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vsm Ms Hc magnetoresistance 스핀전달토크
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"anisotropic magnetoresistance" 검색결과 1-16 / 16건

  • 자료 표지
    Nb/Permalloy 다층막 구조에서 비등방성 자기저항 특성 (The anisotropic magnetoresistance properties of Nb/Py mulilayer structures)
    한국물리학회 황태종, 김동호
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14
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  • 자료 표지
    퍼멀로이 박막의 자화 용이축과 자기저항 변화와의 상관관계에 대한 연구 (Relation Between Magnetization Easy Axis and Anisotropic Magnetoresistance in Permalloy Films)
    한국자기학회 황태종, 류영식, 권진혁, 김기현, 김동호
    논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15
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  • 자료 표지
    2차원 자화벡터를 이용한 퍼멀로이 박막의 이방성자기저항 해석 (Anisotropic Magnetoresistance Analysis of Permalloy Film Using 2-dimensional Magnetization Vector Measurement)
    한국자기학회 김종오, 이영우, 호영강, 임재준, 김철기, 윤대식
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15
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  • 자료 표지
    재공실 실험3 예보 - Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG) 식을 이용한 자기거동분석
    다. 이러 측정할 수 있다.b. 자기저항 (magnetoresistance, MR) 에 대해 조사하시오.Magnetoresistance란 외부적으로 자기장 B를 회로에 가져다 놓았을 때 ... 는 저항을 5%이상으로 낮게 할수는 없었다. 그리고 이후 사람들은 이 문제를 ordinary magnetoresistance(OMR)이라고 불렀다. 다음의 그림에서 Read ... element를 통해 recording medium에 writng을 하는 작업을 말한다.자기저항(magnetoresistance; MR)이란 어떤 물질에 자기장을 가하면 그 물질의 전기 저항
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29
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  • 자료 표지
    [예비레포트] Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG) 식을 이용한 자기거동분석 [신소재공학실험3]
    (Anisotropic Magnetoresistance), GMR(Giant magnetoresistance), CMR(Crossal magnetoresistance), TMR ... 원리를 이해하고 스핀전달토크에 의한 자성체 내의 자성변화를 예측 및 분석한다.◆ 실험 예비 문제1. 자기저항(magnetoresistance, MR)에 대해 조사하시오.자기회로 ... 발견한 자기저항이란 자기장에 따라 전기저항이 바뀌는 현상을 말하는데, 이 때 발견된 것을 OMR(Ordinary Magnetoresistance)이라고 부르고, 그 뒤로 AMR
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.18 | 수정일 2021.02.01
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  • 자료 표지
    GMR(Giant Magnetoresistance)
    일반 자기 저항효과와 강자성체에 나타나는 이방성 자기저항효과(anisotropic Magnetoresistive effect)가 있다.홀효과(Hall effect)에 의한 전기저항 ... 의 감소가 일어난다. 이처럼 전기저항이 외부자장의 방향에 따라 다르게 변화하는 현상을 이방성 자기저항효과(anisotropic Magnetoresistive effect, AMR ... 자성재료 report2007년 노벨상 “GMR(Giant Magnetoresistance)"200303029 이정현GMR 이전의 자기저항효과 (Magnetoresistive
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.26
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  • 자료 표지
    GMR(Giant Magnetoresistance)
    일반 자기 저항효과와 강자성체에 나타나는 이방성 자기저항효과(anisotropic Magnetoresistive effect)가 있다.홀효과(Hall effect)에 의한 전기저항 ... 자성재료 report2007년 노벨상 “GMR(Giant Magnetoresistance)"200303029 이정현GMR 이전의 자기저항효과 (Magnetoresistive ... effect)물질에 자장을 가하면 전기저항이 변화하는 현상을 자기저항효과(Magnetoresistive effect)라 하는데 이 현상은 홀효과(Hall effect)에 기초를 둔
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.26
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  • 자료 표지
    자기저항 , 스핀전달토크에 의한 자화반전 및 세차운동의 원리 및 소자응용 가능성, Runge-Kutta 방식, LLG식.
