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숭실대학교 신소재공학실험2 반도체 소자 전기적 특성 분석 결과보고서2025.01.211. 반도체 소자 전기적 특성 분석 이 보고서는 반도체 소자의 전기적 특성을 분석하기 위해 SEM, AFM, TEM, OM, Alpha step, Four-point probe 등의 분석 기법을 사용한 실험 결과를 다루고 있습니다. 실험을 통해 표면 morphology, 단면 두께, 소자 면적, 상부 전극 두께, 금속 막의 비저항 등을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과 분석에 따르면 불순물, 온도, 금속 막의 구조 등의 요인으로 인해 실험값과 이론값의 차이가 발생하였으며, 금속 막의 두께 감소에 따라 비저항이 증가하는 것을 확인하...2025.01.21
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숭실대학교 신소재골학실험2 Deposition 공정 및 소자 제작 평가 결과보고서2025.01.211. MIS 및 MIM 커패시터 소자 이번 실험에서는 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조와 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 커패시터 소자에 대해 이해하고, Evaporator와 Shadow mask를 활용하여 상부 전극을 증착하고 Probe station을 통해 전기적 특성을 평가하였습니다. MIS 구조에서는 p-Si 박막이, MIM 구조에서는 p++-Si 박막이 사용되었습니다. MIM 구조의 경우 절연체 역할을 하는 insulator로 인해 전하를 축적하고 유지하는 능력이 있...2025.01.21
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서2025.01.211. 반도체 8대 공정 반도체 제조 공정은 웨이퍼 공정, 산화 공정, 포토 리소그래피, 식각 공정, 박막 증착 공정, 금속 배선 공정, 전기적 특성 테스트, 패키징 등 8단계로 이루어진다. 각 공정에 대해 자세히 설명하고 있다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 습식 산화, 건식 산화, 라디칼 산화 등의 방식이 있다. 각 방식의 특징과 장단점을 설명하고 있다. 3. 포토 리소그래피 포토 리소그래피는 웨이퍼 표면에 감광액을 도포하고 마스크를 통해 회로 패턴을 노광, 현상하여 회로를 형성하는...2025.01.21
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인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석2025.01.091. MOS Capacitor 동작 원리 MOS Capacitor의 동작 원리를 이해하기 위해 Gate Material, Oxide Material, Semiconductor material 등에 대한 특성을 기술하였습니다. Gate Material로는 TiN을 선택하였고, Oxide Material로는 HfO2와 SiO2를 사용하였으며, Semiconductor material로는 p-type Si을 사용하였습니다. 각 material의 특성과 선택 이유를 자세히 설명하였습니다. 2. High-k 물질 도입에 대한 배경 Moore...2025.01.09
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[A+] 단국대 고분자공학실험및설계2 <포토리소그래피> 레포트2025.01.221. 포토리소그래피 포토리소그래피(Photolithography)는 원하는 회로설계를 유리판 위에 금속패턴으로 만들어 놓은 포토마스크라는 원판에 빛을 조사하여 생기는 패턴을 웨이퍼 상에 전사시켜 복사하는 기술이며, 반도체 및 디스플레이의 제조 공정에서 설계된 패턴을 웨이퍼 상에 형성하는 가장 중요한 공정이다. 포토리소그래피 공정은 측정을 포함하여 기본 8단계로 이루어진다. 2. 포토레지스트 포토레지스트(PR)는 빛에 반응해 특성이 변하는 화학물질로, 디스플레이에서는 TFT에 미세한 회로를 형성하는 포토리소그래피 공정에 사용된다. 포...2025.01.22
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전자기적특성평가_면저항 결과보고서2025.01.081. 박막 박막은 반도체 제조 공정에서 중요한 재료 중 하나이며, 두께가 나노미터에서 마이크로미터 범위의 얇은 막을 의미한다. 박막의 특성을 확인할 때 면저항은 가장 적합한 특성평가 방법이다. 실험을 통해 박막의 종류와 전기전도율, 비저항, 면저항의 이론을 이해하고 면저항과 비저항의 차이를 알아볼 수 있다. 2. ITO ITO(Indium Tin Oxide)는 산화인듐과 산화주석의 혼합물로 구성된 투명하고 전도성 있는 박막이다. ITO는 우수한 전기 전도성과 투명성으로 인해 다양한 전자기기와 광전자 응용 분야에 널리 사용되지만, 인...2025.01.08
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중앙대학교 고체재료실험 금속 미세조직 검사(Tensile Test) 예비 레포트2025.05.091. 동소체 동소체는 같은 종류의 원소로 구성되어 있지만 분자식이나 구조가 다른 물질을 말한다. 즉, 원자 번호는 같지만 중성자수가 다른 홑원소 물질을 동소체라고 한다. 이들은 같은 화학 조성을 가지지만 원자의 배열 상태나 결합 양식이 다르다. 탄소, 인, 황 등의 동소체 예시가 제시되어 있다. 2. 부식액의 역할 부식액은 금속의 표면을 화학적 방법 또는 전기분해적 방법으로 차별침식시켜 세밀한 금속조직을 나타내는 데 사용되는 도구이다. 부식액을 사용하면 효율적으로 세밀한 금속 조직을 관찰할 수 있다. 3. 광학현미경의 원리 광학현미...2025.05.09
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아보가드로수의 결정 예비레포트2025.01.091. 원자량과 분자량 원자량은 특정 원자의 평균 무게를 통일 원자 질량 단위에 대한 상대적인 비율로 나타낸 것이다. 분자량은 여러 원자로 이루어진 분자의 상대적인 질량을 나타낸다. 원자량과 분자량은 원자나 분자 1개의 질량을 나타내지만 단위가 없기 때문에 불편하다. 원자량과 분자량에 g을 붙이면 일정한 수의 원자와 분자를 포함하게 된다. 2. 아보가드로 수 아보가드로 수란 질량수가 12인 탄소 12g에 들어 있는 탄소 원자의 수를 말하며, 아보가드로 수만큼에 해당하는 원자나 분자를 1몰(mole)이라고 한다. 아보가드로 상수는 약 ...2025.01.09
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AMOLED 소자 및 공정실험 캡스톤 디자인2025.05.121. 진공의 기본적 이론 진공이란 물질이 전혀 존재하지 않는 공간을 의미하지만, 실제로는 이렇게 만들기가 어렵기 때문에 1/1000㎜Hg 정도 이하의 저압을 가리킨다. 진공단위에서는 토르(Torr)가 많이 쓰인다. 진공의 필요성으로는 극 청정의 환경제공, 압력차에 의한 힘의 발생, 입자의 장거리 이동가능, 안정된 플라즈마 유지, 증발 및 승화작용, 생화학 반응 억제, 단열효과 등이 있다. 2. OLED 구조 OLED (Organic Light Emitting Diode)는 양극과 음극 사이에 기능성 박막 형태의 유기물층이 삽입된 구...2025.05.12
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