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문서 내 토픽

1. EUV 노광 장비

EUV 노광 장비의 경우 ASML이 독과점 진행 중이며, 차세대 EUV High NA 제품을 제공할 예정입니다. TSMC는 7nm 공정에 EUV Layer 3~5를 적용하고 있으며, 5nm 공정에는 8~12 Layer를 적용할 예정입니다. 삼성은 7nm 공정에 대량 생산을 시작했으며, 7nm 이상 Logic에 전면 적용할 예정입니다. 인텔은 2021년 7nm Logic 생산 시 EUV를 사용할 예정이라고 밝혔습니다.
2. EUV Photo Resist

EUV Photo Resist의 경우 ArF에서 EUV로 점차 증가할 것으로 판단됩니다. 2019년 기준 0에서 약 550억 규모로 증가할 것으로 예상되며, Global Total PR 규모는 약 1조 180억 수준입니다. 인프리아는 유기 아닌 무기 PR(산화금속: MOx)을 양산 시작했으며, 삼성, TSMC, 인텔, SK, JSR 등이 투자한 업체입니다.
3. EUV Pellicle 개발 현황

EUV Pellicle 시장 규모는 2024년 약 1조 1천억 원 수준으로 예상됩니다. ASML(Mitsui), IMEC, FST, 에스엔에스텍 등이 EUV Pellicle 개발을 진행 중이며, IMEC의 경우 90% 투과율과 Issue 사항이 개선되면 채택 가능성이 높아질 것으로 판단됩니다. TSMC는 자체적으로 개발을 진행 중이며, 7nm는 Wet Cleaning, 5nm는 Dry Cleaning, 3nm부터 Pellicle 적용을 예정하고 있습니다.
4. EUV Mask 기술 현황

EUV Mask 기술의 경우 Single Beam 관련 ArF 공정에서는 NuFlare 제품이 대부분 독점 사용되고 있으며, 연간 시장 규모는 15대, 연간 생산 가능 수량은 10~15대 수준입니다. Multi-Beam 관련해서는 DUVEUV 전환 시 수요가 증가할 것으로 예측되며, NuFlare와 JEOL이 개발을 진행 중입니다.
5. EUV Mask 검사 기술 현황

EUV Mask 검사 기술의 경우 Photo Mask Inspection Market에서 EUV 공정에 대한 투자 확대로 마스크 검사 장비 수요가 증가할 것으로 전망됩니다. 아시아-태평양 지역이 최대 규모를 차지하고 있으며, E-Beam 기술의 점유율이 상승할 것으로 예상됩니다. Lasertec이 EUV Mask 검사 장비 시장에서 독점 지위를 유지하고 있습니다.
6. Overlay 계측 기술 현황

Overlay 계측 기술의 경우 반도체 적층 Layer 증가와 미세 회로 Pattern 증가로 인해 Overlay 측정 수와 필요 장비 대수가 증가할 것으로 예상됩니다. 오로스테크놀로지는 타사 대비 성능과 검사 속도가 우수하며, 8인치 Overlay 장비를 공급하고 있습니다. 차세대 Overlay Metrology System 개발도 진행 중입니다.

Easy AI와 토픽 톺아보기

1. EUV 노광 장비

EUV 노광 장비는 반도체 공정에서 매우 중요한 역할을 합니다. 극자외선(EUV) 파장을 사용하여 더 작은 패턴을 구현할 수 있기 때문에 차세대 반도체 공정에 필수적입니다. 하지만 EUV 노광 장비 개발에는 많은 기술적 과제가 있습니다. 광원, 광학계, 마스크, 레지스트 등 모든 부품에서 높은 성능과 안정성이 요구되며, 이를 달성하기 위해서는 지속적인 연구개발이 필요합니다. 특히 EUV 광원의 출력 향상, 광학계의 해상도 및 정밀도 향상, 마스크 및 레지스트의 내구성 향상 등이 중요한 과제입니다. 이러한 기술적 과제를 해결하기 위해 산학연이 협력하여 노력한다면 EUV 노광 장비 기술이 더욱 발전할 것으로 기대됩니다.
2. EUV Photo Resist

