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igzo 스퍼터링 실험 IGZO quantum dot 4-point probe

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"zinc-indium" 검색결과 1-20 / 50건

Indium-Zinc 산화물 박막 트랜지스터 기반의 N-MOS 인버터 (Indium-Zinc Oxide Thin Film Transistors Based N-MOS Inverte)

한국전기전자재료학회 김한상, 김성진

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.04 | 수정일 2025.05.16

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플렉시블 염료 감응형 솔라셀의 효율에 미치는 Indium Zinc Oxide 투명전극의 영향 (Effect of Indium Zinc Oxide Transparent Electrode on Power Conversion Efficiency of Flexible Dye-Sensitized Solar Cells)

한국화학공학회 이도영, 정지원

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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Age-hardening mechanism by precipitation in a zinc- and indium-added silver-palladium alloy (Age-hardening mechanism by precipitation in a zinc- and indium-added silver-palladium alloy)

대한치과재료학회 김형일, 김성민, 설효정, 전병욱, 조수연, 이광영, 권용훈

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.16 | 수정일 2025.05.10

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Uniform Liquid Crystal Alignment Properties on Ion-Beam Irradiated Indium Zinc Oxide Films with Stable Electro-Optical Performances (Uniform Liquid Crystal Alignment Properties on Ion-Beam Irradiated Indium Zinc Oxide Films with Stable Electro-Optical Performances)

대한전기학회 오병윤

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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원자층 증착을 이용한 고 유전율 Al2O3 절연 박막 기반 Indium Zinc 산화물 트랜지스터의 저전압 구동 (Low-Voltage Driving of Indium Zinc Oxide Transistors with Atomic Layer Deposited High-k Al2O3 as Gate Dielectric)

한국전기전자재료학회 엄주송, 김성진

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.19 | 수정일 2025.06.27

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Synthesis of IZTO(Indium Zinc Tin Oxide) particle by spray pyrolysis and post-heat treatment and characterization of deposited IZTO film

한국유화학회 Seong Taek Lim, Sang Hern Kim

논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05

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RF-magnetron sputtering을 이용한 TiIZO 기반의 산화물 반도체에 대한 연구 (Effect of Titanium Addition on Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors by RF-magnetron Sputtering)

대한전자공학회 우상현, 임유성, 이문석

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.02.10 | 수정일 2025.02.15

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용액공정용 불소 도핑된 인듐 갈륨 징크 산화물 반도체의 박막 트랜지스터 적용 연구 (Solution-Processed Fluorine-Doped Indium Gallium Zinc Oxide Channel Layers for Thin-Film Transistors)

한국마이크로전자및패키징학회 정선호

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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용액 공정 기반의 인듐 아연 산화물 트랜지스터의 PMMA 보호막 여부에 따른 신뢰성 평가 (The Stabilizing Effects of PMMA Passivation on SolutionProcessed Indium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors)

대한금속·재료학회 허관준, 엄주송, 조현아, 최성곤, 정병준, 김성진

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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전기수력학젯 분산 기술을 이용한 아연-주석 산화물 박막트랜지스터의 인듐 도핑 효과 (Doping Effect of Indium on Zinc-tin Oxide Thin-Film Transistor Using Electrohydrodynamic Jet Spray Technology)

대한금속·재료학회 최운섭

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.28 | 수정일 2025.07.04

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산화인듐아연 박막 트랜지스터에서 질소 첨가가스가 활성층의 물성 및 소자의 특성에 미치는 영향 (Effects of Nitrogen Additive Gas on the Property of Active Layer and the Device Characteristic in Indium-zinc-oxide thin Film Transistors)

대한전기학회 이상혁, 방정환, 김원, 엄현석, 박진석

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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이온빔 조사된 저온 소성 인듐 아연 산화막을 이용한액정의 고속 스위칭 특성 연구 (Fast liquid crystal switching performance on indium zinc oxide films with low curing temperature via ion-beam irradiation)

한국전기전자학회 오병윤

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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ReRAM 실험 예비레포트

한 연구분야로 인식되고 있다. 이러한 용액공정간 산화물 박막 트랜지스터 소자 제작을 위해서는 indium gallium zinc oxide(IGZO), indium zinc oxide ... 다. Stacking하는 채널 물질로는 IZO(Indium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide) 등 다양한 물질들이 보고되고 있는데, 게이트 절연막 위 ... 예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 10월 08일- 예비이론• Metal Oxide를 이용한 ReRAM 종류 및 메커니즘, 그리고 다른 물질을 이용한 ReRAM과 비교하였을 때

