소개글
"중앙대학교 RL회로 결과"에 대한 내용입니다.
목차
1. 요약
2. RL회로의 과도응답
2.1. 입력 1V 사각파 (High: 1V, Low: 0V, Duty Cycle: 50%)
2.2. 입력 1V 사각파 (High: 0.5V, Low: -0.5V, Duty Cycle: 50%)
2.3. 입력 5V 사각파 (High: 2.5V, Low: -2.5V, Duty Cycle: 50%)
2.4. 주기가 시정수인 사각파 입력
3. 결론
4. 감사의 글
5. 참고 문헌
본문내용
1. 요약
실험결과를 통해 RL 직렬회로의 충전 방전을 이해할 수 있었다. 주어진 시정수를 갖는 RL회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계하였다. RL회로를 설계하여 함수발생기와 오실로스코프를 이용해 함수발생기의 출력파형, 저항전압파형, 인덕터의 전압파형을 측정하였고 저항과 인덕터에 각각 0.632V, 0.368V가 걸리는 것을 확인하였다. 또한 시정수는 8.9 μs로 오차율은 -11%로 나타났다. 인덕터와 저항을 정밀하게 이론값과 맞추지 못한 것이 큰 오차를 만들어냈을 것이다. OFFSET이 있는 입력전압을 가했을 때와 OFFSET이 없는 입력전압을 가했을 때 RL 직렬회로가 어떠한 출력을 보이는지 실험해 보았다. 마지막으로 주기가 시정수와 같은 사각파를 RL 직렬회로에 가하여 R과 L의 출력전압을 RC직렬회로와 비교하여 보았다.
2. RL회로의 과도응답
2.1. 입력 1V 사각파 (High: 1V, Low: 0V, Duty Cycle: 50%)
RL회로에 1V 사각파(High: 1V, Low: 0V, Duty Cycle: 50%)를 입력하면, 인덕터와 저항에 각각 전압이 걸리게 된다. 입력신호가 급격하게 증가하면 인덕터에 걸리는 전압도 급격하게 증가하지만, 곧 지수함수 형태로 감소하게 된다. 반면 저항에 걸리는 전압은 입력신호 증가와 함께 급격히 감소한 후 지수함수 형태로 증가한다.
이는 RL회로의 특성에 따른 것으로, 인덕터는 전류 변화에 저항하는 성질로 인해 입력신호...
참고 자료
실험 8 예비보고서
Chrisopher K. Alexander, “Fundamentals of Electric Circuits”, McGRAW-HILL, 2019, 766p, ch17. Fourier Series Gibbs phenomenon 부분
중앙대학교 전자전기공학부(2019), “전기회로 설계 및 실습”, P.65 ~ 69
XXX(2019), “전기회로설계실습 예비보고서”, “실험실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)”
