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과학 ) 반도체 공정 관련 최근 기술 동향 보고서 - 파운드리 산업의 기술 동향 및 현황과 전망-인공지능 반도체를 중심으로2025.01.231. 인공지능 반도체의 기술 동향 인공지능 반도체는 사용 목적에 따라 학습용과 추론용으로 구분할 수 있다. 학습용은 대규모 데이터를 통해 지식을 습득하며, 추론용은 학습된 데이터를 바탕으로 적합한 결과를 도출한다. 또, 서비스 플랫폼에 따라 데이터센터 서버용 반도체(클라우드·서버 등)와 엣지 컴퓨팅용(모바일·자율주행 등)으로 구분할 수 있다. 데이터센터 서버용은 병렬연산 처리와 전력 효율성이 중요시하고 있으며, 엣지 컴퓨팅용은 연산속도, 낮은 전력의 사용, 경량화와 비용 효율성을 중요시하고 있다. 2. 국내외 인공지능 반도체 관련 ...2025.01.23
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방송통신대학교 컴퓨터의 이해 중간과제물2025.01.261. 정보사회와 3차 산업혁명 20세기에 생겨난 반도체 기술과 통신 테크놀로지는 인류 역사상 산업 그리고 사회를 가장 크게 변화시킨 정보혁명이라고 불리는 용어를 탄생시킨다. 0과 1이라는 디지털을 기반으로 하는 정보혁명은 사회 각 분야를 크게 발전시키며 정보화 사회라는 용어가 생겨났다. 4차 산업혁명은 3차 산업혁명을 기반으로 하며 디지털 기술, 인공지능, 빅데이터 등의 혁신적인 기술이 융합되어 산업 전반에 혁명적인 변화를 가져온 시대적 혁명을 가리킨다. 2. 컴퓨터와 통신의 발전 컴퓨터 통신회선의 발전으로 멀리 떨어져 있는 단말기...2025.01.26
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컴퓨터 주기억 장치의 종류와 특징, 그리고 NAND Flash Memory의 장단점2025.01.081. 컴퓨터 주기억 장치의 종류와 특징 컴퓨터 주기억 장치에는 SRAM, DRAM, NAND Flash Memory, NOR Flash Memory 등이 있습니다. SRAM은 높은 속도와 낮은 전력 소비를 가지고 있으며, DRAM은 대용량 메모리를 저렴하게 구성할 수 있습니다. NAND Flash Memory는 비휘발성 메모리로서 대용량 저장이 가능하고, NOR Flash Memory는 읽기 속도가 빠르고 안정적인 데이터 보호가 가능합니다. 각각의 주기억장치는 서로 다른 특징과 장단점을 가지고 있어, 사용자의 요구 사항에 따라 적절...2025.01.08
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반도체 메모리 구조 및 성능 비교 연구2025.12.201. MOS 캐패시터 단일 게이트 MOS 구조로 동작하는 메모리 소자입니다. 용량성 동작 원리를 기반으로 하며, 읽기/쓰기 속도는 나노초에서 마이크로초 범위이고, 전력 소비가 낮은 특징이 있습니다. 보유 시간은 마이크로초 수준으로 짧으며, 비휘발성이 아닙니다. 주로 아날로그 응용 분야에 사용됩니다. 2. DRAM 셀 1T-1C(1 트랜지스터-1 캐패시터) 구조로 구성된 메모리입니다. 전하 저장 및 리프레시 동작 원리를 사용하며, 읽기 속도는 약 10나노초, 쓰기 속도도 10나노초 수준입니다. 전력 소비는 중간 정도이고, 보유 시간은...2025.12.20
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동적 읽기/쓰기 메모리(DRWM) 설계 및 응용2025.12.201. DRWM(Dynamic Read-Write Memory) 구조 HRC-MOS 기반의 이중 절연막 부유 금속 커패시터 구조로 설계된 유사 비휘발성 메모리. 두꺼운 산화막은 쓰기 시 절연 역할을 하고 얇은 산화막은 읽기 접근을 제공한다. 저전압 Fowler-Nordheim 터널링을 통해 전하 주입 및 방출이 가능하며, DRAM과 Flash 메모리의 중간 영역을 연결하는 새로운 메모리 클래스를 제공한다. 2. DRWM 동작 원리 쓰기 동작은 ±5V 펄스로 얇은 산화막을 통한 터널링을 유도하여 부유 금속층에 전하를 주입한다. 읽기 동...2025.12.20
