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발광 다이오드 led 원리 동아대 전기 디스플레이 공학 마이크로 led
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"InGaAlP/GaAs" 검색결과 1-20 / 45건

  • 자료 표지
    동아대학교 전기전자재료 과제
    : InGaN청색LED : InGaNUV LED : GaN, InAlGaNIR LED : GaAs, InGaAs, InGaAsN3. LED 재료 및 여러 가지 특성4.LED 재료5 ... 녹색)(ⅲ)GaAsP계 N 적색 LED: GaAs _{1-X} P _{X} : 적외선 (x=0) ~ 녹색(x=1)GaAs _{0.45} P _{0.55} : 피크 파장 650[nm ... ](ⅳ)GaAs계 등황색·황색LED: GaAs _{1-X} P _{X} 조성비를 적색LED보다 크게 : 단파장화N을 isoelectronic trap으로 첨가 : 발광효율향상(ⅴ
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.20
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  • 자료 표지
    In0.5(Ga1-xAlx)0.5P/GaAs 이중 이종접합 구조에 대한 표면 광전압 특성
    한국재료학회 김기홍, 최상수, 배인호, 김인수, 박성배
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    마이크로LED에 관해서 전망, 특징, 정리
    (GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb 등)로 구분된다.LED는 이러한 화합물 반도체가 p-n 접합된 구조로, 전극 양단에 인가된 전압에 의해 주입 ... 면 자외선 형태의 빛을, 작으면 적외선 형태의 빛을 방출한다.LED 산업은 1990년대 초 InGaAlP를 이용한 고휘도 적색 LED와 질화물(nitride) 청색 LED의 개발
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.04.01 | 수정일 2021.05.29
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  • 자료 표지
    적색 LED Review
    ,Ga)InP-GaAs or (Al,Ga)InP-GaPRed (AlGaInP-based) LED 기술 Trend..PAGE:6Red (AlGaInP-based) LED (s ... , Arima, Epitech (대만)대만은 적색 LED의 생산량에 관한한 세계 제일이다. 대만은 InGaAlP를 이용한 LED의 개발 초기부터 참여해시장 점유율을 높여 왔으며 ... -based) LED 국내외 기술 동향..PAGE:8LED structure : 30~100 layer 로 구성됨.각 Layer는 GaAs에 격자 정합되는 구조로 성장됨Red LED
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.07.14
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  • 자료 표지
    LED 레포트 A+
    돼 1980년대 AlGaAs 기술을 이용한 고휘도 적색 LED의 출현이 가능해졌고, 1992년 InGaAlP 물질을 이용해 백열전구 수준의 광효율을 얻어 고휘도 적색 및 주황색 ... 결합하는 P층의 금지대 폭으로 결정된다. GaAs결정은 Eg가 1.4[eV]이므로 그 파장은 약 [그림 2] GaAs 발광다이오드 890nm로 된다.LED의 특징가. 소형화 슬림 ... 하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.3 GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.03.09
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  • 자료 표지
    [공학/기술] 디스플레이 LED에 대한 보고서.
