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"Single-electron transistor" 검색결과 1-20 / 35건

  • 회로 시뮬레이션을 위한 단일전자 트랜지스터의 과도전류 모델링 (Transient Modeling of Single-Electron Transistors for Circuit Simulation)
    대한전자공학회 유윤섭, 金相勳
    논문 | 12페이지 | 무료 | 등록일 2025.02.25 | 수정일 2025.03.06
  • 홉필드 신경회로망을 위한 단일전자 소자 (Single-Electron Devices for Hopfield Neural Network)
    대한전자공학회 유윤섭
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.31 | 수정일 2025.06.05
  • 판매자 표지 자료 표지
    12차-NGFM의 효과
    과 Source/Drain 사이의 Coupling 크기가 Transistor의 I-V 특성에 중요한 영향을 준다. Coupling이 강해지면 Electron Wave Function ... Function이 Channel에 Confine되고 Island의 Total Charge는 Single Electron Charge, 즉, Q=1.6*10-19[C]간격 ... 으로 discrete하게 변한다. 그리고 이를 Single Eectron Transistor(SET)라고 한다. 이 경우, ID-VG곡선은 주기적인 Oscillation을 하는데 이
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.11.27
  • 판매자 표지 자료 표지
    Semiconductor Device and Design - 12__
    ] Basic Electronics for Scientists and Engineers : Dennis L. Eggleston [2] https://www.electronics ... placement of elements, such as transistors, resistance, etc.1. Floor plan Floor plan consideration ... ▶ Noise impact ▶ S implification of wiring ▶ M inimizing chip area1. Floor plan Distribution of Power-s
    리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.22
  • Nanoelectronics: Tunneling current in DNA–Single electron transistor (Nanoelectronics: Tunneling current in DNA–Single electron transistor)
    한국물리학회 Rakesh K. Gupta, Vipul Saraf
    논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.02.25 | 수정일 2025.03.06
  • 탄소나노튜브의 구조와 성질
    금속 또는 반도체의 특성을 보인다. 또한 벽을 이루고 있는 결합 수에 따라서 단중벽 탄소나노튜브(Single-walled Carbon Nanotube), 이중벽 탄소나노튜브 ... 튜브는 직경 및 감긴 형태에 따라서 전기적 성질을 조절할 수 있고, 직경이 수십 nm 인 튜브를 성장시킬 수 있으므로, 초미세의 단일전자 트랜지스터(Single electron ... (Double-walled Carbon Nanotube),다중벽 탄소나노튜브(Multi-walled Carbon Nanotube), 다발형 탄소나노튜브(Rope Carbon
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.07.07
  • 2021 반도체공정1 중간&기말고사 보고서
    hole을 PVD Al로 증착 시 발생하는 void를 막기 위해 사용하는 공정기술이다. Void는 contact hole의 aspect ratio가 높을 때 발생한다. Single ... thickness (EOT)에 대해 서술하시오.Scaling down을 하면서 SiO2를 사용하면 SCE가 발생하는데 이를 막기 위해 high-k 물질로 대체한다. 이를 사용할 경우 ... Effect에 대해 서술하시오.Single crystal Si는 방향에 따라 결합사이에 빈공간이 존재한다. Implantation을 할 때 각도가 빈공간과 유사하게 된다면 car
    시험자료 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.10.29
  • 생물공학 용어 필기
    으로부터응고과정에서섬유소원을제거한 것 Shear stress전단응력 단위면적당의전단력크기로표시 Single-cell protein단세포단백질 단세포미생물로부터얻어진단백질 ... 생물 Fed-batch culture (유가식 배양): 반응 중 어떤 특정 제한기질(1성분 또는 2성분 이상도 좋다)을 바이오리액터에 공급하지만 배양 broth는 수확 시 ... 분해하는과정 Respiratory quotient(RQ)호흡률 CO2/O2값 Scannig electron microscope전자현미경 광선대신전자선을이용한현미경 Serum혈청 혈장