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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전자 수송층을 삽입한 용액 공정형 산화물 트랜지스터의 특성 평가 (Characterization of Solution-Processed Oxide Transistor with Embedded Electron Transport Buffer Layer)

한국전기전자재료학회 김한상, 김성진

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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IGZO 산화물 TFT 문제현황 및 개선방안 연구결과 보고서(디스플레이)

는 Oxide TFT는 인듐-갈륨-아연-산소 (Indium-gallium-zinc-oxide IGZO) TFT이다. IGZO는 3.37eV의 밴드갭을 가지는 산화아연(ZnO)에 인듐과 갈륨 ... 을 패터닝한다.(photolithography)2.1 G?I(SiO2)와 채널층을 증착한다.- G?I(PECVD공정), 채널층(Sputtering공정)- IZO(Indium Zinc ... Oxide)와 IBZO(Indium Barium Zinc Oxide)를 차례대로 증착한다.(단, IZO 층의 두께가 너무 두꺼워지면 신뢰도 면의 문제가 발생하므로 적절한 두께

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 14페이지 | 5,500원 | 등록일 2020.12.15 | 수정일 2020.12.16

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[고분자 화학] AFM을 이용한 ITO glass 분석

되고 있다. 최근에는 ITO의 특성을 보완한 IZO(Indium Zinc Oxide)가 개발되어 TFT-LCD 및 유기EL용 전극재를 중심으로 상용화 단계에 있다. ITO막을 투명 ... , 원자간력현미경에 대한 이론, AFM을 이용한 ITO glass 실험 과정 및 분석 순으로 기술되어 있다.Ⅱ. Introduction1. ITO(Indium-Tin Oxide)한국 ... 지만 Contact모드 시 사용되는 tip이 비싸서 Non-contact모드를 이용하였다.3.1 샘플 제작 방법①잘 세척된 ITO(indium tin oxide)-coated glass와 일반

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.08.22

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질소분위기 전자빔 조사에 의한 졸-겔 IGZO 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상 (Enhancing Electrical Properties of Sol-Gel Processed IGZO Thin-Film Transistors through Nitrogen Atmosphere Electron Beam Irradiation)

한국마이크로전자및패키징학회 박지호, 송영석, 배수강, 김태욱

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.16 | 수정일 2025.03.28

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산화물 박막 소자의 단기 열화 특성 분석 및 예측식 모델링 (Analysis on Short-Term Degradation of Oxide Thin-Film Transistors and Degradation Modeling for Prediction)

대한전기학회 박지환, 강경수, 박준형, 이수연

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.31 | 수정일 2025.06.05

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화학공정 플라스틱 열변형, 장치 원리에 대한 내용 정리

면 분자들이 자유롭게 이동이 일어나게 됩니다.또한, 더 에너지가 가하면 분자-분자 간의 인력을 벗어나게 되면서 기체 상태가 됩니다. 이때 분자 자체로 혼자서 운동할 수 있는 상태를 말 ... 합니다.※ 정리- 상태 변화란 물질의 구조는 같으나 에너지의 상태에 따라서 형태가 변화하는 것을 말합니다.2) 고분자의 경우분자량이 크다 보니 고체 상태에 있다가 액체 상태로 바로 ... , 기체가 되기 전에 열분해가 되고 열분해가 되면 잘게 잘려진 물질들이 날라가게 됩니다.3) 고분자의 Tg와 Tm 그래표※정리- 고분자는 분자량이 크다 보니 기체가 되기 전에 열분해

리포트 | 23페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.01.11

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나노화학실험 QD(Quantum Dot) 결과보고서

, Indium acetylacetonate 0.206g을 정량하여 3-neck flask에 넣는다.Core source sulfur 0.052g을 정량하여 20mL vial에 넣 ... 는다.Shell source sulfur 0.026g, zinc stearate 0.506g을 정량하여 20mL vial에 넣는다.1-octadecene 8mL와 oleic acid 0 ... 나노화학실험 결과보고서 – Quantum Dot (QD)실험제목 : Quantum Dot(QD)실험방법acetone으로 cleaning 한 rubber septa를 3-neck

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 3페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.06.30

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