    반도체* LED의 역사1) 1907년 . H.J. Round가 발광현상 발견이 시초.2) 1950년대 . GaP, GaAs와 같은 III-V족 화합물 반도체에 대한 기초연구 시작 ... , 고습의 환경에 취약한 특성을 개선한 고 휘도와 고 신뢰성의 InGaAlP (Indium Galium Aluminum Phosphide) visible LED를 개발하여 에너지 ... 밴드 갭의 크기를 제어함으로서 , 녹, 황, 주, 적색의 LED를 쉽게 제작하였다. InGaAlP LED는 MOCVD (Metal Oxide Chemical Vapor
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.02.27
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  • 자료 표지
    화학/물리화학/LED 분광광도계의 제작
    량은 재료에 따라 다르지만 InGaAlP계의 LED는 온도상승에 따라 λd가 0.1nm/℃ 정도 변화한다.순방향 전압의 변화도 금지대폭의 변화에 의해서 발생하는 것이다. 온도상승에 따른 ... )GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광한다.4)GaAsP계 등황색. 황색 LEDGaAsP의 등황색 ... LED는 기판결정에 GaP를 이용하여 VPE법에 의해 발광용 p-n접합을 형성한다. GaAs1-XPX의 조성비 x를 적색 LED보다 크게 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65
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    | 리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.04.21
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  • 자료 표지
    LED (Light Emitting Diode)의 이해국내 LED산업의 문제점&발전 전략
    (BLU) Illumination 국내 LED 산업 문제점 LED 시장예측 국내 LED 산업 발전 전략반도체 분류 반도체 단원소반도체 (Si, Ge) 화합물반도체 (GaAs, InP ... 대부분 III-V 족 , III-III-V 족 , III-III-III-V 족 또는 III-III-V-V 족 결합 LED 재료 적색 LED : AlGaAs, InGaAlP 녹색 ... LED : InGaN 청색 LED : InGaN UV LED : GaN, InAlGaN IR LED : GaAs, InGaAs, InGaAsNLattice constant a o
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    | 리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.01 | 수정일 2017.09.25
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  • 자료 표지
    LED-TV의 현황과 R&D 방향
    epitaxy) 를 이용하기도 함 GaAs 기판을 이용한 InGaAlp 계 LED 는 격자정합 구조이므로 결함의 생성이 문제시 되지 않지만 Sapphire 기판과 질화물계 에피층 ... 을 크게 개선할 수 있음 GaAs 를 사용하는 InGaAlP 계 LED 의 경우 기판이 전도성이므로 전극은 top-bottom 의 형태로 제작되지만 Sapphire 기판을 사용
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.23
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  • 자료 표지
    LED 발광다이오드
    는 InGaAlP기술이 개발됨으로써 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상용화되기 시작하였다.사실상 이때부터 LED 교통 신호기의 보급의 혁명이 시작되었다고 볼 수가 있다. 1993 ... :NGaPGaPGaPGaPLPELPELPE빨강초록순녹7005655552-40.3-0.40.1-0.20.4-0.81.95-2.600.68-1.36GaAs0.6P0.4GaAs0.35P0 ... 해서는 직접천이 형 반도체의 사용이 필수적으로 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체가 이에 해당한다.적색 LED의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합 결정인 GaAlAs, GaAs
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    | 리포트 | 19페이지 | 3,700원 | 등록일 2011.04.04
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  • 자료 표지
    LED에 대하여
    )를 발광시킬 경우, 적색 LED에서는 GaAlAs와 같은 3원계, 혹은 InGaAlP와 같은 4원계 조성의 화합물 반도체 박막성장이 필요하며, 녹색 LED의 경우 처음에는 GaP ... 을 성장시켜 활성층으로 사용한다면, deep UV에서 가시광선은 물론 적외선까지도 구현이 가능하다. 그러나, 현재 고휘도 적색 및 등황색 LED의 경우, InGaAlP 양자 우물 구조 ... 에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.(3) GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x를 바꿈
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.02
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  • 자료 표지
    발광다이오드 LED 원리 역사 기술동향
    外領域)에 존재할 것, ② 발광효율이 높을 것, ③ p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 ... GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있 ... InGaAlP LED(적색, 주황색, 호박색)와 고휘도 GaN LED(청색, 녹색, 백색)의 출현으로 종래의 저휘도 발광 다이오드(LED)를 이용한 표시등, 단순 디스플레이 등의 단순 가전
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.08.26
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  • 자료 표지
    White LED의 기술개발동향과 전망