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DRWM 기반 Charge-Trap 비휘발성 메모리 확장 기술2025.12.201. DRWM(Dynamic Read-Write Memory) 구조 DRWM은 HfO₂/HZO/Al₂O₃ 절연층 스택과 금속 게이트로 구성된 메모리 셀이다. 등가회로는 캐패시터(C₁, C₂)와 누설 저항(R_leak), 트랩 저장용 저항(R_trap)으로 모델링된다. DRWM은 저전압 트랩 기반 전하 저장을 활용하여 DRAM의 빠른 속도와 Flash의 비휘발성을 결합한 새로운 개념의 메모리로 제안되었다. 2. 트랩 깊이(Et) 제어 및 데이터 보유 트랩 형성은 산소공공, 금속 도핑(La, Ti, Al), 결함층 삽입(Al₂O₃, S...2025.12.20
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256단 3D NVRAM 기술 제안: 트랩 기반 비휘발성 메모리2025.12.201. 3D NVRAM 기술 구조 256단 적층 구조의 (8T/8C)/Cell 기반 3D NVRAM 기술로, 8개 트랜지스터와 8개 커패시터로 구성되며 각 커패시터는 개별 Wordline으로 제어된다. 2.0 eV 깊이의 트랩을 갖는 HfO₂/Al₂O₃ 유전체를 사용하며, TSV 기반 BEOL 저온 공정(<400°C)으로 3D 집적된다. DRAM급 속도(5ns)와 Flash급 보존성(7일~수개월)을 결합한 하이브리드 특성을 갖는다. 2. 동작 원리 및 성능 제안된 NVRAM은 커패시터 전하(Q_C)와 트랩 전하(Q_T)를 합산하여 총...2025.12.20
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3D NVRAM 기술: (8T/8C)/Cell 구조 기반 256단 적층 비휘발성 메모리2025.12.201. 3D NVRAM 구조 및 셀 설계 본 발명은 8개의 트랜지스터(8T)와 8개의 커패시터(8C)로 구성된 (8T/8C)/Cell 구조를 기반으로 한다. 각 커패시터는 개별 워드라인으로 선택되어 병렬 접근성과 다중비트 저장을 가능하게 한다. 이 구조는 기존 1T1C 또는 1T1R 기반 메모리의 속도, 누설, 공정 호환성 한계를 극복하며, 특히 고층 적층(256단) 공정에서 누설 전류 및 신뢰성 문제를 해결한다. 2. 트랩층 기반 전하 저장 메커니즘 Et=2.0 eV 깊이의 트랩층을 포함한 HfO₂/Al₂O₃ 복합 유전체 스택을 사...2025.12.20
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물에 녹는 고성능 생분해성 유기 메모리소자 개발2025.12.201. 물리적 소멸형 전자소자(Physically Transient Electronics) 사용이 끝난 뒤 환경이나 체내 조건에서 일정 시간 내 스스로 분해·소실되는 전자소자. KIST 연구팀이 개발한 PCL-TEMPO 기반 메모리소자는 탈이온수에 상온에서 72시간 이내에 완전히 물리적으로 소멸하며, 전자폐기물 문제와 이식형 의료기기의 2차 수술 문제를 동시에 해결할 수 있는 혁신적인 기술이다. 2. PCL-TEMPO 라디칼 고분자 합성 및 특성 PCL(폴리카프로락톤) 주사슬에 TEMPO(2,2,6,6테트라메틸피페리딘1옥실) 라디칼을...2025.12.20
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1T-1C MOSCAP 메모리 기술 비교 분석2025.12.201. 1T-1C MOSCAP 메모리 구조 및 동작 원리 1T-1C MOSCAP은 Metal-SiO₂-Al₂O₃-SiOₓ-Al₂O₃-SiO₂-Si 구조로 설계되었으며, SiOₓ 층(x≈1.7)에서 전자를 트랩 형태로 저장한다. ±5V 이내의 전압으로 쓰기/삭제 동작이 가능하며 비휘발성 특성을 갖는다. 고속형은 1-8µs의 쓰기 시간을 제공하고, 보유시간형은 깊은 트랩(Et_eff≈2.2eV)을 활용하여 85°C에서 10년 이상의 데이터 보존을 보장한다. 2. DRAM 및 LPDDR 메모리 기술 DDR5는 트랜지스터와 커패시터로 구성된...2025.12.20
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