"O2/BCl3/Ar"의 검색결과 입니다.

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반도체 스크러버 ILD IMD cmos 공정 AR coating Coal to Liquid Etching IEDM Tantalum Oxide 식각

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"O2/BCl3/Ar" 검색결과 1-20 / 24건

O2/BCl3/Ar 플라즈마를 이용한 HfAlO3 박막의 식각특성 연구 (The Study of the Etch Characteristics of the HfAlO3 Thin Film in O2/BCl3/Ar Plasma)

한국전기전자재료학회 하태경, 우종창, 김창일

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.02 | 수정일 2025.07.05

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유도결합형 BCl3/Ar 플라즈마를 이용한 Al2O3 박막의 식각 특성 (A Study of Al2O3 Thin Films Etching Characteristics Using Inductively Coupled BCl3/Ar Plasma)

한국전기전자재료학회 김용근, 권광호

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.02 | 수정일 2025.07.05

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유도결합플라즈마를 이용한 O2/BCl3/Ar가스에 따른 Indium Tin Oxide 박막의 식각 특성 연구 (The Etching properties of Indium Tin Oxide Thin Films in O2/BCl3/Ar Gas Mixture using Inductively Coupled Plasma)

한국전기전자재료학회 위재형, 우종창, 김창일

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.02 | 수정일 2025.07.05

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유도 결합 플라즈마를 이용한 TaN 박막의 건식 식각 특성 연구 (The study of the etch characteristics of the TaN thin film using an inductively coupled plasma)

한국표면공학회 엄두승, 김창일, 김승한, 우종창

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.02 | 수정일 2025.07.05

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Scrubber 기본 개념

위험성 GAS 질식성 지연성 가연성 폭발성 독 성 부식성 악 취 Ar, N 2 , CO 2 , He O 2 , N 2 O, Air AsH 3 , PH 3 , SiH 4 , B 2 ... 가스 (Cl2, HCl, BCl3, HBr), 가연성 가스 (SiH4, SiH6, DCS, AsH3, PH3), 환경유해 가스 (PFC 계 : CF4, SF6, NF3, F2 ... BC 이롭다 . 공 정 GAS DIFFUSION LP CVD CVD DRY ETCH ION IMP HCl, H 2 , O 2 , N 2 , PoCl 3 SiH 4 , SiH 2 Cl

ppt테마 | 22페이지 | 10,000원 | 등록일 2025.06.11

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반도체 제조 공정 에칭

또는 CF 4 Gas 에 보조 가스인 Ar , He 과 같은 Inert gas , H 2 , O 2 gas 등을 추가한 혼합 가스 Al 의 경우 by-product 의 특성 때문 ... 에 BCl 3 +Cl 2 혼합 가스 사용Wet Etching 9 /12 용액성 화학물질을 사용하여 에칭 Wet Etching 화학적 반응 - Oxidation ... Etching In 2 O 3 + 6HCl → 2In 3 + + 6Cl - + 3H 2 O HNO3 : ITO 와 PR 계면에 침투Wet Etching Equipment 11

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.31

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판매자 표지

[유기화학]화학결합

를 얻어Cl ^{-}(1s ^{2}2s ^{2}2p ^{6}3s ^{2}3p ^{6}, 원자가 전자 8 = Ar의 전자배치)이 되려는 경향이 강하다.2. 이온 결합가. 이온의 형성원자 ... } Li(1.0){} _{4} Be(1.5){} _{5} B(2.0){} _{6} C(2.5){} _{7} N(3.0){} _{8} O(3.5){} _{9} F(4.0){} _{10 ... 이 높으면 에너지가 크다.② 값은 n=1. 2. 3. 4. 5 ???의 값을 가지며 전자 껍질을 나타낸다.2) 부양자수(azimuthal quantum number, l )① 방위양자

시험자료 | 9페이지 | 3,300원 | 등록일 2016.01.24 | 수정일 2020.08.01

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ETCHING

Cl 2 / Ar BCl 3 /Cl 2 /CHF 3 CCl 4 /O 2 SF 6 /Cl 2 46 3. 금속 건식 식각 (Metal Dry Etch) 금속 스택 식각의 전형적인 단계 ... + Cl Cl + Al  AlCl 3 Cl + TiN  TiCl 4 + N Cl + Ti  TiCl 4 Al TiN ARC( 무반사 코팅 층 ) BCl 3 CCl 4 /N 2 ... Etching 1 Contents 1. Introduction to the etch process 2. Dry etching 3 . Dry etching Application 4