    고, 그 뒤로 AMR (anisotropic magnetoresistance), GMR (Giant magnetoresistance), CMR (Crossal ... 1. 자기저항(magnetoresistance, MR)에 대해 조사하시오자기저항효과란 자장의 존재 유무에 따라 재료의 전기적 저항이 다르게 나타나는 현상을 말한다. 즉 어떤 물질 ... Kelvin, 본명은 윌리엄 톰슨)1856년 발견하였으며, 이때 발견된 자기저항을 OMR(일반 자기저항 Ordinary Magnetoresistive effect) 이라고 부르
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.17
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  • 자료 표지
    재료실험-Magnetoresistance
    로 AMR (anisotropic magnetoresistance), GMR (Giant magnetoresistance), CMR (Crossal magnetoresistance ... 1. Magnetoresistance의 종류에 대해 조사.절대 온도의 단위로 쓰이는 Kelvin 경(Baron Kelvin, 본명은 윌리엄 톰슨)1856년 발견한 "자기 저항 ... "이란 자기장에 따라 전기저항이 바뀌는 현상을 말하는데, 이때 발견된 것을 OMR(일반 자기저항 Ordinary Magnetoresistive effect) 이라고 부르고, 그 뒤
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.08
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  • 자료 표지
    MRAM 박막공학
    장과 전류간의 방향에 의존하며 이를 이방성 자기저항 (AMR :anisotropic magnetoresistance) 이라 부른다. 퍼머로이계 합금의 경우 상온에서 약 2% 정도 ... 증 됨으로써 앞으로 나아가는 것을 방해하는 저항이 생긴다. 이를 흔히 정상 자기저항(ordinary magnetoresistance : OMR)이라 부르고 1%미만의 상당히 작 ... magnetoresistance)이 있다.네 번째는 다양한 거대 자기저항의 발견으로 크게 고무된 자기저항 물질의 연구가 1950년대에 밝혔졌던 망간 산화물 자기저항 재료에도 새롭게 관심을 갖게 하여 관측
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.08
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  • 자료 표지
    mram의 구동원리및 소개
    자기저항(AMR: anisotropic magnetoresistance)과 거대자기저항(GMR: giant magnetoresistance) 및 터널링 자기저항(TMR ... 를 대형 컴퓨터에 사용하였으나 컴퓨터 소형화에 따라 다른 메모리로 대체되었다. 현재 자기메모리 소자는 자기저항(MR: magnetoresistance) 현상을 이용한 것으로서, 이방성 ... :· tunneling magnetoresistance) 현상 등을 이용한다.(1) AMR과 GMRAMAMR현상을 이용한 메모리 소자는 1980년대 중반에 처음 제작되었으며, 군사 및 우주
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18
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  • 자료 표지
    차세대 비휘발성 메모리
    : Magnetoresistance) 현상을 이용한 것이다. 이와 같은 자기저항 현상으로는 이방성 자기저항 (AMR :anisotropic magnetoresistance), 거대자기저항 (GMR ... 로 대체 되었다. 오늘날의 MRAM (Magnetoresistive RAM)은 HDD나 자기테이프와 같이 직접 자화현상을 응용한 것이 아니라 자기저항(MR ... : Giant Magnetoresistance) 그리고 터널링 자기현상 (TMR :Tunneling Magnetorresistance) 등을 이용하였고, 박막증착 기술의비약적인 발전
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.20
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  • 자료 표지
    [고체물리]차세대 메모리
    한 것으로 자기저항은 강자성체의 자화용이 축, 외부 자기장과 전류간의 방향에 의존하며 이를 이방성 자기저항 (AMR :anisotropic magnetoresistance) 이 ... 로 전자석을 만든 박막헤드나 자기저항 헤드가 기록헤드와 재생헤드로 쓰인다.2-1-1. 자기저항 (magnetoresistance)자장을 가함으로써 전기저항이 변화하는 현상을 말 ... 의 산란기구와 페르미면의 이방성에 기인하고 있어 자기저항 측정으로 페르미면의 형태에 대한 견해를 얻을 수 있다.2-1-2. 자기저항 메카니즘자기저항(magnetoresistance
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.12
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  • 자료 표지
    스핀밸브 소자의 측정 및 재료의 자기적 특성 (예비레포트)
    는 커지게 된다.2. Magnetoresistance(자기저항)란 무엇인가자기저항이란 자기장이 가해질 때 일어나는 전기전도도의 변화이다. 이 현상은 단일 전하운반자에 의한 전도도 ... 성 자기저항(AMR:Anisotropic Magneto Resistance)이라 부른다. 퍼머로이계 합금의 경우 상온에서 약 2 % 정도의 변화를 보이며 기존의 MR 센서나 자기
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.23
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  • 자료 표지
    [정보저장재료] MRAM
    한다. 최근에는 박막 형태로 전자석을 만든 박막헤드나 자기저항 헤드가 기록헤드와 재생헤드로 쓰인다.2-1-1. 자기저항 (magnetoresistance)자장을 가함으로써 전기저항 ... (magnetoresistance : MR)이란 위에서 서술한 바와 같이 어떤 물질의 전기 저항이 변화되는 현상으로 그 메커니즘은 여러가지가 있다.첫 번째는 홀 효과에 의한 것 ... magnetoresistance : OMR)이라 부르고 1%미만의 상당히 작은 크기를 갖는다.두 번째는 정상 자기저항에 부가적으로 강자성 물질에서 나타나는 자기저항이 있다. 이것
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.01
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  • 자료 표지
    [재료] MR헤드 및 센서
    ●자기 저항 효과 (Magnetoresistance) : MR1994년 재미 한국인 과학자인 AT&T Bell Lab의 진성호 박사가 La_1-xCa_xMnO_3의 epitaxy ... 박막에서 120,000 ％의 충격적인 자기저항 효과를 발표하였다. 이후 이 현상은 초거대 자기저항 효과(Colossal magnetoresistance, CMR)로 명명 ... 중 일부는 외부 자기장에 의해 초전도 현상이 나타난다)으로부터 고온 초전도 이론의 규명에 일조를 할 것으로도 기대된다. 응용면에서는 기존의 이방성 자기저항(anisotropic
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.19
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