Mirror를 설계한다. M1, M2는 동일한 트랜지스터이며 Gate와 Source 단자를 공유한다. Data sheet에서 Vth = 2.1 V, VGS = 2.41 V를 구하고, R1 = 759Ω으로 계산된다. M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건은 VDS ≥ 0.31 V이며, RL의 최대값은 969Ω이다. PSPICE 시뮬레이션 결과 IREF = 10.09 mA, IO = 1...2025.11.13
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다이오드 특성 실험 및 I-V 특성 측정2025.11.161. 다이오드의 기본 동작 원리 다이오드는 p-type과 n-type 반도체의 접합으로 만들어지며, 접합면 근처에서 barrier voltage가 형성된다. Forward bias에서는 p-type에 양의 전압, n-type에 음의 전압을 인가하여 forward current가 흐르고, reverse bias에서는 반대로 인가하여 매우 작은 leakage current만 흐른다. Si 다이오드의 barrier voltage는 약 0.6V이며, 다이오드는 0.7V drop model 또는 piecewise linear model로 등...2025.11.16
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피드백 증폭기 설계 및 실습2025.11.121. Series-Shunt 피드백 증폭기 입력이 전압이고 출력도 전압인 Shunt 구조의 피드백 증폭기 설계. PSpice를 이용하여 입력저항 1kΩ, 부하저항 1kΩ, 전원 12V 조건에서 입출력 transfer characteristic curve를 분석. 입력 전압의 2배가 출력전압으로 나오는 linear 특성을 확인. 입력저항과 부하저항 변경 시에도 동일한 특성 유지. 전원 전압이 충분하지 않을 때는 MOSFET의 특성으로 인해 출력이 전원 전압을 따라가는 현상 관찰. 2. Series-Series 피드백 증폭기 입력이 전...2025.11.12
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MOSFET의 기본특성 실험 결과보고서2025.11.121. MOSFET (금속산화물반도체전계효과트랜지스터) MOSFET은 반도체 소자로서 게이트, 드레인, 소스, 벌크의 네 개 단자를 가지며, 게이트에 인가되는 전압에 의해 채널의 전도도가 제어되는 전계효과 트랜지스터입니다. 현대 집적회로의 핵심 소자로 사용되며, N채널과 P채널 두 가지 타입이 있습니다. 기본특성 실험을 통해 게이트-소스 전압과 드레인 전류의 관계, 드레인-소스 전압에 따른 특성곡선 등을 측정하고 분석합니다. 2. 트랜지스터 특성곡선 및 동작영역 MOSFET의 동작은 차단영역, 선형영역, 포화영역으로 구분됩니다. 차단...2025.11.12
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광전자소자: p-n 접합의 특성과 응용2025.11.181. p-n 접합의 I-V 특성과 응용 p-n 접합의 I-V 특성은 4개 사분면으로 구분됩니다. 1사분면은 순방향 바이어스로 LED와 레이저에 사용되며, 3사분면은 역방향 바이어스로 포토디텍터에 적용됩니다. 4사분면은 바이어스 없이 태양전지처럼 작동하여 역방향 전류를 흐르게 합니다. 각 영역의 바이어스 방향과 전류 흐름의 차이를 이해하는 것이 광전자소자 설계의 기초입니다. 2. 태양전지의 성능 지표: Fill Factor Fill Factor(ImVm/IscVoc)는 태양전지 성능의 중요한 지표입니다. 이는 p-n 접합에 저장된 제...2025.11.18
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