총 5개
-
전자재료 보고서2025.05.101. 반도체 구성 물질의 물성 이해 및 반도체 성능저하 요인 개선 방안 반도체 구성 물질의 물성을 이해하고 high k 물질 및 low k 물질, graphene 등의 물질을 이용하여 반도체 성능향상을 도모하는 것이 주요 내용입니다. SiO2의 Scaling 한계로 인한 Gate Leakage와 Dram Capacitor의 Leakage 증가 문제를 해결하기 위해 High-K 유전체가 대두되었지만, 대부분의 High-K 유전체가 Crystallization-Induced 누설전류와 낮은 신뢰성을 가지고 있어 실리콘과의 계면상태가 우...2025.05.10
-
전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10
-
인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석2025.01.091. MOS Capacitor 동작 원리 MOS Capacitor의 동작 원리를 이해하기 위해 Gate Material, Oxide Material, Semiconductor material 등에 대한 특성을 기술하였습니다. Gate Material로는 TiN을 선택하였고, Oxide Material로는 HfO2와 SiO2를 사용하였으며, Semiconductor material로는 p-type Si을 사용하였습니다. 각 material의 특성과 선택 이유를 자세히 설명하였습니다. 2. High-k 물질 도입에 대한 배경 Moore...2025.01.09
-
Oxidation (반도체)2025.05.081. SiO2 Layer SiO2 레이어는 다음과 같은 용도로 사용됩니다: (1) 도펀트 확산 및 이온 주입 동안 마스크로 사용, (2) 칩 상의 다른 장치 간 전기적 절연 제공, (3) 금속-산화물 반도체 장치에서 게이트 산화물 및 커패시터 유전체로 사용, (4) 실리콘 표면의 패시베이션 제공, (5) 다단계 금속화 구조에서 전기적 절연 제공. 2. SiO2 종류 SiO2에는 세 가지 종류가 있습니다: (1) 자연 산화막 - 실리콘이 공기 중에 노출되면 얇은 자연 산화막이 형성됨, (2) 열 산화막 - 고온에서 실리콘을 산화시켜 ...2025.05.08
-
식물분자생물학실험Arabidopsis seed sterilization and germination 결과보고서2025.01.181. Arabidopsis seed sterilization and germination 본 실험에서는 형질전환된 Arabidopsis seed 를 70% ethanol과 10% NaClO 희석액을 이용해 소독하여 종자 표면의 미생물 오염원을 제거하고, 항생제가 투입된 media에서 발아시켜 형질전환체를 선별하는 과정을 진행하였다. 실험 결과, 다수의 종자가 정상적으로 발아되었고, 배지에서 오염원에 의한 contamination이 관찰되지 않았다. 이는 70% ethanol과 10% NaClO 희석액이 식물 종자 표면의 오염원을 정...2025.01.18