(p 형과 n 형 각각은 전기적으로 중성이다 .) p-n 접합의 경계층 근처에서 캐리어의 농도차에 의해 정공은 n 형 영역으로 , 전자는 p 형 영역으로 확산이 일어난다 . n 형 ... 위 그림에서 보이드시 n 형 물질 쪽을 캐소드라 하고 , p 형 물질 쪽을 애노드라 한다 . pn 접합에서는 n 형 물질 쪽이 p 형 물질 쪽보다 전위가 더 낮아야 전류가 전도된다 ... . 1) PN 접합의 형성과 공핍층의 생성 n 형 반도체와 p 형 반도체를 접촉시켰을 때 이루어지는 n 형 영역과 p 형 영역의 접합부위를 pn 접합이라 한다 .
이 때 다이오드를 통하여 큰 전류 즉, 순방향 전류가 흐른다. pn접합 다이오드에 외부전압이 n형쪽에 +, p형쪽에 -가 되도록 가해질 때 역방향 바이어스가 걸렸다고 말한다. ... 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 집합으로 이루어진다. pn접합 다이오드의 p형 쪽에 +극을 n형 극 쪽에 대하여 -극을 연결할 때 순방향 바이어스 걸려있다고 말한다. ... 이유가 병렬저항은 p-n 접합이 손상되거나 표면이 불완전해서 전류를 차단하는 p-n접합면을 우회하게될것이다.
전원의 +가 P형 반도체에, 전원의 -가 N형 반도체에 연결될 때 순방향바이어스라 함. 이때 전류가 잘 흘러 다이오드가 도통하게 됨. ... 보통 다리가 짧은 쪽이 (-), 긴 쪽이 (+). ... 종류로 NPN형, PNP형이 있음. 각 중앙에 끼워져 있는 반도체는 수 μm정도에 불과할 정도로 얇게 되어 있음. 이 부분을 베이스라 함.
pn접합에 역방향 바이어스(n형쪽으로 정전압)을 인가하면, n형, p형 영역 각각을 따라, 다수캐리어(전자와 정공)이 소수캐리어(정공과 전자)의 주입에 의해 감소한다. ... pn접합에 순방향 바이어스(p형쪽으로 정전압)을 인가하면, 그림과 같이 공핍층의 내장전위(확산전위)가 감소하고, 포텐셜의 균형이 무너져 확산전류가 증가하고, 전류가 흐른다. ... 때문에 역방향 바이어스일때 전류는 지속 가능하지 않습니다. 이것은 역방화한다
게이트에 가해지는 역방항 전압을 충분히 크게하면 공핍층이 서로 맞닿게 되어 자유전자가 이동할 수 있는 전도성 채널이 없어지게 되는데 이때의 게이트 역방항 전압을 핀치오프전압이라고 한다 ... 공핍형 MOS FET는 NGUD 물질로 이루어진 전동성 막대의 오른쪽에는 P형 반도체 영역을 갖으며 왼쪽에는 이산화규소로 절연된 게이트를 갖고 있는 공핍형 N채널 MOS FET를 나타낸 ... 게이트전압을 더운 (-)로 하게 되면 드레인에 흐르는 전류는 작아지다가 게이트전압이 충분히 큰(-)의 전압이 되면 드레인전류는 흐르지 않는다.
순방향 바이어스를 가하는 경우, P형 쪽에 전지의 (+)극을, N형 쪽에 전지의 (-)극을 연결하여야 한다. ... 이 때 소모되는 전자와 정공은 전지로부터 공급되며, P영역에서 N영역으로의 한쪽 방향으로 전류가 흐르는 것이다. 즉, 접합 다이오드는 전자와 정공이 모두 전류의 흐름에 기여한다. ... 역 바이어스 된 다이오드의 Vak를 측정하여 표1에 기록하라 순방향 및 역방향시의 각 저항값을 계산하여 기록하라. 5. 다이오드를 회로에서 분리한다.
그리고 이때의 궁핍층의 두께는 평형 상태 보다 작아지게된다. ㉢ 역방향 전압 인가시의 PN 접합 다이오드에 외부에서 전압원이 가해졌을 경우, 특히 P형 반도체에 -전압이 N형 반도체에 ... 이런 형의 불순물을 첨가하면 반도체가되었을 경우 즉 N형 반도체에 -전압이 P형 반도체에 +전압이 인가되면 스위치 작용으로써는 켜져있는 상태가 된다. ... +전압이 걸리면 N형 반도체의 다수 전달자인 전자는 +접압쪽으로 끌려가게되고, P형 반도체의 다수 전달자인 홀은 -전압쪽으로 끌려 가서 평형상태에서의 주된 전달자인 전자와 홀의 협상이
P형 쪽에 전지의 양극을, N형쪽에 전지의 음극을 연결하면 전류가 흐르며, 이와 같이 전압 을 인가하는 것을 순방향 바이어스라 한다. ... 실험적으로 점차 높은 전압을 인가해 가면서 각각의 전류를 측정하여 이를 전압 대 전류의 그래프로 나타내면 전압-전류 특성을 얻을 수 있다. ... 왜냐하면 P와 N영역의 비저항 rP 와 rN 이 상당히 작은 값이며 보통 수십 Ω정도이기 때문이다. 이 때 P와 N영역의 저 항의 합을 벌크 저항이라 하며 다음과 같이 계산한다.
