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Hf기반 VO 제어형 트랩층 MOSCAP 구조 설계안 비교2025.12.201. MOSCAP 구조 설계 Hf 기반 산소공공(VO) 제어형 트랩층을 적용한 MOSCAP 구조에서 총 4 nm 트랩층 두께와 상·하부 Al₂O₃(1 nm) 차단층을 기반으로 한 여섯 가지 스택 설계안(A~F안)을 비교한다. 각 안은 트랩층의 조성(Al at.%, VO%), 그레이딩 방향과 해상도(계단/연속), 차단층 유무에 따라 구분되며, 동일 총 트랩 두께, 터널 산화막(2.5 nm SiO₂), 기판(SiC)을 기본 가정으로 한다. 2. Program/Erase 특성 및 성능 각 설계안별 Program/Erase 속도, 요구 전...2025.12.20
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MOSCAP 이중층 구조 기술기획 및 웨이퍼 분할 전략2025.12.201. MOSCAP 구조 설계 Metal-SiO₂-Al₂O₃-HfAlO-HfBO-Al₂O₃-SiO₂-Si로 구성된 이중 트랩층 MOSCAP 구조. SiO₂ top 1.0nm, Al₂O₃ top blocking 1.0nm, HfAlO 1.0nm, HfBO 3.8nm, Al₂O₃ mid blocking 1.0nm, SiO₂ tunnel 2.5nm의 다층 박막 구조로 설계되어 있으며, 이는 메모리 소자의 성능 향상을 목표로 함. 2. Program/Erase 동작 조건 Program 동작은 +5V/Si=0V의 FN 주입 기반으로 100~4...2025.12.20
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저가형 MOSCAP 기술 기획 및 스택 설계2025.12.201. MOSCAP 구조 및 스택 설계 Metal(TaN) / Al2O3(1.6nm) / Al2O(2.76)(5.5nm) / SiO2(2.6nm) / Si로 구성된 산소결핍형 Al-O 기반 전자트랩 구조의 MOSCAP 기술. Gate Metal은 TaN, Blocking층은 Al2O3 1.6nm, Trap Layer는 Al2O(2.76) 5.5nm, Tunnel층은 SiO2 2.6nm, Substrate는 Si로 설계되어 있다. 이 구조는 저가형 MOSCAP 제작을 위한 최적화된 스택 구성이다. 2. 전자트랩 및 Deep Et 특성 ...2025.12.20
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고온 NVM 트랩층 재료 SiBCN vs SiAlBN 비교2025.12.211. SiBCN 트랩층 재료 SiBCN은 Si–N, B–N, C–N, Si–C 결합으로 구성된 Deep Localized Trap 구조의 트랩층 재료입니다. 밴드갭은 5.3–5.7 eV, 유전상수는 6.3–6.8이며, 유효 트랩 깊이(Et_eff)는 약 2.8 eV입니다. B–N 결합의 강한 안정성으로 인해 25°C에서 10¹¹초 이상의 보유시간을 보이며, 250°C에서도 약 3년(10⁸초)의 보유력을 유지합니다. 최대 공정온도는 약 1100°C로 높은 열적 안정성을 가지고 있습니다. 2. SiAlBN 트랩층 재료 SiAlBN은 S...2025.12.21
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MOSCAP 4가지 구조 스펙 제안 및 공정 레시피2025.12.201. MOSCAP 구조 설계 SiO₂–HfO₂–Al₂O₃–TaN 기반 MOSCAP의 4가지 구조(Turbo-RAM, Deep-Store, User MOSCAP, Et-Optimized Hybrid)를 비교 분석. User MOSCAP은 Al₂O₃ 1.0 nm, Et_eff 2.4 eV로 확정되었으며, 각 구조는 프로그램 시간과 보유 특성에서 차별화된 성능을 제시한다. Turbo-RAM은 20-30 ns의 빠른 속도, Deep-Store는 수 개월~수 년의 장기 보유를 목표로 한다. 2. ALD 공정 및 열처리 O₃-ALD를 이용한 ...2025.12.20