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인버터 에어컨과 냉동기2025.05.161. 인버터 냉동기 인버터 냉동기의 주요 구성품은 전원변환장치, 입력부, 프로그램, 인버터모듈, 출력부로 구성됩니다. 전원변환장치는 AC(교류)전원을 DC(직류)전원으로 변환하는 컨버터와 DC전원을 다시 가상의 AC전원으로 전환하는 인버터로 구성됩니다. 입력부는 온도센서와 압력센서로 구성되어 주위온도 및 시스템압력을 수집합니다. 프로그램은 센서로부터 상태값들을 수집해 최적의 상태로 운전될 수 있도록 계산해 인버터모듈로 전송합니다. 인버터모듈은 전송받은 데이터를 바탕으로 회전수를 단계별로 조절해 구동출력을 압축기로 전송합니다. 출력부...2025.05.16
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인하대 VLSI 설계 2주차 inverter2025.05.031. Inverter 회로의 개념 Inverter 회로는 입력이 0일 때 출력으로 1이 출력되고 입력이 1이면 출력으로 0을 출력하는 회로를 말한다. CMOS Inverter 회로는 VDD에 PMOS, GROUND에 NMOS가 연결되어 있으며, 입력 신호가 1일 때 PMOS는 OFF, NMOS는 ON이 되어 출력 단자 Y가 VDD와 차단되고 GND와 연결되어 0의 값을 출력하며, 입력 신호가 0일 때 PMOS는 ON, NMOS는 OFF가 되어 출력 단자 Y가 VDD와 연결되고 GND와 차단되어 1의 값을 출력한다. 2. Invert...2025.05.03
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CMOS Inverter 설계 및 실험2025.12.131. CMOS Inverter CMOS Inverter는 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 사용하여 구성된 논리 게이트로, NOT Gate 기능을 수행한다. 입력 신호를 반전시켜 0을 받으면 1을 출력하고, 1을 받으면 0을 출력한다. NMOS의 소스는 ground에 연결되고 PMOS의 소스는 Power supply 5V에 연결되는 구조로 설계된다. 이 회로는 디지털 논리 회로의 기본 구성 요소로 사용된다. 2. NMOS 및 PMOS 트랜지스터 NMOS는 N형 MOSFET으로 P형 실리콘 기판에 N+로 도핑된 소스와 드레인을 가지며,...2025.12.13
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Silvaco TCAD를 이용한 45nm CMOS 인버터 설계2025.12.181. CMOS 인버터 설계 45nm gate length의 N/PMOSFET으로 이루어진 CMOS 인버터를 Silvaco TCAD를 이용하여 구현. NMOSFET은 Enhancement mode, PMOSFET은 Depletion mode로 동작하도록 설계. 인버팅 포인트는 약 1.65V이며, 1~2V 사이에서 인버터 동작 확인. 10Ω의 p-type Si 기판에서 시작하여 shallow trench isolation, well 형성, gate oxide 증착 등의 공정을 거쳐 완성. 2. MOSFET 동작 모드 Enhancemen...2025.12.18
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디지털집적회로 inverter 설계도 및 시뮬레이션 결과2025.04.281. CMOS 인버터 설계 CMOS 인버터는 다른 유형의 인버터에 비해 노이즈 마진이 넓고 전력 소비가 낮아 집적 회로 설계의 기반이 되고 있습니다. 이 프로젝트에서는 CMOS 인버터를 선택하여 설계하고 시뮬레이션을 수행했습니다. PMOS와 NMOS의 크기 비율을 변경하여 스위칭 임계 전압과 전파 지연 시간을 분석했습니다. 2. DC 분석 DC 분석에서는 스위칭 임계 전압(Vs)을 계산하고 PMOS/NMOS 크기 비율에 따른 변화를 확인했습니다. PMOS/NMOS 크기 비율이 1.4335일 때 Vs는 VDD/2보다 낮았고, 1일 때...2025.04.28
