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금속조직학 및 미세조직 관찰2025.01.151. 마운팅 마운팅은 시편의 가장자리 및 표면을 보호하고, 다공성 재질의 기공을 채우며, 시편을 다루기 쉬운 일정한 크기로 만드는 과정이다. 핫마운팅과 콜드마운팅 두 가지 방법이 있으며, 시편 표면의 그리스 및 이물질을 제거하여 시편과 수지 사이의 접착력을 최상의 조건으로 유지시켜야 한다. 2. 그라인딩 & 폴리싱 그라인딩은 절단작업에서 발생된 손상을 제거하기 위한 중요한 시편 준비 작업으로, 웨트 그라인딩을 이용하여 열 발생을 최소화하고 페이퍼의 수명을 연장한다. 폴리싱은 고반사도, 스크래치 제거, 시편의 편평도를 유지하기 위해 ...2025.01.15
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건국대 전기전자기초실험 7주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. R-C회로에서 커패시턴스 측정 커패시턴스는 축전기가 전하를 충전할 수 있는 능력으로 기호는 C를 사용하고 단위는 패럿이다. 커패시터를 직렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 감소하고, 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 증가한다. 2. R-L회로에서 인덕턴스 측정 인덕턴스(유도용량)는 인덕터가 자기장을 유도하는 능력으로 기호는 L을 사용하고 단위는 헨리[H]이다. 인덕터를 직렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 증가하고, 병렬로 연결하면 전체 인덕턴스가 감소한다. 3. R-C회로와 R-L회로의 시정수 R-C 회로의 시정수는 RC이고, R-L...2025.01.15
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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2023_아주대_기계공학기초실험_랩뷰 실습1_만점 결과보고서2025.01.221. LabView 실습 이번 실험에서는 Labview 프로그램을 이용하여 컴퓨터를 이용한 Sine 함수에 대한 계측을 진행해보고, 오실로스코프에서 관측한 값과 비교해보며 계측이 올바르게 이루어졌는지 확인하였다. 실습을 통해 난수 생성, Sine 함수와 난수 생성, Sine 함수와 노이즈를 가진 Sine 함수 프로그래밍, DAQ AO를 사용한 아날로그 입출력 실습을 진행하였다. 각 실습에서 예상한 그래프의 개형이 관찰되었으며, 주파수와 진폭의 변화에 따른 그래프의 변화를 확인할 수 있었다. 2. 데이터 수집 및 분석 이번 실험에서는...2025.01.22
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[예비보고서] 7.논리함수와 게이트2025.04.251. XNOR 게이트 설계 및 특성 분석 XNOR 게이트는 두 입력이 모두 0이거나 모두 1일 때, 즉 서로 같을 때 1이 출력된다. 논리연산을 이용하여 생각하면 출력 X = AB+A'B'이며, 진리표와 게이트를 설계한 회로도는 다음과 같다. 2. AND 게이트와 OR 게이트의 입출력 시간 딜레이 측정 Low와 High, Vcc를 0V, 5V, 5V로 설정한다. 논리 게이트의 두 입력 단자 중에서 하나는 Low 또는 High로 Fixed 시키고, 나머지 단자에 Function Generator로 적당한 주기의 구형파를 인가한다. 오...2025.04.25
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체분석 시험 결과레포트2025.05.101. 체분석 체분석은 체로 거를 수 있는 최소 크기 약 0.075mm 지름을 가지는 입자보다 큰 경우에 실시한다. 간단히 말하면 점차 더 작은 체 눈을 갖는 한 세트의 체를 사용하여 흙 시료를 흔들고 남아있는 흙의 무게를 이용하여 통과율을 구함으로써 그 흙의 입경과 분포를 알 수 있다. 이렇게 결정된 비율은 어느 체에 남아있는 흙의 입경보다 더 가는 입경의 흙 전체에 대한 중량 백분율이 된다. 2. 유효입경 입도분포곡선에서 통과중량백분율 10%에 대응하는 입경을 유효입경이라고 하고 D_10 으로 표시한다. 3. 균등계수(C_u) 유...2025.05.10
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 6_Common Emitter Amplifier 설계2025.01.111. Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계 설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계에서 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하고자 합니다. Early effect를 무시하고 이론부의 overall voltage gain 식을 이용하여 부하저항에 최대전력이 전달되도록 부하저항을 결정하고, 이를 바탕으로 필요한 저항 값들을 계산합니다. 또한 PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형을 분석하고 증폭기의 특성을 확인합니다. 2. ...2025.01.11
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건축공학과 건축재료실험 레포트 2. 잔골재시험 (A+)2025.01.241. 잔골재의 체가름 시험 잔골재의 체가름 시험은 골재의 입도를 조사하기 위하여 행한다. 골재의 입도는 체통과율, 잔유율 등으로 표시되는데, 일반적으로 골재의 크기는 체통과율에 따라 구분되며, 골재의 입도 분포 및 최대치수를 조사함으로써 콘크리트에 사용하는 골재로 적합한지 판정할 수 있다. 골재의 입도 분포 및 최대치수에 따라 콘크리트 배합설계를 실시할 때 자료로 이용된다. 2. 잔골재의 단위용적중량 및 공극율 구하기 잔골재의 단위용적중량 및 공극율 구하기 시험은 콘크리트의 제조 및 배합설계에 따른 배합의 결정, 골재의 구입과 검사...2025.01.24
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ZrO2의 소결밀도에 미치는 첨가물 영향2025.05.141. ZrO2의 소결밀도 ZrO2는 희귀한 금속이지만 핵분열 과정에서 생성되는 중성자를 흡수하지 않아 핵연료 저장용기 제조에 사용된다. 소결은 분체 입자 간 결합이 일어나 응고하는 현상으로, 이 실험에서는 ZrO2에 Y2O3를 첨가하여 첨가 전후 밀도 차이를 알아보고자 하였다. 실험 결과, 첨가물 농도에 따른 소결밀도 변화 경향이 뚜렷하지 않았으며, 이는 시료 혼합, 성형, 소결 과정에서의 오차 때문인 것으로 분석되었다. 2. ZrO2의 결정구조 ZrO2는 2300°C 이상에서 8배위 형석구조를 가지는 입방 산화지르콘으로 재배열된다...2025.05.14
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교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20
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