EUV 노광 공정에 사용되는 포토레지스트는 매우 중요한 역할을 합니다. EUV 광원의 짧은 파장으로 인해 기존의 ArF 레지스트로는 충분한 감도와 해상도를 얻기 어렵기 때문에, 새로운 EUV 전용 레지스트 개발이 필요합니다. EUV 레지스트는 높은 감도와 해상도, 우수한 패턴 전사성, 내식성 등의 특성을 갖추어야 합니다. 또한 EUV 노광 시 발생하는 화학적 변화에 대한 내구성도 중요합니다. 이를 위해 새로운 화학 구조와 공정 기술이 지속적으로 연구되고 있습니다. 향후 EUV 레지스트 기술이 더욱 발전하여 차세대 반도체 공정에 적용될 수 있기를 기대합니다.
3. EUV Pellicle 개발 현황

EUV 노광 공정에서 마스크를 보호하는 pellicle은 매우 중요한 부품입니다. EUV 광원의 짧은 파장으로 인해 기존의 ArF 노광 공정에서 사용되던 pellicle은 적합하지 않습니다. EUV pellicle은 EUV 광을 충분히 투과시키면서도 마스크를 오염물로부터 보호할 수 있어야 합니다. 이를 위해 pellicle 막의 재료와 구조, 제조 공정 등이 지속적으로 연구되고 있습니다. 특히 pellicle 막의 투과율, 내구성, 제조 수율 등이 중요한 기술적 과제입니다. 최근 몇몇 업체에서 EUV pellicle 양산 기술을 개발하고 있지만, 아직 완전한 해결책은 나오지 않은 상황입니다. 향후 EUV pellicle 기술이 더욱 발전하여 안정적인 EUV 노광 공정을 실현할 수 있기를 기대합니다.
4. EUV Mask 기술 현황

EUV 노광 공정에서 마스크는 매우 중요한 역할을 합니다. EUV 광원의 짧은 파장으로 인해 기존의 ArF 마스크와는 다른 새로운 기술이 필요합니다. EUV 마스크는 높은 반사율과 해상도, 그리고 내구성을 갖추어야 합니다. 이를 위해 마스크 기판, 흡수체, 보호막 등의 재료와 구조가 지속적으로 연구되고 있습니다. 또한 마스크 제작 공정의 정밀도와 수율 향상도 중요한 과제입니다. 최근 일부 업체에서 EUV 마스크 양산 기술을 개발하고 있지만, 아직 완전한 해결책은 나오지 않은 상황입니다. 향후 EUV 마스크 기술이 더욱 발전하여 안정적인 EUV 노광 공정을 실현할 수 있기를 기대합니다.
5. EUV Mask 검사 기술 현황

EUV 노광 공정에서 마스크의 결함 검사는 매우 중요합니다. EUV 광원의 짧은 파장으로 인해 기존의 광학 검사 기술로는 충분한 해상도와 감도를 얻기 어렵습니다. 따라서 새로운 EUV 마스크 검사 기술 개발이 필요합니다. EUV 마스크 검사 기술은 마스크 표면의 미세한 결함을 정확하게 검출할 수 있어야 하며, 동시에 검사 속도도 높아야 합니다. 이를 위해 EUV 광학, 전자 빔, 플라즈마 등 다양한 검사 기술이 연구되고 있습니다. 또한 검사 데이터 분석 기술의 발전도 중요합니다. 향후 EUV 마스크 검사 기술이 더욱 발전하여 안정적인 EUV 노광 공정을 실현할 수 있기를 기대합니다.
6. Overlay 계측 기술 현황

반도체 공정에서 overlay 계측은 매우 중요한 기술입니다. 미세화가 진행됨에 따라 overlay 오차 허용 범위가 점점 더 엄격해지고 있어, 정밀한 overlay 계측 기술이 필수적입니다. 기존의 광학 간섭계 기반 overlay 계측 기술로는 한계가 있어, 새로운 기술 개발이 필요합니다. 최근에는 전자 빔 기반의 overlay 계측 기술, 이미지 센서 기반의 기술 등이 연구되고 있습니다. 이러한 기술들은 더 높은 정밀도와 정확도, 그리고 빠른 측정 속도를 제공할 수 있습니다. 또한 계측 데이터 분석 기술의 발전도 중요합니다. 향후 overlay 계측 기술이 더욱 발전하여 차세대 반도체 공정에 적용될 수 있기를 기대합니다.