리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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염화헥사암민코발트1()

3 HCl 알코올 활성탄 Na 2 C 2 O 4염화코발트 ( CoCl 2 ) 식량 129.839 g/mol (anhydrous) 165.87 g/mol ( dihydrate ... , 중간세공으로 통과하는 확산단계 ( 속도느림 ) 3 단계 : 확산된 흡착질이 미세공 내부표면과의 결합이나 채워지는 단계 ( 속도빠름 )옥살산 나트륨 (Na 2 C 2 O 4 ... [Z었다 . 예를 들면 [ CoX (NH 3 ) 5 ] n+ 착물 (X=I - , Br - , Cl - , H 2 O, NH 3 ) 은 , X=I - 일 때는 녹색 , Cl - 일

리포트 | 45페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.11.16

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CTL (coal-to-liquid)

Coal + Oxygen H 2 O (Steam) 1400 ℃ Sludge Steam + Syngas Gas Component CO 2 CO H 2 N 2 +Ar CH 4 H 2 S ... CTL (coal-to-liquid)Contents 1. CTL 의 이해 2. CTL 기술 3. CTL 현황 및 전망 4. 참고문헌CTL 의 이해 필요성 정의 특징 기본원리CTL ... /COS TOTAL 발열량 % % % % % % % 10.5 55.0 32.1 1.9 0.1 0.4 100.0 Kcal/Nm 3 2,500 조성 ICL ProcessRefining

리포트 | 32페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.10

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Type별 Scrubber 원리 및 반도체 공정,반도체 Gas 특성

Scrubber］Scrubber의 종류 및 특징구 분WetDryThermal WETBurn Wet처리대상 GASHCl, Cl2, WF6, BCl3, HBr, DCS, NH3 등 ... HCl, HF, HBr, SF6, Cl2플라즈마 에칭SiF4, CF4, C3F8, C2F6, CHF3, CClF3, O2이온빔 에칭C3F8, CHF3, CClF3, CF4클리닝 ... (Cleaning)NF3, CF4, C2F6, C3F8, SF6이온주입(Ion implantation)공정AsH3, PH3, PF5, BF3, AsF5, BCl3, SiF4, SF6

리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.02.26

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Chapter2

hex)Mg3(PO4)2(e)CaHPO4(f)BCl3(g)IF7(h)(NH4)2SO4(i)AgClO4(j)Fe2(CrO4)32.50Strategy:When writing ... 5A elements; they should have similar chemical properties.2.66H2, N2, O2, F2, Cl2, He, Ne, Ar, Kr ... metalloplest whole number ratio of the atoms in Na2S2O4 is NaSO2.(c)The molecular formula as written, N2O5

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.13

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Coal to liguid (석탄액화, CTL)

. DCL - Single stageCTSL Process 2. DCL - Two stageNEDOL, H-Coal CTSL, LSE, BCL 2. DCL3. ICL ... + Oxygen H 2 O (Steam) 1400 ℃ Sludge Steam + Syngas Gas Component CO 2 CO H 2 N 2 +Ar CH 4 H 2 S/COS ... Coal To LiquidContents Contents 1. Introduction 1. Oil Exhaustion 2. Peak Oil Theory 3. CTL History

리포트 | 50페이지 | 4,500원 | 등록일 2009.12.20

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반도체 제조공정

으로 SiF4, CF4, C3F8, C2F6, CHF3, CClF3, O2 등이 사용된다 . 이온빔에칭은 가스의 이온을 가속시켜 이를 웨이퍼 기판 표면에 부딪치게 함으로서 식각을 이뤄내 ... 하는 드라H4, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, B2H6, BBr3, BCl3, AsH3, TeH2, SnCl4, GeCl4, WF6, NH3, CH4, Cl2, MoF6 등 ... 은 반도체 칩의 표면에 보호막을 코팅하는 작업으로 반도체제조공정의 최후반부에 진행된다 . SiO2( 산화규소 ) 가 보호막의 역할을 수행하며 O2, SiH4, PH3 등이 공정용가스

