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계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법설계 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. 계측장비 및 교류전원의 접지상태 측정 실험을 통해 DMM, 오실로스코프, Function generator의 접지상태와 내부 연결 상태, 입력 저항을 유추하였고 이를 이용하여 계측장비의 정확한 사용법을 익혔습니다. DMM은 고주파에서 정확한 측정이 어려워 오실로스코프의 측정값이 더 신뢰성 있다는 것을 확인하였습니다. 오실로스코프의 External trigger 기능은 관측 신호의 크기가 변할 때 기준 신호로부터 trigger를 추출하는데 유용하다는 것을 알 수 있었습니다. 또한 계측장비와 전원선의 접지 상태 측정을 통해 배선도...2025.04.25
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건국대학교 전기전자기초실험2 서미스터 결과레포트2025.01.291. 서미스터 LED 회로 실험 1에서는 서미스터와 LED로 구성된 회로를 구성하고, 출력 전압 Vout을 측정하였습니다. 측정된 전압 값을 바탕으로 서미스터의 온도를 추정하였습니다. 오차가 큰 이유는 전압 분배 회로의 분모 값이 소수점으로 차이가 나기 때문입니다. 2. 서미스터 온도 검출 회로 실험 2에서는 연산증폭기 LM358, 서미스터, LED 2개로 구성된 온도 검출 회로를 구성하였습니다. 서미스터의 온도에 따라 RED LED와 BLUE LED가 켜지는 것을 확인하였고, 오실로스코프로 Vout의 파형을 관찰하였습니다. 측정된...2025.01.29
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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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전기회로설계실습 결과보고서62025.05.151. 전기회로 설계 실습 이번 실험을 통해 DMM, 오실로스코프, Function generator의 접지상태, 내부연결 상태와 입력저항을 유추하였고 이를 이용하여 계측장비의 사용법을 익혔습니다. DMM과 오실로스코프를 통해 전압을 측정할 때, DMM은 내부 임피던스에 의해 고주파에서 측정이 정확하지 못해 오실로스코프의 측정값이 신뢰성 있다는 것을 알았습니다. 오실로스코프의 External trigger는 관측하려는 신호의 크기가 많이 변하며 일정한 trigger를 잡을 수 없을 때 크기가 변하지 않는 기준신호로부터 trigger를...2025.05.15
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중앙대 전기회로설계실습 3차 결과보고서2025.04.271. 분압기(Voltage Divider) 설계 출력전압이 12V로 고정되어 있는 한 대의 DC Power Supply를 이용하여 정격전압이 3V±10%, 정격전류가 3mA±10%인 IC chip에 전력을 공급할 수 있는 분압기를 설계하는 실습을 진행하였다. 부하를 고려하지 않은 분압기와 부하를 고려한 분압기를 설계하고 실험을 통해 비교 분석하였다. 부하를 고려하지 않은 분압기는 부하 연결 전후 전압이 크게 변화하여 현실적으로 사용할 수 없음을 확인하였고, 부하를 고려한 분압기 설계를 통해 정격 전압과 전류 조건을 만족하는 회로를 ...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 테브난의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전압 및 직렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의된다. 이렇게 만들어진 회로를 테브난 등가회로라 한다. 테브난 등가회로를 만들 때 전압원과 저항이 직렬로 연결되게 만드는데, 이는 전압분배법칙은 직렬연결에서 사용되기 때문에 직렬로 등가회로를 만들면 외부에 연결되는 저항에 걸리는 전압의 크기를 구할 수 있기 때문이다. 2. 테브난 등가회로 구하는 과정 테브난 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같다: 1. 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단...2025.04.28
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기초전기공학실험1_실습6장_후반_결과레포트2025.05.061. 전압-분배 회로 전압-분배 회로에서 발견되는 회로 전류와 전압을 계산하고, 공통 접지를 가지는 전압-분배 회로에서 발견되는 전압의 극성을 결정하며, 양쪽 모두 접지에 양이고 음인 전압을 보여주는 전압 분배 회로를 알아냈습니다. 2. 직렬 및 병렬 회로 직렬 및 병렬 회로를 다시 그리고 간략화하였으며, 직렬 및 병렬 회로의 총 저항에 대한 방정식을 작성하고, 어느 저항이 총 저항에 가장 큰 영향을 주는지를 결정하였습니다. 3. 단락 및 개방 회로 단락 회로에 의하여 일어나는 회로전류와 전압강하의 변화를 결정하고, 개방 회로에 의...2025.05.06
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 전압 팔로워 회로 전기전자기초실험2 레포트 – 연산증폭기 2학번이름모의실험 1. 전압 팔로워 회로그림 1-1, 1-2의 회로를 LTspice로 구현하시오. (연산증폭기 Universal Opamp)그림 1-1 전압 분배 회로그림 1-2 전압 팔로워가 포함된 분배 회로모의실험을 위해 구성한 LTspice 회로 사진을 첨부한다. 그림 1-1 회로에서 입력 전압을 5V, 1kHz 정현파를 인가하고 입력 전압 Vin과 Vout의 전압의 파형을 도시하시오.그림 1-2 회로에서 입력 전압을 5V, 1kHz 정현파를 인가하고 입력 전압 V...2025.01.29
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실험 15_다단 증폭기 결과보고서2025.04.281. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였다. 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에는 일반적으로 다단 증폭기를 사용한다. 실험을 통해 다단 증폭기의 입력단과 출력단의 임피던스 조건, 전압 이득 특성 등을 확인하였다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 2단 증폭기와 3단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하였다. MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하고, 이를 이...2025.04.28
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.04.291. 건전지의 내부 저항 측정 6 [V] 건전지의 전압은 6.37 [V]로 측정되었으며, 이는 건전지 사용에 의해 화학물질이 소비되어 출력 저항이 증가하기 때문에 이를 대비해서 높은 전압으로 설계된 것으로 보인다. 건전지의 내부 저항은 0.848 [Ω]으로 매우 작은 값이 측정되었으며, 실제 회로에서는 이와 유사한 값의 저항을 사용하지 않는 이상 건전지 내부 저항을 고려하지 않아도 된다. 2. Pushbutton switch를 이용한 저항 보호 Pushbutton switch를 통해 짧은 시간만 전력을 공급할 경우 저항이 타는 것을...2025.04.29
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