계명대 다이오드1

저작시기 2017.10 |등록일 2017.10.31 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 500원
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목차

1. 실험목적
2. 배경이론
3. 실험내용
4. 결과데이터
5. 고찰
6. 질문에 대한 답

본문내용

실험목적
p-n형 반도체에 전류를 흘려보내서 순방향일때의 전압을 측정하고 이해한다.
순방향일때 발광다이오드의 전압을 측정하고 이해한다.

배경이론
다이오드는 한방향으로는 전류를 통과시키고 반대반향으로는 통과시키지 못한다
실리콘이나 게르마늄은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 실리콘이나 게르마늄은 진성반도체라고 불린다. 진성반도체는 전류를 잘 흐르게 하지 못한다. 반도체 소자로 쓰이기 위해 불순물을 첨가하여 전도도를 증가시킨다. 이러한 과정을 도핑이라 한다.
진성 반도체에 미량의 3가 원소를 첨가한 것을 P형 반도체라고 한다. 진성반도체에 미량의 5가 원소를 첨가하는 것을 N형 반도체라고 한다. N형 반도체는 전하를 옮기는 역할로 전자가 사용된다. 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 집합으로 이루어진다.
pn접합 다이오드의 p형 쪽에 +극을 n형 극 쪽에 대하여 -극을 연결할 때 순방향 바이어스 걸려있다고 말한다. 이 때 다이오드를 통하여 큰 전류 즉, 순방향 전류가 흐른다.

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