리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.02

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[직접회로 공정론]0.2㎛ CMOS 설계

leaning67TEOS:8000Å RIE : CHF3+CF4+Ar 50:1 BHF Thickness : 1m Reactant gas : BCl3+Cl2 RIEPassivation ... deposition59Clean58P/R strip57Thickness : 0.7m Reactant gas : BCl3+Cl2 RIE SolventIMD depositionCuCuIMDP ... 0.2㎛ CMOS 설계Starting MaterialWell mask6Initial oxidation5Initial cleaning4Wafer Identification3

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.07.02

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박막의 표면 에칭방법-건식에칭과 습식에칭

Material Etching Gas Gate MoW, Ta, MoTa SF 6 CF 4 +O 2 Al BCl 3 +CL 2 Si 계열 n + a-Si/a-Si SF 6 CF 4 +O 2 Pixel ITO CH 4 +H 2 ,HI,HBr{nameOfApplication=Show} ... -carbon gas ♦ Inert gas such as Ar , He, H 2 , O 2 gas is used with etching reaction gas ♦ Al is ... etched by Chlorine gas because of By-product properties ♦ O 2 gas is used for the photoresist. Layer

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.03.10

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플라즈마 열처리

-), 로벽을 양극(+)으로 하여 수백 V의 직류고전압을 인가하여 글로우 방전을 일으킴 처리가스로는 Ar, H2의 캐리어가스와 CH4 또는 C3H8이 사용되며 발생된 C+ 이온이 처리물 ... 이 형성되기 쉬움연속 침탄이 어려움부품을 바스켓 내에 각각 개별적으로 장입해야 함2~10 Torr의 진공용기내에 반응가스 (BCl3 + H2)공급, 처리제품을 음극(-), 반응용기 ... 마 란 ?01.플라즈마 침탄처리 공정04.플라즈마란?전기 전도성을 가진 이온화된 기체 에너지상태플라즈마 열처리의 종류플라즈마질화처리침탄처리보로나이징N2 + H2가스를 1~10

리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.16

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2009 IEDM 주요 반도체업체 차세대 반도체 기술전망(IEEE International Electron Devices Meeting)

Technology?High-K를 이용한 control gate로부터 Floating gate 분리그림 3x nm : SiO2/Al2O3?Charge-Trap Flash Cell ... 3로 에칭이 가능, EA는 Cl2이 높지만, HfCl4의 기화열(23.8kcal/mol)보다 훨씬 낮음o STI CMP 기술관련- Fixed Abrasive(FA)가 미세공정 ... Etch- 로직 공정에서의 High-κ etch관련 문제? HfO2 profile control과 140℃이상에서 PSUB가 상당히 높은 문제가 있음? HfO2는 Cl2 또는 BCl

리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.05.07

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반도체가스의 성질과 안정성

반도체가스의 성질과 안전성1)표 1 무기가스의 물리적성질가스 명산소질소아르곤헬륨수소황화수소암모니아아산화질소분자식O2N2Ar 2He 2H2H2SNH3N2O분자량32.0028 ... (g/100gH2O)130.5표 2 수소화물의 물리적성질가스 명시란지시란포스핀아르신지보란스치핀세렌화수소수소화텔르르겔루망분자식SiH4Si2H6PH3AsH3B2H6SbH3SeH2H2 ... 공기 중에서청백색 불꽃을내여 타며As2O3를 발생타물질과의반응성Cl2 등의 할로겐가스와 거세게반응HBr,HI와 반응한다.PCl3+3HX→PX3+3HCl수소와 가열하에 반응하여PH3

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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CMOS 집적회로 제작공정

- BCl3, B2H6사용?n형 - PCl5, PH34) 증착?증착막 재료의 원소가스를 기판 표면위에 흘려 원하는 박막을 형성시키는 방법화학증착법(CVD) - 실리콘 질화막, 폴리실리콘 ... 3장 CMOS 집적회로 제작공정전체개요■ 웨이퍼제작■ CMOS 집적회로 제작에 사용되는 공정1) 세정2) 산화3) 에피택시4) 증착5) 이온주입6) 확산7) 에칭8) 금속화9 ... ⑧ 산화막 증착 및 컨택 컷 형성⑨ 메탈-1 형성⑩ 산화막 증착 및 비어 컷 형성⑪ 메탈-2 형성⑫ 보호막 및 패드 형성2) p-웰공정3) 트윈텁 공정4) SOI공정■ BiCMOS 집적

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.19

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