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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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홍익대_디지털논리회로실험_2주차 예비보고서_A+2025.01.151. NAND 7400 게이트 NAND 게이트는 AND 게이트 값에 NOT 게이트를 한번 더 통과시킨 값이 아웃풋으로 나오기 때문에 A, B 모두 1일 때만 X가 0이고 그 이외의 경우에는 X는 1이다. 2. NOR 7402 게이트 NOR 게이트는 OR 게이트 값에 NOT 게이트를 한번 더 통과시킨 값이 아웃풋으로 나오기 때문에 A, B 모두 0일 때만 X가 1이고 그 이외의 경우에는 X는 0이다. 3. XOR 7486 게이트 XOR 게이트는 입력값이 같을 때는 아웃풋이 0이고 입력값이 다를 때는 아웃풋이 1이므로 A=B인 1번째,...2025.01.15
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아주대학교 기초전기실험 A+ 결과보고서 Ch. 9 (AC) 영문2025.05.031. IEEE 윤리 강령 IEEE 윤리 강령에 따라 보고서를 작성했음을 서약합니다. IEEE 윤리 강령은 기술이 전 세계의 삶의 질에 영향을 미치는 중요성을 인정하고, 전문직에 대한 개인적 의무를 수락하며, 가장 높은 윤리적 및 전문적 행동을 약속하고 있습니다. 2. 병렬 정현파 회로 병렬 R-L-C 회로에서 계산된 값과 측정된 값을 비교하였습니다. 계산 결과와 측정 결과가 잘 일치하는 것을 확인할 수 있습니다. 또한 회로에 10옴의 감지 저항을 연결했을 때의 영향을 분석하였습니다. 3. 병렬 회로 임피던스 병렬 R-L-C 회로의 ...2025.05.03
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자동먹이시스템2025.01.241. ATmega128 ATmega128은 64핀을 사용하며, 저전력 CMOS형의 8비트 마이크로 컨트롤러로 대부분의 명령어를 시스템 클록을 분주 없이 1:1로 사용하기 때문에 8051계열이나 PIC 계열보다 빠른 특징을 가기고 있다. 포트A, 포트B, 포트C, 포트D, 포트E 등 다양한 포트를 가지고 있으며, 타이머/카운터 0, 1, 3 등을 이용하여 다양한 기능을 구현할 수 있다. 2. 초음파 센서 HC-SR04 초음파 센서는 총 4핀으로 구성되어 있으며, Vcc, Trigger, Echo, GND로 이루어져 있다. Trigge...2025.01.24
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전자회로실험 설계2 결과보고서2025.05.091. CMOS 특성 확인 실험 1에서는 NMOS 트랜지스터의 특성을 확인하였다. V_DS를 고정하고 V_GS에 따른 I_DS의 선형성을 살펴보았으며, 문턱 전압 V_TH를 측정하고 cut-off region, saturation region, triode region에서의 동작을 관찰하였다. 또한 실험 결과를 통해 μ_n C_ox W/L와 λ_n을 도출하였다. 2. NMOS 기반 증폭기 설계 실험 2에서는 NMOS 특성과 파라미터를 이용하여 전압 이득이 2 이상인 common source 증폭기 회로를 설계하였다. 입력 신호의 진폭...2025.05.09
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홍익대학교 전자회로(2) H-SPICE 시뮬레이션 보고서2025.04.261. CS Amp 설계 CS Amp 설계 시 전압이득 20 정도를 얻기 위해 M2 NMOS TR의 W/L 크기와 Vb 바이어스 전압을 조절하였다. M2가 Current Source로 동작할 수 있도록 VDS에 따른 전류 변화가 작은 조건을 찾았으며, 전압이득을 높이기 위해 M1 PMOS TR의 W 크기를 조절하였다. 최종적으로 M2의 W/L을 0.6um, Vb를 0.62V로 설정하고 M1의 W를 0.4um로 설정하여 전압이득 22.4를 얻었다. 2. Transient 시뮬레이션 Vin에 1.86V DC 바이어스와 10mV Peak-...2025.04.26
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Thevenin & Norton 정리 / 중첩의 원리 & 가역 정리 예비 보고서2025.04.271. Thevenin 정리 Thevenin 정리는 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 변환할 수 있는 방법이다. 실험 결과에 따르면, Thevenin 등가회로의 전압과 전류가 원래 회로의 전압과 전류와 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통해 Thevenin 정리가 성립함을 알 수 있다. 2. Norton 정리 Norton 정리는 Thevenin 정리와 유사하게 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 변환할 수 있는 방법이다. 실험 결과에 따르면, Norton 등가회로의 전류가 원래 회로의 전류와 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었다...2025.04.27
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전자공학 관련 퍼즐 및 차세대 전자정부 플랫폼 구축2025.04.281. 전자공학 퍼즐 이 퍼즐은 전자공학 관련 수업에서 어휘력 향상 및 용어 알아맞히기 퀴즈대회 등에 사용할 수 있는 효과적인 학습 도구입니다. 퍼즐에 사용된 단어들은 100% 관련 서적 및 모의고사를 참고했습니다. 2. 차세대 전자정부 플랫폼 행정안전부가 추진하는 차세대 전자정부 플랫폼 구축 사업이 완료되었습니다. 이 사업은 클라우드 기반으로 구축되어 국내 클라우드 산업 성장의 실마리가 될 것으로 기대됩니다. 정부는 이를 통해 국내 클라우드 및 소프트웨어 산업을 육성하고자 합니다. 1. 전자공학 퍼즐 전자공학 퍼즐은 복잡한 전자 회...2025.04.28
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반도체 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전압-전류 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었습니다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 걸어주는 전압에 대해 나타나는 전류를 관찰하며 다이오드의 문턱전압과 항복전압을 알아내고 두 다이오드의 차이점을 파악하였습니다. 실험 결과, 제너 다이오드와 범용 다이오드는 정방향 바이어스에서 동일한 특성을 보이지만 역방향 바이어스에서는 제너 다이오드의 항복전압이 범용 다이오드보다 낮게 나타났습...2025.05.10
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전자공학실험 16장 전류원 및 전류 거울 A+ 결과보고서2025.01.151. 전류원 및 전류 거울 이 실험에서는 아날로그 증폭기에서 부하로써 널리 사용되고 있는 정전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)회로를 구성하고, 이를 실제로 구현함으로써 정전류원 및 전류 거울의 특성을 정확하게 파악하고자 한다. 실험 절차에 따라 RREF 값을 조정하면서 Vpbias 전압과 IREF 전류를 측정하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 DC 전압 레벨을 확인하였다. 고찰 사항에서는 전류 거울의 전류 오차 발생 원인, 전류원의 출력 저항과 전류 정확도 관계, MOSFET 소자 선택...2025.01.15
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