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쿨롱의 법칙 실험2025.01.141. 전기력 실험을 통해 전기력이 전극의 면적에 비례하고 전극 사이의 거리에 반비례하며, 인가 전압의 제곱에 비례하는 것을 확인하였다. 이는 쿨롱의 법칙으로 설명할 수 있다. 2. 쿨롱의 법칙 쿨롱의 법칙은 두 대전체 사이에 작용하는 전기력이 전하량의 곱에 비례하고 거리의 제곱에 반비례한다는 것을 나타낸다. 이번 실험을 통해 쿨롱의 법칙을 정량적으로 확인할 수 있었다. 3. 전극의 면적 전극의 면적이 클수록 전기력이 크게 나타났다. 이는 전기력이 전극의 면적에 비례한다는 것을 보여준다. 4. 전극 사이의 거리 전극 사이의 거리가 멀...2025.01.14
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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RC,RL회로 시정수 & RLC 직렬회로 과도특성 예비보고서2025.01.121. RC 회로 RC 회로에서는 무전압 상태의 고유응답 특성과 직류전압을 인가할 경우의 강제응답 특성을 시정수를 이용하여 분석한다. 고유응답은 무전원 상태에서 커패시터에 충전된 전압에 의해 나타나는 응답이며, 강제응답은 인가전원에 의해 정상적으로 나타나는 응답이다. 고유응답과 강제응답을 합하면 완전응답을 구할 수 있다. RC 회로의 시정수는 R과 C의 곱으로 계산할 수 있다. 2. RL 회로 RL 회로에서도 RC 회로와 마찬가지로 무전압 상태의 고유응답 특성과 직류전압을 인가할 경우의 강제응답 특성을 분석한다. 고유응답은 무전원 상...2025.01.12
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A+ / 전자공학실험 레포트/ pn접합 다이오드2025.05.131. 다이오드 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변하는 비선형 소자이다. 다이오드의 기호는 그림1-1과 같이 나타낼 수 있다. 이상적인 다이오드의 경우 그림 1-3과 같이 두 가지 동작 영역으로 나뉘며, 순방향 바이어스의 경우 저항이 0, 역방향 바이어스의 경우 저항이 무한대이다. 하지만 실제 PN접합 다이오드는 그림 1-4와 같은 전류-전압 특성을 지닌다. 2. 순방향 바이어스 다이오드의 음극보다 양극의 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양단 사이의 전압 강하는 없으며 양극에서...2025.05.13
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험5_결과보고서_3배전압곱셉기,MC34063A승압강압회로2025.05.101. 3배 전압 곱셉기 세배 전압 곱셈기에서 첫 번째 정반파가 인가될 때(파랑), C3커패시터에 Vm 만큼 충전이 된다. 그 다음 부 반파가 인가될 때(보라)는 인가전압 Vm과 C3 커패시터에 충전되어있던 Vm이 합쳐져 2Vm의 전압이 C4를 거치며 2Vm만큼 전압을 충전하게 된다. 그리고 두 번째 주기의 정 반파가 인가될 때(빨강), C4 의 2Vm과 인가전압 Vm의 합 3Vm이 C3커패시터에서 –Vm만큼 전압강하가 되어 C5 커패시터에는 2Vm이 충전되게 된다. 따라서 A노드와 B노드의 전위 차를 비교하게 되면 3Vm이 나타남을...2025.05.10
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 베이스 전류가 일정하게 고정되는 특징을 가지고 있습니다. 하지만 컬렉터 전류값이 β값에 의존성이 크고 베이스 저항으로 값이 정해지므로 보통 스위칭 회로로써 사용됩니다. 2. 이미터 귀환 바이어스 회로 이미터 귀환 바이어스 회로는 베이스 바이어스 회로에 이미터 저항을 추가하여 안정도를 높인 회로입니다. 컬렉터 전류값에 이미터저항의 값이 크면 클수록 β값을 무시할 수 있다는 특징이 있습니다. 3. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 컬렉터의 전류값이 컬렉터 저항에 의...2025.05.11
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[고려대학교 보건환경융합과학부 방사선안전분석] Lab 1 Plotting a GM Plateau2025.01.131. GM 튜브의 작동 원리 GM 튜브의 작동 원리를 설명하고 있습니다. 입사한 방사선이 내부에 충전된 가스 혼합물과 상호작용하면서 전자와 양이온으로 분리되고, 전자와 양이온은 양극과 음극의 전기장에 의해 수집됩니다. 이 때 quenching 가스를 넣어 양이온이 음극에 가서 또 다른 전자 avalanche를 일으키는 것을 방지합니다. 전자는 이동하면서 에너지를 얻고 가스 원자와 충돌하면 더 많은 원자를 이온화시켜 전자 avalanche를 일으키며, 이러한 avalanche는 전기 펄스를 생성하고 GM 튜브는 이를 측정하는 장치입니...2025.01.13
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[A+] 중첩의 원리 실험레포트2025.05.161. 중첩의 정리 중첩의 정리는 여러 개의 독립 전원이 있는 선형 회로(선형소자를 사용한 회로)에서 임의의 소자나 회로에 흐르는 전류나 전압은 독립 전원이 각각 인가되었을 때의 전류나 전압의 합과 같다는 것을 의미합니다. 이를 이용하면 복잡한 회로를 쉽게 해석할 수 있습니다. 2. 회로 해석 중첩의 정리를 회로 해석에 적용할 때는 동작하지 않는 전압원은 공급 전압이 0이 되도록 단락되었다고 가정하고, 동작하지 않는 전류원은 공급 전류가 0이 되도록 개방되었다고 가정해야 합니다. 이를 통해 각 전원이 인가되었을 때의 전류와 전압을 구...2025.05.16
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기초전자실험 4장_반파 및 전파 정류_결과레포트2025.04.301. 반파 정류 반파 정류 회로의 출력 직류 전압을 계산하고 측정하였다. 반파 정류 회로에서 다이오드 양단에 걸리는 최대 전압은 인가된 정현파 신호의 피크 값과 동일하다. 반파 정류 신호의 직류 값은 피크 값 Vm의 31.8%이다. 실험 결과 이론값과 측정값이 약 13% 차이가 났다. 2. 전파 정류 전파 정류 회로의 출력 직류 전압을 계산하고 측정하였다. 전파 정류 신호의 직류 값은 피크 값 Vm의 63.6%이다. 브리지 방식 전파 정류 회로와 중앙-탭 변압기 구조의 전파 정류 회로를 구성하여 실험하였다. 실험 결과 이론값과 측정...2025.04.30
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실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서2025.04.281. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있습니다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있습니다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하였습니다. 2. NMOS와 PMOS의 문턱 전압 차이 NMOS의 ...2025.04.28
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