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[A+보고서] Floyd 회로이론실험 결과레포트_ 9. 병렬회로2025.05.131. 병렬회로 실험 결과를 통해 병렬회로의 특징을 알 수 있었다. 병렬회로에서 저항이 더해지면 합성저항값이 감소하고, 모든 저항소자에 같은 전압이 걸린다. 또한 키르히호프의 전류법칙이 성립하여 총 전류가 각 가지전류의 합과 같다는 것을 확인했다. 마지막으로 고장난 병렬회로에서 개방된 가지의 전류가 0A이 되어 총 전류가 감소하는 것을 관찰했다. 2. 합성저항 병렬회로에서 저항 R1, R2, ..., Rn을 병렬로 연결했을 때의 합성저항값은 1/Rc = 1/R1 + 1/R2 + ... + 1/Rn 으로 계산할 수 있다. 실험 결과에서...2025.05.13
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기초 회로 실험 제 11장 병렬회로의 전류(예비레포트)2025.01.211. 병렬 회로의 전류 실험을 통해 병렬 회로에서 총 전류가 병렬의 어느 한 전류의 크기보다 크고, 병렬의 총 전류는 병렬 내의 모든 전류의 합과 같다는 것을 입증하였다. 병렬 회로에서 각 가지의 전압은 동일하며, 옴의 법칙을 통해 개별 전류를 구할 수 있고 이를 합하면 전체 전류와 동일하다는 것을 확인하였다. 2. 병렬 회로의 구성 병렬 회로는 동일한 전압이 각 가지에 인가되며, 각 가지의 전류는 서로 독립적이다. 실험에서는 저항 R1, R2, R3로 구성된 병렬 회로를 구성하고, 각 가지의 전류를 측정하여 총 전류와 비교하였다....2025.01.21
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기초전자실험 - 24장 전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터로, 유니폴라 소자이며 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하여 전류량이 0A가 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상...2025.04.30
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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전기회로실험 A+ 4주차 결과보고서(병렬회로의 전류)2025.05.071. 병렬회로의 전류 실험을 통해 측정한 값을 통해 계산한 결과, 가지 전류의 합은 전체 회로의 전류값과 일치함을 알 수 있다. 따라서 병렬회로의 총 전류는 임의의 한 가지에 흐르는 전류보다 크다는 사실을 알 수 있다. 저항기는 저항기 자체의 허용오차를 가지고 있기 때문에 저항기의 정확한 저항값을 얻기 위해 저항값을 직접 측정하는 것이 중요하다. 병렬 연결된 저항기의 개수가 증가하면 전체 전류값이 증가하고, 각 저항기의 저항값이 증가하면 전체 전류값이 감소한다. 가지 전류의 총 합은 전체 전류값과 같다. 2. 병렬회로의 저항 병렬 ...2025.05.07
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양극성 접합 트랜지스터(BJT)의 특성 및 제어2025.11.181. 역포화 전류(Reverse Saturation Current) 역포화 전류 I0는 pn 접합에서 전자와 정공이 이동할 때 발생하는 매우 작은 값입니다. 소수 캐리어의 농도를 증가시키면 I0가 증가하며, 이는 접합 주변의 전자-정공 쌍(EHP) 생성률이 I0를 결정하기 때문입니다. 밴드갭보다 큰 에너지의 빛을 주입하거나 소수 캐리어를 도입하여 I0를 증가시킬 수 있습니다. 2. 컬렉터 전류(Collector Current) 제어 p-n-p 트랜지스터에서 VEB에 순방향 바이어스를 적용하고 VCB에 역방향 바이어스를 적용하면 에미...2025.11.18
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_9 병렬회로(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 병렬회로 병렬회로란 전류가 흐르는 통로가 둘 이상인 회로이다. 즉, 평행한 두 선 사이에 하나의 전압 원과 여러 개의 회로 소자들이 연결된 회로이다. 병렬회로에서 전압은 각 회로 소자에 같게 인가된다. 이때 전류가 흐르는 길은 가지(branch)라고 부르는데, 이 가지에 흐르는 전류는 그 가지의 저항과 전압 원에 의해서만 결정된다. 병렬회로에서는 많은 가지들이 병렬회로에 연결되면 합성 저항값은 작아진다. 병렬 가지가 늘어가면서 전류가 흐르도록 새로운 통로가 생긴다. 따라서 컨덕턴스는 증가하게 되고, 회로에 흐르는 총 전류가 더...2025.05.13
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전자공학응용실험 ch17 능동부하가 있는 공통 소오스 증폭기 예비레포트2025.05.031. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 전류 전원 및 전류 미러 집적 회로 설계의 바이어싱은 일정한 전류 전원을 이용한다. 전류 미러는 바이어싱에 사용될 뿐만 아니라, 때때로 전류 증폭기로도 쓰인다. 전류 전원과 전류 미러는 유한한 ...2025.05.03
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충북대 A+ 옴의 법칙 일반물리학및실험, 맛보기물리학및실험2025.01.171. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전류(I)가 전압(V)에 비례하고 저항(R)에 반비례한다는 것을 나타내는 법칙입니다. 이 실험에서는 옴의 법칙을 확인하기 위해 다양한 저항값을 사용하여 전류-전압 그래프를 그리고, 선형 분석을 통해 저항값을 계산하였습니다. 디지털 멀티미터로 측정한 저항값과 비교하여 선형 분석 방법의 정확성을 확인하였습니다. 2. 전류, 전압, 저항의 관계 전류는 전하의 흐름을 나타내고, 전압은 전기 회로에서 전류를 흐르게 하는 능력을 나타냅니다. 저항은 전류 흐름을 방해하는 정도를 나타냅니다. 옴의 법칙에 따르면 전압(...2025.01.17
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