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.11
  • 플래시 메모리, 프로그래머블 논리장치(PLD) ,SRAM ,DRAM , MROM , EPROM , PROM , FRAM , PRAM , MRAM , 메모리 조사 대체과제 만점 , 논문까지 참고 및 없는 내용 없음 사기적
    Electron Devices Meeting (IEDM)에서 발표를 하였다. 플래시 라는 이름은 메모리 내용이 지워지는 과정이 마치 카메라의 플래시처럼 빠르다며 플래시 메모리라는 이름 ... 라 부르는 플로팅 게이트 트랜지스터(floating gate transistors)로 구성된 배열 안에 정보를 저장하며, DRAM이나 SRAM의 경우에는 1개의 cell에 1비트의 정보 ... 를 저장했다면 (Single Level Cell) 플래시 메모리는 1비트의 정보를 저장할 수도 있고, 좀 더 많은 비트의 정보를 저장할 수 도 있다 ( Multi Level
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 19페이지 | 3,300원 | 등록일 2021.08.30
  • 판매자 표지 자료 표지
    정보디스플레이학과 광전자공학 4차 준비 보고서 CNT(Carbon Nanotube)와 Field emission Display
    2는 CNT model의 모습을 보여주고 있다.Fig1. Graphene sheetFig2. CNT model다양한 CNT 종류가 있지만 일반적으로 SWNT (Single ... -walled Nanotube)와 MWNT (Multi-walled Nanotube) 두 가지로 분류한다..Fig3. SW(C)NT와 MW(C)NTMWNT의 경우 2개부터 100개 이상 ... 내에는 수소를 저장할 수 있는 공간이 충분하기 때문에 단위 질량 당 전하 저장 효율이 높다. CNT 연료 전지는 대체 에너지원으로 각광받고 있다.Electron switching
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.01.30
  • 매그나칩 반도체 서류 합격 자소서
    부터 항상 새로운 것에 열정을 갖고 도전해 왔습니다.대학원 과정 중 경험한 일입니다. SET(Single-electron-transistor) 제작에 참여하여 된 저는 SEM을 이용한 E ... -beam lithography를 이용한 40nm크기의 gate mask를 제작 하는 임무를 맡게 되었습니다. 하지만 E-beam lithography 공정에서 40nm의 크기
    Non-Ai HUMAN
    | 자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.06.05
  • 어플라이드 머트리얼즈 서류 합격 자소서
    Semiconductor equipment process or display equipment/industry)석사 과정 동안 SET (Single electron transistor ... Applied Materials Korea에 지원하게 된 동기는 무엇입니까? (Reason to apply for AMK)저는 석사과정 동안 반도체 공정 연구를 하며 FE-SEM ... ) 개발에 참여하여 기존 44nm size의 gate width를 줄이고 동시에 etching 공정 시 mask 역할을 할 수 있는 두께의 e-beam lithography
    Non-Ai HUMAN
    | 자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.06.05
  • 탄소나노튜브 리포트
    시킬 수 있으므로, 초미세의 단일전자 트랜지스터(Single electron transistor) 또는 현재의 실리콘 소자를 대체하여 Tera급의 메모리 소자를 만들 수 있을 것 ... 전도성을 가진다고 보고하였다. 다층 나노튜브(MWNT)의 전도성은 각 나노튜브가 수은 액체상에 첨가될 때마다 1 Go만큼 증가하였다. Go의 값은 1/12.9 kΩ-1 이다 ... )의 저항을 four-point 기법을 이용하여, 300 K에서 약 10-4 Ω-cm 임을 관찰하였으며, 이 값은 현재 알려진 고전도성 탄소나노섬유보다 더 높은 값을 가진 것
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    탄소나노튜브의 구조와 성질
    금속 또는 반도체의 특성을 보인다. 또한 벽을 이루고 있는 결합 수에 따라서 단중벽 탄소나노튜브(Single-walled Carbon Nanotube), 이중벽 탄소나노튜브 ... 튜브는 직경 및 감긴 형태에 따라서 전기적 성질을 조절할 수 있고, 직경이 수십 nm 인 튜브를 성장시킬 수 있으므로, 초미세의 단일전자 트랜지스터(Single electron ... (Double-walled Carbon Nanotube),다중벽 탄소나노튜브(Multi-walled Carbon Nanotube), 다발형 탄소나노튜브(Rope Carbon
