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중앙대학교 정류회로 및 정전압 전원회로 결과 보고서2025.01.291. 평활 회로 평활 회로는 인덕터와 커패시터를 사용한 저주파 필터로 구성되어 교류 전압 성분을 제거한다. 인덕터는 교류의 흐름은 차단하고 직류는 그대로 통과시키며, 커패시터는 교류의 흐름은 통과하고 직류는 차단시킨다. 인덕터를 사용하면 평활 성능이 뛰어나 더 안정적인 출력 전압을 얻을 수 있지만 가격이 저항보다 비싸다. 저항으로 교체할 경우 회로의 단순화와 비용 절감의 장점이 있지만, 전압 강하와 리플의 증가로 인해 출력의 질이 떨어진다. 2. 정전압 전원 회로 정전압 안정화 회로에서 부하가 변동하여 부하 전류가 갑자기 증가하게 ...2025.01.29
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일반물리학실험 시상수 측정 결과레포트2025.05.151. 시상수 시상수는 1차 지연 요소에서 입력 신호가 달라졌을 때 출력 신호가 정상 상태에 도달하기까지의 과도기간에서의 현상의 상태를 아는 가늠이 되는 상수입니다. 예를 들면 전기 회로에서의 일례로서 R과 L의 직렬 회로에 대해서는 직류 전압 V를 가한 직후부터 시간 t의 경과에 의한 전류 i의 변화가 되어 변화하는데, 이 때 전류가 정상값의 63.2%에 이르기까지의 시간 τ＝L/R[s]가 시상수입니다. 일반적으로 시상수가 클수록 정상값에 이르기까지의 시간이 길어지고, 이 값은 제어계 또는 전기 회로의 조건에 따라서 결정됩니다. 2...2025.05.15
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심전도 모니터링 및 판독, 중환자실 워드클래스2025.01.041. 심전도(ECG, electrocardiogram) 심장은 수축, 이완 운동을 통해 전류를 발생시킵니다. 이 심장에 흐르는 전류를 사람이 눈으로 볼 수 있도록 그림으로 그려낸 것이 심전도입니다. 심전도를 통해 심장 상태를 측정하고 손상 범위를 진단할 수 있습니다. 2. 심장의 자극전도계 심장의 자극전도계는 자극이 전달되는 길입니다. 심장의 일정한 부위가 규칙에 따라 주기적으로 흥분하고, 그 흥분이 길을 따라 심장 전체에 확산되어 가는 것입니다. 1. 심전도(ECG, electrocardiogram) 심전도(ECG)는 심장의 전기...2025.01.04
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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MOSFET 기본 특성 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.291. MOSFET 기본 특성 실험 9에서 NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하였습니다. NMOS는 소스와 드레인을 n-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 전자이므로 채널에 전류가 흐르려면 문턱 전압이 양수여야 합니다. PMOS에서는 소스와 드레인을 p-type을 사용하고 전류를 흐르게 하는 carrier가 hole이므로 채널에 전류가 흐르려면 NMOS의 역전압이 걸려야 하므로 PMOS의 문턱 전압은 음수여야 합니다. 따라서 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험]실험9 MOSFET 기본특성, 실험10 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트(A+)2025.04.291. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로, 구조는 금속-산화막-반도체로 이루어져 있다. NMOS는 바디가 p형 기판, 소스와 드레인이 n+로 도핑된 구조이고, PMOS는 바디가 n형 기판, 소스와 드레인이 p+로 도핑된 구조이다. 게이트에 전압이 인가되면 채널이 형성되어 소스에서 드레인으로 전류가 흐르게 된다. MOSFET은 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가지며, 각 영역에서의 단자 전압과 전류 관계...2025.04.29
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RLC 병렬 회로의 주파수 특성2025.01.031. RLC 병렬 회로 RLC 병렬 회로의 주파수 특성을 실험적으로 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 공진 주파수, 임피던스, 전류 등의 변화를 확인하였습니다. 저항, 인덕터, 캐패시터 값의 변화에 따른 회로 특성의 변화를 관찰하였고, 이론값과의 비교를 통해 오차 분석을 수행하였습니다. 또한 시뮬레이션을 통해 회로 파라미터 변화에 따른 주파수-전류 특성의 변화를 확인하였습니다. 1. RLC 병렬 회로 RLC 병렬 회로는 저항(R), 인덕터(L), 캐패시터(C)가 병렬로 연결된 전기 회로입니다. 이 회로는 다양한 응용 분야에서 사용되...2025.01.03
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트랜지스터 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 증폭작용 트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 I_C = betaI_B(beta는 전류 증폭률)의 관계식이 성립한다. 트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다. 2. 이미터 공통(common emitter)회로 이미터 공통 회로에서 I_B와 I_C는 각각 I_B' = (V_RB) / (V_B) = (V_BB - V_B) / (V_R)와 I_C = ...2025.01.03
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전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합2025.04.301. RC 결합 JFET 다단 증폭기 다단으로 연결된 증폭기의 전압이득은 서로 연결된 증폭기의 전압이득의 곱이다. RC 결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분만 전달하는 결합 방식이다. 각각의 증폭 회로에서 독자적인 바이어스 전압을 선택할 수 있으나 결합 커패시터의 리액턴스가 주파수의 영향을 받기 때문에 두 증폭기 간 교류 신호 전달이 주파수의 영향을 받아 전체 증폭 회로의 이득이 주파수에 따라 변할 수 있다. 2. BJT와 JFET의 차이점 BJT와 비교하면 FET의 종류는 더 다양하다. 모든 FET는 매우 높은...2025.04.30
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