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CMOS 인버터 설계 및 특성 분석 실험2025.11.181. CMOS 인버터 설계 공정 CMOS 인버터 설계는 웨이퍼 준비, n-well 형성, 활성 영역 정의, 게이트 형성, S/D 도핑, 어닐링, 컨택 형성, 금속화, 전극 형성 등 10단계의 공정으로 구성된다. 총 7개의 마스크(well, active region, poly, n-select, p-select, contact, metal mask)를 사용하여 미세한 패턴을 형성하고, 각 단계에서 산화막 증착, 식각, 이온 주입, 확산 등의 반도체 공정 기술이 적용된다. 2. 도핑 농도 및 접합 깊이 최적화 NMOS와 PMOS의 도핑...2025.11.18
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3상 인버터를 이용한 유도기-동기기 MG세트 구동 실험2025.12.181. 3상 인버터의 동작원리 3상 인버터는 정류부, 평활회로부, 인버터부로 구성된다. 정류부는 6개의 다이오드로 3상 교류를 직류로 정류하고, 평활회로부는 대용량 커패시터로 리플을 제거한다. 인버터부는 6개의 IGBT 스위치로 제어신호에 따라 회로를 개폐하여 펄스 폭 변조(PWM) 방식으로 원하는 주파수의 정현파 전압을 출력한다. 이를 통해 AC 전동기의 속도를 정밀하게 제어할 수 있다. 2. 유도전동기의 V/f 제어 V/f 제어는 전압과 주파수의 비를 일정하게 유지하여 자속을 일정하게 하면서 주파수를 변화시켜 전동기 속도를 제어하...2025.12.18
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전자재료물성 실험 및 설계 2 - BJT 및 MOSFET 특성2025.11.181. BJT(양극성 접합 트랜지스터)의 전기적 특성 BJT는 전류 제어용 소자로 PNP, NPN 구조로 나뉜다. 세 개의 전극(이미터, 베이스, 컬렉터)으로 구성되며, 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다. BJT는 차단영역, 활성영역, 포화영역, 역활성영역의 네 가지 동작영역을 가지며, 활성영역에서 증폭 기능을 수행한다. 온도 증가에 따라 캐리어 수가 증가하여 전기전도도가 증가하고 문턱전압이 낮아진다. 2. BJT 증폭기 회로의 종류 및 특성 BJT 증폭기는 접지 위치에 따라 공통 이미터(CE), 공통 베이스(CB), 공통 ...2025.11.18
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CMOS Inverter 설계 및 특성 분석 실험2025.12.131. CMOS Inverter 회로 설계 MOSFET 트랜지스터를 사용하여 CMOS Inverter를 설계하는 실험이다. NMOS의 소스를 ground에 연결하고 PMOS의 소스를 5V 전원에 연결하여 기본 인버터 회로를 구성한다. 게이트 전압을 0.25V씩 변화시키며 입출력 특성을 측정하고 전달 함수 그래프를 작성한다. 이를 통해 입력전압이 0~1.5V일 때 출력은 약 4.95V로 유지되고, 2V 이상에서 출력이 감소하는 특성을 확인한다. 2. MOSFET 트랜지스터의 동작 원리 NMOS는 P형 실리콘 기판에 N+로 도핑된 소스와...2025.12.13
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디지털집적회로설계 실습: 기본 논리게이트 시뮬레이션2025.11.151. INVERTER (인버터) 인버터는 입력 신호를 반전시키는 기본 논리게이트이다. 실습에서 pulse 파형의 입력 신호를 사용하여 시뮬레이션을 수행했으며, 결과 그래프에서 입력과 출력 신호가 정반대의 값을 가지는 것을 확인하여 제대로 구현되었음을 검증했다. 2. NAND 게이트 NAND 게이트는 두 입력 신호가 모두 1일 때만 출력이 0이 되고, 나머지 모든 경우에 출력이 1이 되는 논리게이트이다. 실습에서 INA, INB 입력에 대한 OUT 출력을 분석하여 NAND 게이트의 동작 원리를 파형 그래프로 확인했다. 3. AND 게...2025.11.15
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