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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_4 옴의 법칙2025.05.131. 전류 전류는 회로 안의 전하의 흐름을 의미하며, 전류의 측정 단위는 암페어(ampere)입니다. 암페어는 1초 동안 회로의 한 점을 통해 지나간 전하의 양으로 정의됩니다. 전류는 약자로 I로 쓰며 화살표로 흐르는 방향을 나타냅니다. 전류의 방향은 전기장에 의해 양전하가 움직이는 방향으로 정의되므로 실제 전자(음전하)가 움직이는 방향은 전류가 흐르는 방향과 반대가 됩니다. 2. 전류와 전압 사이의 관계 전기부품의 특성은 전류와 전압 사이의 관계를 통해 알아낼 수 있습니다. 그래프를 그리려면 한 변수(variable)의 값을 바꾸...2025.05.13
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디지털논리회로 (논리 게이트)2025.01.091. 논리 게이트의 기본 개념 논리 게이트는 디지털 회로에서 가장 기본적인 구성 요소로, 논리 연산을 수행하는 하드웨어나 소프트웨어를 의미한다. 논리 게이트는 불리언 논리를 기반으로 입력 신호에 따라 출력 신호를 결정하는 역할을 한다. 디지털 논리 게이트는 이진 데이터 0과 1을 처리하는데 사용된다. 2. 논리 게이트의 종류 논리 게이트는 기본 논리 게이트(BUFFER, NOT, AND, OR)와 확장 논리 게이트(NAND, NOR, XOR, XNOR)로 구분된다. 이들은 각각 특정 논리 연산을 수행하며, 논리 입력이 전제된 논리 ...2025.01.09
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MOSFET 실험 3-Single Stage Amplifier 2_예비레포트2025.01.121. Common Drain 회로 Common Drain 회로는 입력 신호가 Gate에 인가되고 Source에서 출력 신호가 나오도록 구성된다. Drain이 접지되어 입력과 출력에 공통 단자의 역할을 하므로 Common Drain 증폭기라 한다. DC Analysis를 통해 Gain을 얻을 수 있고 이를 T-Model 해석에 이용하면 Gain은 약 1이 된다. 따라서 Common Drian 회로는 Gain이 1인 비반전 회로가 되며 Source follower라 부르기로 한다. Common Drain 회로는 Gain이 1이므로 입력...2025.01.12
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건국대 전기전자기초실험 7주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. R-C회로에서 커패시턴스 측정 커패시턴스는 축전기가 전하를 충전할 수 있는 능력으로 기호는 C를 사용하고 단위는 패럿이다. 커패시터를 직렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 감소하고, 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 증가한다. 2. R-L회로에서 인덕턴스 측정 인덕턴스(유도용량)는 인덕터가 자기장을 유도하는 능력으로 기호는 L을 사용하고 단위는 헨리[H]이다. 인덕터를 직렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 증가하고, 병렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 감소한다. 3. R-C회로와 R-L회로의 시정수 R-C 회로의 시정수는 RC이고, R-L...2025.01.15
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전기및디지털회로실험 실험3 결과보고서2025.01.121. 부울대수 부울대수의 기본 공리와 정리를 이해하고, 부울대수식을 논리회로로 표현하고 간단화하는 방법을 익혔다. 드모르강의 정리를 이해하고 부울대수에 활용하는 방법을 익혔다. 2. 논리조합 논리조합의 기초를 익히고, 논리게이트의 대체기호 및 그 의미를 숙지했다. 서로 다른 게이트간의 치환방법을 익히고 이를 통해 기본 게이트들 간의 상관관계를 숙지했다. 3. 논리회로 단순화 복잡해보이는 논리회로를 부울대수와 논리조합의 간단화를 통해 단순화시킬 수 있음을 알게 되었다. 이를 통해 회로를 파악하기 용이하고, 필요없는 부품과 결선을 줄여...2025.01.12