    ) 전극의 배치GaAs를 사용하는 InGaAlP계 LED의 경우는 기판이 전도성이므로 전극은 top-bottom의 형태로 제작되지만 sapphire 기판을 사용하는 경우, n-GaN ... 계 LED(청색, 녹색, UV)용으로 sapphire와 SiC가 있으며 InGaAIP 또는 AlGaAs(적색, IR)계 LED용으로 GaAs 기판이 있다. 질화물계 LED 용으로 이상
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.21
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  • 자료 표지
    LED 산업육성을 위한 구체적인 방안
    었다. 1992년에서부터는 AlGaAs기술보다 훨씬 휘도를 높일 수 있고, 신뢰성을 확보할 수 있는 InGaAlP기술이 개발됨으로써 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상용화되기 시작 ... 7005655552-40.3-0.40.1-0.20.4-0.81.95-2.600.68-1.36GaAs0.6P0.4GaAs0.35P0.65:NGaAs0.25P0.75:NGaAs0.15P0.85 ... 하기 위해서는 직접천이 형 반도체의 사용이 필수적으로 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체가 이에 해당한다.적색 LED의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합 결정인 GaAlAs
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    | 리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.05
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  • 자료 표지
    특수 목적 다이오드 레포트 & 특수 목적 다이오드의 종류 및 특성
    이 일어나는지 알아보겠다. 아래 정리되어 있는 각 항목을 살펴보자.반도체 물질 :갈륨 - 비소 (GaAs : 적외선),갈륨 ? 비소 - 인 (GaAsP : 빨강, 주황)갈륨 ... ? 알루미늄 - 비소 - 인 (GaAlAsP : 빨강, 노랑, 초록)인듐 ? 갈륨 - 알루미늄 - 인 (InGaAlP : 빨강, 노랑, 초록)실리콘 - 카바이드, 갈륨 - 질소 (SiC
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.12.27 | 수정일 2015.06.03
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  • 자료 표지
    LED와 ELD의 발광 메커니즘
    높이에 해당하는 것으로, 역시 전압이라 불린다. 이 역치 전압은 LED재료나 소자 구조에 의해 결정되고, GaAs에서는 1.0 ~ 1.2V, GaA1As에서는 1.5 ~ 1.7V ... al, display 분야로 확장되었다.1992년 InGaAlP 기술을 이용한 초고휘도 적색 LED가 개발되면서 교통신호, 자동차 외장램 프 등으로 활용되기 시작하였다.질화물
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    | 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.04.11
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  • 자료 표지
    반도체 재료
    (GaAs) 6 원소반도체원소반도체의 이용 7 다이오드 트랜지스터 수광소자화합물반도체 재료 8 탄소와 양성원소의 화합물 탄화수소 외에는 모두 고체 1) 탄 화 물 2) 산소족화합물 ... ) 란 ? LED 재료 적색 LED : GaAlAs , InGaAlP 녹색 LED : GaP 청색 및 녹색 LED : InGaN 그 외 나노소자 , 반도체 레이저 등 다양하게 이용
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    | 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23
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  • 자료 표지
    LED의 응용 분야
    가 진척되었고, 이것의 기본적 기술력이 화합물 반도체에도 응용전개 된 결과, LED 관련 기술을 약진시키는 원동력으로 작용하게 되었다. 특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등 ... 는 InGaAlP기술이 개발됨으로써 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상용화되기 시작하였다. 사실상 이때부터 LED 교통 신호기의 보급의 혁명이 시작되었다고 볼 수가 있다. 1993년말 ... Inverted Pyramid) 구조의 InGaAlP LED가 형광등 수준을 훨씬 추월하게 되었다. 적색 LED의 조명효율이 적색 필터를 쓴 백열전구에 비하여 20배 이상 높음을 알 수
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.25 | 수정일 2018.04.26
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  • 자료 표지
    White led의 정의
    (InGaAlP/GaAs) Green (InGaN/GaN) Blue (InGaN/GaN) UV (InGaAlN/GaN) 고온- 고전압 등의 악조건에서 내구성이 양호LEDLED(Light
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 19페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.01.02
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  • 자료 표지
    발광다이오드 내용과 국내외 기술 동향 및 시장 분석
    .p-n 접합부에서의 발광 관측을 시작으로 GaAs, GaP, ZnSe 등의결정성장기술, 주입발광현상에 관한 수많은 연구발표? 1968년 GaAsP 적색 LED lamp의 발매 ... InGaAlP기술이 개발됨으로써 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상용화되기 시작.사실상 이때부터 LED 교통 신호기의 보급의 혁명이 시작되었다고 볼 수가 있다.? 1993년 일본 ... 계 적색 LED? GaAs1-xPx의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광? GaAsP는 기판결정상에 VPE법으로 n형 GaAsP를 성장하고 Zn의 확산
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    | 리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.22
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