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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 예비 보고서2025.01.041. PWM 제어 회로 PWM(Pulse Width Modulation) 제어회로는 출력 전압의 오차분만큼 펄스폭을 조정하여 출력 전압을 안정화 시키는 회로입니다. 출력 전압과 기준 전압을 비교한 오차를 검출하여 증폭하는 오차 증폭기(Error Amp)와 검출된 오차 전압과 톱니파를 비교하여 구형파 펄스를 발생시키는 비교기(Comparator) 그리고 출력 전압을 안정화시키는 Converter의 스위치를 구동하는 구동회로(Driver stage) 등으로 구성되어 있습니다. 2. Buck Converter Buck Converter는...2025.01.04
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Electrical Conduction in Solids2025.05.081. 도체와 반도체의 저항 온도 의존성 이번 실험의 목적은 도체와 반도체의 저항이 온도에 관한 함수임을 관찰하고, 나타나는 특성이 고체의 띠이론으로 설명되는 것을 이해하는 것이었다. 이론적으로 도체의 경우에는 온도에 비례하여 선형적인 형태로 도체의 저항이 증가하고 반도체의 경우에는 온도에 대하여 온도가 증가함에 따라 지수함수적으로 저항이 감소한다. 실험 결과에서도 이러한 이론적인 특징이 잘 나타났으며, 도체의 경우 온도 증가에 따른 저항 증가, 반도체의 경우 온도 증가에 따른 저항 감소 경향을 확인할 수 있었다. 이는 도체의 경우 ...2025.05.08
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침입자 경보기 회로 실험2025.04.281. 트랜지스터 트랜지스터를 이용하여 부저까지 전류가 흘러가면 부저가 작동되어 침입자가 들어오는 것을 알 수 있는 회로입니다. 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울리게 됩니다. 2. 회로 작동 원리 창문의 전선이 끊어졌을 때 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울...2025.04.28
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전자공학실험 9장 MOSFET 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS의 경우 소스-바디, 드레인-바디 사이에 각각 PN 접합이 형성되어 있고 역방향 바이어스 상태에 있어야 한다. 게이트에 양의 전압이 인가되면 n형 채널이 형...2025.01.13
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광전효과 실험 결과보고서2025.05.131. 광전효과 이번 실험에서는 광전효과에 대한 내용을 실험적으로 확인하는 것에 목적을 두었다. 실험을 통해 진동수 변화에 따른 경향성, 광량 변화에 따른 경향성, 전압 변화에 따른 전류의 경향성을 관찰하였다. 실험 결과를 분석하여 플랑크 상수, 일함수, 문턱 진동수 등을 계산하였고, 광전효과의 원리와 의미에 대해 고찰하였다. 2. 플랑크 상수 실험 Ⅰ에서 진동수 대 정지전압 그래프의 기울기를 통해 플랑크 상수를 계산하였다. 실험값은 6.63 × 10^-34 Js로 나왔으며, 오차율은 약 6%였다. 이를 통해 플랑크의 양자 가설이 입...2025.05.13
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물리화학실험 basic electronics 실험보고서2025.05.051. 다이오드 다이오드는 2개의 단자를 갖는 전자 부품으로 한쪽에는 낮은 저항을, 다른쪽에는 높은 저항을 둬 전류가 한쪽으로만 흐를 수 있게하는 물질이다. 오늘날 가장 많이 쓰는 다이오드는 반도체 다이오드로 P-N접합을 포함한 소재에 연결되어있다. 실험에서 사용한 다이오드도 pn접합 다이오드로 실리콘 다이오드가 가장많이 만들어진다고 한다. 실험 결과 게르마늄 다이오드는 0.3~0.4V에서, 실리콘 다이오드는 0.5~0.7V정도에서 전류값이 갑자기 증가하는 것을 보였는데, 이는 각자의 문턱저항을 의미한다. 문턱저항 이상에서는 전류가 ...2025.05.05
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[2024 자료] 시립대 전전설I 2주차(1. 계측기) / 결과 레포트(post-report)2025.01.221. 계측기 사용법 이번 실험에서는 기본 실험 장비인 DC 전원 공급기와 디지털 멀티미터의 사용 방법을 익히고, 수동 소자인 저항, 콘덴서, 코일의 특성을 이해하는 것이 목적이었다. 실험을 통해 옴의 법칙, KVL, KCL 등의 이론이 실제로도 적용된다는 것을 확인할 수 있었고, 회로 구성 및 계측기 사용 시 발생할 수 있는 오차 요인들을 파악하여 향후 실험에서 이를 개선할 수 있는 방안을 모색하였다. 2. 수동 소자 특성 실험에서는 저항, 콘덴서, 코일 등의 수동 소자 특성을 이해하고 이를 측정하는 방법을 익혔다. 저항의 경우 색...2025.01.22
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비전하 측정 실험 & 홀 효과 실험 (Electron Charge to Mass Ratio & Hall Effect, 결과보고서)2025.05.011. 비전하 측정 실험 이 실험은 헬름홀츠 코일의 자기장 내에서 진행되었는데, 헬름홀츠 코일의 반지름 R=158mm과 도선을 감은 횟수 N=130에 대해서, 헬름홀츠 코일이 만들어내는 자기장은 수식(1)과 같이 주어진다. 수식(1)을 수식(2)의 운동방정식 (원심력=로렌츠 힘)에 대입하고 eV=(1/2)mv^2의 관계를 이용해 정리하면 비전하에 관한 수식(3)을 이끌어낼 수 있다. 표(3)에 관한 데이터를 수식(3)에 대입하여 유도한 비전하는 표(8)과 같다. 비전하의 참값은 1.76×10^11로, 각 실험에서 이 참값과 오차율을 ...2025.05.01
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대표적인 전도성 고분자의 작동 원리 및 역사 그리고 대표 물질2025.05.041. 전도성 고분자의 작동 원리 전도성 고분자는 양자역학적 관점에서 볼 때 원자 간 오비탈의 중첩과 결합을 통해 전자가 자유롭게 이동할 수 있는 구조를 가지고 있다. 이러한 구조는 전자의 비편재화를 가능하게 하여 전도성을 발현시킨다. 또한 열역학적으로 볼 때 전도성 고분자의 가역적인 구조 변화는 엔트로피 증가를 유발하여 전도성이 자발적으로 나타나게 된다. 2. 전도성 고분자의 역사 전도성 고분자의 역사는 1970년대 노벨상 수상자들의 연구로부터 시작되었다. 이들은 할로겐 족을 이용하여 폴리아세틸렌에 도핑을 하여 전도성을 크게 향상시...2025.05.04
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나노 반도체입자의 분광학적 성질(예비보고서)2025.05.131. 나노 반도체입자의 분광학적 성질 실험을 통해 반도체 나노입자를 합성하고 그 분광학적 성질을 관찰하여 크기와 분광학적 성질 사이의 관계를 알아보고자 한다. 반도체 물질의 에너지 준위와 band gap 개념을 이용하여 나노 크기의 반도체 입자에서 나타나는 양자구속 효과를 설명할 수 있다. 역미셀 구조를 이용하여 나노입자의 크기를 조절할 수 있다. 2. 반도체 물질의 에너지 준위와 band gap 원자 내 전자의 에너지 준위와 분자 내 전자의 에너지 준위를 설명할 수 있다. 고체 물질에서 나타나는 에너지 준위 구조인 valence ...2025.05.13
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