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부울대수와 논리조합 실험 결과 보고서2024.12.311. 부울대수 부울대수의 기본 공리와 정리를 이해하고 논리회로로 표현하여 간단화하는 방법을 익혔습니다. 드모르강의 정리를 이해하고 부울대수에 활용하는 방법을 숙달했습니다. 2. 논리조합 논리조합의 기초를 익히고 대체기호 및 그 의미를 숙지하여 게이트간의 치환을 가능하게 했습니다. 기본 게이트들 간의 상관관계를 이해하고 숙지했습니다. 3. 논리회로 간단화 부울대수로 나타내고 부울대수조작을 통해 간단화한 후 다시 회로로 나타내어 논리회로를 간단화할 수 있었습니다. 게이트를 간단화하면 이론값에 맞게 동작하는 것을 확인했습니다. 1. 부울...2024.12.31
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숫자표시기와 응용 실험 결과 보고서2024.12.311. 7-세그먼트 표시기 7-세그먼트 표시기(7-segment display)의 구성원리를 이해하고 이를 구동하는 방법을 실습했습니다. 디코더를 이용하여 BCD 코드를 활용하고 여러 가지 디코더를 활용한 설계를 진행하여 숫자표시기-디코더 조합의 사용법을 익혔습니다. 2. BCD 디코더 7447 BCD 디코더를 사용하여 BCD 코드를 7-세그먼트 표시기에 올바르게 표시하는 것을 확인했습니다. 이진 코드를 DCBA로 받아들이는 디코더의 특성을 이해하고, 이를 고려하여 회로를 설계했습니다. 3. 회로 설계 및 문제 해결 실험 과정에서 발...2024.12.31
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반도체 소자 및 설계 - 62025.05.101. FET(NMOS, PMOS) 공정 FET(NMOS, PMOS) 공정에 대해 설명합니다. FET(NMOS, PMOS)의 기호와 동작 원리, 특히 NMOS와 PMOS의 차단 모드, 선형 모드, 포화 모드에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 래치업 효과 CMOS 기술에서 내재된 바이폴라 접합 트랜지스터로 인해 발생할 수 있는 래치업 효과에 대해 설명합니다. 래치업 효과는 Vdd와 GND 라인을 단락시켜 칩을 파괴하거나 시스템 오류를 일으킬 수 있습니다. 3. 래치업 효과 해결 방법 래치업 효과를 해결하기 위한 방법으로 산화물 트...2025.05.10
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논리식 최소항 표현, 진리표 작성 및 간소화2025.01.041. 부울대수 부울대수는 영국의 수학자 George Boole이 1854년 제시한 용어로, 기호에 따라 논리함수를 나타내는 수학적 방법이다. 이후 미국의 수학자 Claude E. Shannon이 부울대수를 이용해 스위칭 회로에 응용할 수 있다는 사실을 밝혔고, 이에 따라 부울대수를 스위칭 대수로 부르기도 한다. 부울대수는 AND, OR, NOT 등의 논리적 연산으로 정의되는 수학적 학설로, 디지털 논리 시스템에서 회로 연구와 분석에 필요한 논리수학이다. 2. 논리식 변환 주어진 논리식 은 곱의 합형인 SOP(Sum of Produc...2025.01.04
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전기회로설계실습 예비보고서22025.05.151. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항을 측정하기 위해 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 회로를 설계하였다. DMM을 병렬로 연결하여 Pushbutton을 누르면 건전지의 내부저항을 측정할 수 있다. 이론적으로는 0Ω에 가까운 매우 작은 값이 측정될 것으로 예상된다. 2. DC Power Supply의 출력 특성 DC Power Supply의 출력 전압과 전류를 조절하여 부하 저항에 인가하는 실험을 수행하였다. 출력 전압을 1V, 최대 출력 전류를 10mA로 조정하고 10Ω 저항을 연결하면 100mA의 전류가 흐르...2025.05.15
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