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포토리소그래피와 식각 공정을 이용한 미세 패턴 형성2025.11.171. 포토리소그래피(Photolithography) 웨이퍼에 감광제(Photoresist)를 코팅하고 UV 빛을 조사하여 패턴을 형성하는 공정입니다. 본 실험에서는 양성 감광제 AZ1512를 사용하여 클리닝, PR 도핑, 소프트 베이킹, UV 노광, 현상, 하드 베이킹 단계를 거쳤습니다. 양성 감광제는 빛을 받은 부분의 폴리머 분자간 결합이 약해져 현상액에 의해 제거되므로 노광된 부분이 마스크와 동일한 패턴으로 형성됩니다. 해상도는 Rayleigh 관계식에 의해 결정되며, 파장이 짧고 개구수(NA)가 클수록 미세한 패턴을 만들 수 ...2025.11.17
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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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PN 접합 제조 공정 기술 요약2025.11.181. 열산화(Thermal Oxidation) 열산화는 웨이퍼 표면에 산화층을 형성하는 공정으로, 마스킹, 소자 격리, 게이트 산화막 형성, 표면 패시베이션 등의 목적으로 사용됩니다. 습식 산화는 두꺼운 산화층 형성에 사용되고, 건식 산화는 높은 밀도의 산화층 형성에 사용됩니다. 2. 확산(Diffusion) 확산은 실리콘에 불순물을 도입하는 방법으로, 도펀트 원자가 열 공정을 통해 실리콘으로 이동합니다. 치환 확산과 간질 확산 두 가지 메커니즘이 있으며, 이 기술을 통해 PN 접합을 형성할 수 있습니다. 3. 이온 주입(Ion I...2025.11.18
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PDMS를 이용한 Micro pyramid 제작2025.05.121. 포토 공정 포토 공정은 PR이 도포된 웨이퍼 위에 포토마스크를 통과한 광원을 쬐어줌으로써 원하는 패턴을 만들어 내는 작업이다. Exposure 과정은 빛을 이용해 웨이퍼에 회로를 그려넣는 노광을 말하며, Develop 과정에서 빛을 쬐어 변성된 PR을 제거해줌으로써 원하는 패턴을 가진 과자틀이 만들어지게 된다. Positive PR은 노광되지 않은 영역을 남기고, Negative PR은 노광된 영역만 남겨 사용한다. 2. 식각 공정 Wet etching은 etchant를 이용해 식각하며 화학적 반응을 이용한다. 등방성 식각은 ...2025.05.12
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포토리소그래피와 식각 공정을 이용한 미세패턴 제작2025.11.171. 포토리소그래피(Photolithography) 빛을 이용한 기판 인쇄를 통해 회로 패턴을 제조하는 방법입니다. 감광성 화학물질인 PR(Photo Resist)을 웨이퍼에 코팅한 후 마스크를 통해 빛을 조사하여 원하는 패턴을 새깁니다. Vapor prime, PR coating, soft bake, exposure, develop, hard bake의 단계를 거쳐 진행되며, positive PR과 negative PR의 두 가지 종류가 있습니다. Positive PR은 빛을 받은 부분이 제거되고, negative PR은 빛을 받...2025.11.17
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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반도체 8대 공정(전공정, 후공정)의 이해2025.01.021. 반도체 제조 공정 반도체 제조 과정은 약 700~800개의 단위 공정을 거치며, 주요 공정으로 노광, 증착, 식각, 세정, 공정제어, 패키징 등 8대 공정이 있다. 노광 공정에서는 감광제를 이용해 회로를 그리고, 증착 공정에서는 박막을 쌓아 올리며, 식각 공정에서는 불필요한 부분을 제거한다. 세정 공정은 오염물을 제거하고, 공정제어는 공정 변수를 조절하여 원하는 상태를 유지한다. 마지막으로 패키징 공정에서는 반도체 칩을 보호하고 전기적 특성을 검사한다. 2. 반도체 장비 및 소재 반도체 제조에는 다양한 장비와 소재가 사용된다....2025.01.02
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Photolithography 예비보고서2025.05.051. 반도체 기본 개념 반도체는 상온에서 전기 전도도가 도체와 부도체 사이인 물질을 말한다. 반도체를 통해 다이오드, 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리와 같은 소자를 만들 수 있게 되었으며 현대 산업의 핵심 물질로 각광받고 있다. 반도체의 종류로는 intrinsic semiconductor(진성반도체)와 extrinsic semiconductor(외인성반도체)가 있으며 extrinsic semiconductor에는 Negative Type과 Positive Type이 있다. 2. 전자 이동도 전기장이 외부에서 가해지면 자유 전자...2025.05.05
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Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10
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