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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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전자회로실험 A+ 5주차 결과보고서(Bipolar Junction Transistor Characterization)2025.05.101. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT는 1948년 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었으며, 최초로 대량 생산된 트랜지스터입니다. BJT의 물리적 특성을 이해하는 것은 그 동작과 응용을 이해하는 데 핵심적입니다. 이 실험에서는 BJT의 4가지 동작 영역을 탐구하고 DC 전류 이득, Early 전압과 같은 특성값을 결정합니다. 실험에 사용된 트랜지스터는 NPN 소자인 2N3904입니다. 2. BJT 동작 영역 분석 실험에서는 VB와 VC를 변화시키면서 IC, β 등을 측정하여 BJT의 동작 영역을 확인했습...2025.05.10
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Semiconductor Device and Design -52025.05.101. Characteristic of transistor 트랜지스터의 특성에 대해 설명합니다. 입력 특성은 출력 전압을 일정하게 유지하면서 입력 전압 변화에 따른 입력 전류의 변화를 나타냅니다. 출력 특성은 일정한 입력 전류에서 출력 전압에 따른 출력 전류의 변화를 나타냅니다. 전류 전달 특성은 출력 전압을 일정하게 유지하면서 입력 전류 변화에 따른 출력 전류의 변화를 나타냅니다. 2. Manufacture of diodes in semiconductor integrated circuits 반도체 집적 회로에서 다이오드 제조 공정에...2025.05.10
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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. MOSFET and TFET MOSFET는 낮은 전압에서 on/off 특성이 좋지 않고 subthreshold swing이 높은 단점이 있다. 반면 TFET는 낮은 전압에서도 on 상태를 유지할 수 있고 대기 전력이 낮은 장점이 있지만 단방향 특성과 지연 시간이 길다는 단점이 있다. 2. TFET Modeling TFET는 커패시터, 다이오드, 저항으로 구성된 단방향 소자이다. 드레인 전류 매개변수, 커패시턴스 매개변수 등 다양한 매개변수를 사용하여 TFET을 모델링할 수 있다. 3. Hybrid GAA Characterist...2025.05.10
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전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합2025.04.301. RC 결합 JFET 다단 증폭기 다단으로 연결된 증폭기의 전압이득은 서로 연결된 증폭기의 전압이득의 곱이다. RC 결합은 커패시터를 이용해 직류 성분을 차단하고 교류 성분만 전달하는 결합 방식이다. 각각의 증폭 회로에서 독자적인 바이어스 전압을 선택할 수 있으나 결합 커패시터의 리액턴스가 주파수의 영향을 받기 때문에 두 증폭기 간 교류 신호 전달이 주파수의 영향을 받아 전체 증폭 회로의 이득이 주파수에 따라 변할 수 있다. 2. BJT와 JFET의 차이점 BJT와 비교하면 FET의 종류는 더 다양하다. 모든 FET는 매우 높은...2025.04.30
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인하대 VLSI 설계 4주차 XOR2025.05.031. XOR Gate XOR Gate는 두 입력 값이 서로 다른 경우 1을, 서로 같은 경우 0을 출력하는 gate로 배타적 논리합이라고도 한다. 이를 나타내는 진리표를 보면 입력 신호가 서로 같을 경우 0, 서로 다를 경우(배타적인 경우) 1이 출력됨을 알 수 있다. 이 진리표를 토대로 카르노맵을 그려서 입력식을 구하면 X = AB' + A'B가 나온다. 2. Transistor level layout transistor level layout을 그리는 과정을 살펴보면 NMOS network에 A와 B를 직렬 연결해 AB, A'과...2025.05.03
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응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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Semiconductor Device and Design - 42025.05.101. Diode's fabrication process Diode의 제조 공정에는 합금 방식과 확산 방식의 두 가지 일반적인 기술이 사용됩니다. 합금 방식은 n형 반도체 표면에 알루미늄 펠릿을 녹여 pn 접합을 형성하는 방식이며, 확산 방식은 n형 반도체를 수용체 불순물 증기가 있는 챔버에서 가열하여 수용체 원자가 n형 결정 내부로 확산되어 pn 접합을 형성하는 방식입니다. 확산 공정에서는 n형 물질의 일부만 노출되도록 하여 p 영역의 크기를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 2. Capacitor's fabrication proces...2025.05.10
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한양대 논리설계및실험 Breadboard 및 기본 논리게이트2025.05.041. 논리 회로 구성 이 실험에서는 칩 회로도를 구성하고 있는 논리 회로를 배우며, AND, OR, NAND 게이트의 input, output 데이터를 숙지하고, 드 모르간의 제 1,2법칙을 통해 input 데이터가 반대일 경우 output 데이터를 추측할 수 있습니다. Breadboard를 이용해 회로를 구성하고 input 값을 다르게 주어 Truth Table 출력값을 확인하는 것이 실험의 목적입니다. 2. 74LS00 NAND GATE 74LS00 NAND GATE는 1,2번으로 들어가서 3번으로 출력되는데, 이 때 반대값이 ...2025.05.04
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