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.04.07
  • 아주대 통합설계프로젝트1 전파테크(이해영교수님) 결과6 Single gate mixer design
    : Assist. Suk-Min Hwang분 반: Tuesday Class학 부: Electronical Engineering성 명: Dong-Hee Kim (200620024)Do ... -Hyuen Park (200620072)Se-Hoon Park (200620078)Capstone Design Project 1[ Lab 6. Single gate mixer ... technoloapstone Design Project 1과제명: Lab6 (Result report)제출일: 11. 5. 17 (화)교수명: Prof. Hai-Young Lee조교명
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.10.05 | 수정일 2017.08.03
  • 카본나노튜브 그라핀 (carbon nanotube and graphene sheets)
    Carbon Nanotubes and Graphene sheetCarbon nanotube (CNT) Metallic or semiconducting Single-wall or ... lead to ballistic room-temperature transistors. GaTech group made proof of concept transistor ... multi-wall Diameter: 1-100nm Length: up to millimeters Ballistic transport Excellent thermal c
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.13
  • 양자역학의 역사와 슈레딩거방적식 유도, 반도체소자 적용
    . SubstrateAmorphous crystal Si□ 원자의 배열이 무작위(Random)하다.□ TFT-LCD□ Solar CellPolycrystalline Si□ Single c ... 를 Heteroepitaxial film으로 성장시킨 alloy semiconductor2. HEMT(High Electron Mobility Transistor)device 같은 곳 ... 에 사용□ HEMT (High Electron Mobility Transistor)1. 높은 전자 이동도를 특징으로 하는 고속 동작에 적합한 트랜지스터.2. 슈퍼컴퓨터의 고속 논리
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.02
  • [바이오MEMS/NEMS의 이해]탄소나노튜브
    는 벽을 이루고 있는 탄소원자의 결합수에 따라 구분한다.1) 단일벽 탄소나노튜브(Single-wall Nanotube)는 탄소원자로 구성된 벽이 하나인 튜브 형태로 전기전도성, 열 ... 는 것이다.더 작은 electronic devices를 필요로 하는 것은 컴퓨터의 속도와 power를 증가시키기 때문이다. 넓이로 따지면 그 집적도가 대략 tera D-RAM ... Bio-MEMS/NEMS 발표 보고서(Carbon Nanotube)3조 200536107 김정현200336423 장지훈200733031 김지희Ⅰ. 탄소나노튜브(Carbon
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.06.01
  • 단전자 논리회로
    , 환경 및 에너지 전분야에 걸쳐 연구되고 있다.※ 단전자 논리회로 ※■ 단전자 나노소자 기술전자 한 개의 터널링 및 양자역학적 성질을 이용한 단전자 트랜지스터 ( Single ... -electron transistor ) 와 이를 이용한 집적회로 구현을 위한 기술이다. 이런한 단전자 소자 기술은 반도체 정보통신산업에서 소자 칩의 소형화에 따른 트랜지스터 기능
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.04
  • 탄소나노튜브(CNT) 연료전지기술
    와 sp2 결합의 육각형 벌집 구조?튜브의 직경이 대략 수 nm 정도로 극히 작기 때문에 나노 튜브라고 함.?결합수에 따라 SWNT(Single-walled Nanotube ... 능력 연구.?1996년 라이스 대학 Smalley 교수가 Laser vaporization에 의한 single-wall 나노튜브 대량 합성, 리차드 스몰리 (Richard ... 에 의한 single wall 튜브 대량합성.?1998년 네델란드 Delft 공과대학 Dekker 교수, 단일 탄소나노튜브를 이용한 transistor 구현.?1999년 스위스
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.06 | 수정일 2021.04.01
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2025년 12월 04일 목요일
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