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AMOLED Tooling Process & 막 두께 측정 report (A+)2025.05.121. 진공 (Vacuum) 진공은 밀폐된 공간에서 주변의 압력보다 낮은 압력으로 유지되는 상태를 말한다. 진공 조건의 장점으로는 깨끗한 환경 조성, 낮은 분자 밀도, 분자 간 충돌 거리 확장, 반응 속도 가속화, 힘 가하기 등이 있다. 이번 실험에서 사용한 진공 챔버의 진공 범위는 10^-6 ~ 10^-7 Torr 정도이다. 2. Compressibility factor Compressibility factor는 실제 기체의 상태 방정식을 나타내는 계수로, 압력, 기체 밀도, 기체 상수, 몰질량, 절대온도 등의 관계를 나타낸다. 이...2025.05.12
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금오공대 신소재 박막공학 기말고사 범위 정리2025.01.271. 진공 기초 및 진공 시스템 진공은 기체 분자의 밀도가 대기압보다 낮은 상태를 의미한다. 진공 펌프는 러핑 펌프와 고진공 펌프로 구분되며, 러핑 펌프는 건식 메커니컬 펌프와 송풍기/부스터 펌프로 나뉜다. 고진공 펌프에는 터보분자펌프와 크라이오펌프가 있다. 터보펌프는 기계적 압축 원리로 작동하며, 크라이오펌프는 고진공과 최고진공 범위에서 펌핑 작용을 할 수 있다. 2. 화학 기상 증착법(CVD) 화학 기상 증착법은 가스 혼합물의 화학적 반응을 통해 기판 위에 고체 박막을 증착하는 공정이다. 균질 반응과 비균질 반응으로 구분되며, ...2025.01.27
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리소그라피 장비 종류 및 구동 방법2025.01.061. 리소그라피 리소그라피는 반도체 또는 TFT 제작 공정에서 감광제(PR)을 이용하여 증착된 막에 일정한 Pattern을 형성하는 공정으로, 증착과 세정 이후의 PR도포, 노광(Exposure), 현상(Develop)까지의 공정을 포함한다. 추가로 식각(Etching)과 PR 박리까지 포함하는 경우도 있다. 일반적으로 a-Si의 경우 5 mask 공정이므로, 5번의 Photo 공정을 수행하게 된다. 2. 리소그라피 장비 종류 리소그라피 장비에는 접촉형(Contact type), 근접형(Proximity type), 프로젝션형(Pr...2025.01.06
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
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스퍼터링(Sputtering) 이론레포트2025.05.081. 스퍼터링 기법의 장점 스퍼터링 기법은 CVD 기법에 비해 저온 증착이 가능하며, 열에 약한 물질이나 고융점 물질에도 쉽게 박막을 형성할 수 있다. 또한 넓은 면적에서 균일한 두께의 박막 증착이 가능하고, 박막 두께 조절이 쉬우며 성분 조절이 용이하다. 하향 증착과 수평 방향 증착이 가능하고, 진공 증착 기법에 비해 박막의 순도가 높다. 2. 스퍼터링 기법의 단점 스퍼터링 기법의 단점은 증착 속도가 다소 느리고, Ar 이온이 타겟 표면과 화학 반응을 하여 화합물 층을 형성할 수 있어 증착 속도에 영향을 줄 수 있다. 또한 고전압...2025.05.08
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Film growth (반도체)2025.05.081. Epitaxy Epitaxy는 epi(위에) + taxis(배열)의 합성어로, 결정성 기판 위에 단결정 박막을 성장시키는 기술을 의미한다. 호모에피택시는 동일한 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용하며, 헤테로에피택시는 서로 다른 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용한다. 에피택시 성장에서는 격자 불일치로 인한 응력 완화와 임계 두께 등의 개념이 중요하다. 2. Molecular Beam Epitaxy (MBE) MBE는 초고진공 환경에서 분자 빔을 이용하여 반도체 박막을 에피택시 성장시키는 기술이다. MBE는 낮은 성장 속도, ...2025.05.08