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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기2025.01.071. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 전자회로에서 널리 사용되는 증폭기 회로입니다. 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기를 구현하고 분석합니다. 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, 전압 이득, 입력 저항 및 출력 저항 등을 측정하고 계산합니다. 또한 10kHz 정현파 입력에 대한 증폭기 성능을 확인합니다. 1. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 증폭기는 두 개의 트랜지스터를 공통 소오스 구조로 연결하여 신호를 증폭하는 방식을 사용합니다. 이를 통...2025.01.07
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오디오 전력 증폭기 설계 및 제작 결과보고서2025.04.261. 오디오 전력 증폭기 설계 전자회로실험 결과보고서10장. 오디오 전력 증폭기 설계 및 제작을 다루고 있습니다. 실험에 사용된 장비 및 부품, 실험 방법 및 결과, 브레드보드와 IC 기판을 이용한 회로 구현 과정, 그리고 실험 결과에 대한 검토 사항 등이 포함되어 있습니다. 2. 트랜지스터 동작 원리 이번 실험에서는 2N3904, 2N3906, TIP122, TIP127 트랜지스터의 동작과 연결 방법을 자세히 알게 되었습니다. 트랜지스터의 특성을 이해하고 회로 설계에 적용하는 방법을 배울 수 있었습니다. 3. 회로 설계 및 구현 ...2025.04.26
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CE 증폭기 설계 예비결과보고서2025.01.021. CE 증폭기 설계 이 실험의 목적은 CE 증폭기를 설계, 구성하고 시험하며, DC bias와 AC 증폭값을 계산하고 측정하는 것입니다. 실험 이론에서는 트랜지스터 선정, 사용 전압 및 전류 범위 설정, 증폭률 설정 등 CE 증폭기 설계를 위한 주요 고려사항들을 다루고 있습니다. 트랜지스터의 정격 전압, 전류, 증폭률 등을 고려하여 적절한 트랜지스터를 선정하고, 사용 전압 및 전류가 트랜지스터의 정격을 초과하지 않도록 설계해야 합니다. 또한 직류 전류 증폭률의 편차를 고려하여 최솟값을 기준으로 증폭률을 설정해야 합니다. 1. C...2025.01.02
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전자회로실험 A+ 13주차 결과보고서(MOSFET common source amplifier)2025.05.101. MOSFET 드레인 특성 실험(1)에서는 VDD와 VGG의 값을 변화시키면서 MOSFET의 드레인 전류 ID를 측정하였다. 실험 결과를 그래프로 나타내었더니 이론과 비슷한 형태의 그래프가 나타났다. MOSFET은 트라이오드 영역에서 VDS가 증가함에 따라 ID도 증가하지만, 포화 영역에서는 ID가 일정한 값을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. 실제 실험에서는 포화 영역에서도 ID가 조금씩 증가하는데, 이는 채널 길이 변조 현상 때문이다. 2. MOSFET 공통 소스 증폭기 실험(3)에서는 MOSFET 공통 소스 증폭기의 특성을...2025.05.10
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전자공학실험 14장 캐스코드 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 캐스코드 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. 바이어스 회로 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다. 1. 캐스코드 증폭...2025.01.13
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 A+2025.01.271. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 실습에서는 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석하였습니다. Rsig = 50Ω, RL = 5kΩ, VCC = 12V인 경우, β = 100인 BJT를 사용하여 Rin이 kΩ 단위이고 amplifier gain(υo/υin)이 100 V/V인 증폭기를 설계하였습니다. 입력 신호로 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 사용하였으며, PSPICE 시뮬레이션을 통해 회로의 전압, 전류 및 출력 파형을 분석하였습니다...2025.01.27
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로는 일반적인 공통 소오스 증폭기에서 저항 대신 MOSFET 소자를 부하로 사용하는 회로이다. 이를 통해 높은 출력 임피던스와 큰 전압 이득을 얻을 수 있다. 이 회로는 고성능 증폭기를 구현할 때 많이 사용된다. 능동 부하는 일반 저항보다 높은 임피던스를 제공하므로, 전압 이득이 극대화된다. 이로 인해 능동 부하 공통 소오스 증폭기는 작은 신호 입력에서도 큰 증폭이 가능하다. 2. 능동 부하의 역할 회로에서 M_2와 M_3는 능동 부하로 작동하여 출력...2025.01.29
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예비보고서6 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. Common Emitter Amplifier 설계 이 보고서에서는 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고 분석하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 회로 파라미터 계산, 증폭기 이득 분석, 바이어스 전압 및 전류 설계, 비선형 왜곡 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier는 가장 기본적인 트랜지스터 증폭기 회로 중 하나입니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합니다. 설계 시 고려...2025.05.14
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아주대학교 A+전자회로실험 실험3 결과보고서2025.05.091. 미분기 회로 실험 1에서는 미분기 회로의 특성을 알아보고, 회로를 구성한 후 측정한 출력 값을 이론, 시뮬레이션 값과 비교하여 입/출력 전압 관계식을 검증하였다. 실험 결과 이론, 시뮬레이션 값과 비교했을 때 오차가 3%~7%정도로 크지 않았으며, 미분기의 입출력 관계식이 V_o = -R_F C dV_i/dt와 같음을 확인할 수 있었다. 또한 미분기가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것도 관찰할 수 있었다. 2. 반전증폭기 실험 결과에서 미분기 회로가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것을 확...2025.05.09
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