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FTO 브리즈만 법 반도체 공정 4-point probe DIFFUSION 공정
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"HCl dopant" 검색결과 1-20 / 36건

  • 자료 표지
    폴리아닐린을 함유한 도전성 복합필름의 제조 및 특성 연구(2) (Characterization of Biodegradable Conductive Composite Films with Polyaniline(2))
    한국응용과학기술학회 이수, 성은숙
    논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.08 | 수정일 2025.05.08
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  • 자료 표지
    반도체 제조공정
    : Ingot 생산에 필요한 원부자재 (다결정 Silicon, Quartz Crucible, Dopant)를 생산계획에 따라 준비하여 Grower안에 넣습니다.Crystal ... : H2O2,H2SO4,NH4OH,IPA, HCl설비 : Etching장비 재료 : E/Chem:HF,BOE, E/ Gas : SF6,F14(CF4),F23(CHF3), Freon(C ... 2F6), C4F8,Cl2,NF3, F113(C2HCl2F3),HBR, BCl3. 반도체 제조 공정 - 전공정Ion Implant : 회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.04.18
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  • 자료 표지
    [반도체공정]Thermal Process 열공정 레포트 및 문제풀이
    이 낮아진다. P, As, Sb 등의 n형 도펀트는 반대로 실리콘 쪽으로 더 이동한다. 따라서 Si-SiO2 계면의 dopant concentration은 원래의 값보다 현저히 높 ... , pad, gate oxide와 같은 얇은 산화물 층에서 dry oxidation 공정을 사용한다. 산화 공정 중 HCl gas를 이용하면 일부 Cl 원자가 계면에서 실리콘과 결합 ... 를. 산소 분자의 경우 gate oxide를 성장시키기 위한 source로서 필요하고, HCl은 mobile ion에 의한 contamination을 줄이고 interface s
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.25
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  • 자료 표지
    캡스톤디자인1 Solarcell Project 최종발표
    . Solar Cell Process 1 2 3 4 1. epi growth MOCVD MBE 1. Solar Cell Process 1 2 3 4 2. Cleaning • HCL ... Prn : 아세톤을 넣고 PR 을 녹임으로써 메탈이 Lift off 됨 RTA • RTA 란 ? 짧은 시간 동안 열처리하여 반도체 내의 dopant 원자가 이동하는 것을 최소
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 37페이지 | 10,000원 | 등록일 2021.07.16
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  • 자료 표지
    반도체 - 단결정 성장 방법
    ℃ 부근에서 성장관 내부를 완전히 불투명하게 탄소 코팅하여 사용하였다.원료 물질은 공기 중에서 쉽게 산화되므로 5% HNO3과 5% HCl로 산화피막을 제거한 후, 탄소 코팅 ... 는 GaAs 성장에 사용되며, 온도 영역 I은 HCl과 접촉하는 Ga 소스를 포함하고, 영역 II는 AsH 3의 열분해 영역 이고, 영역 III은 GaAs 에피 택셜 막이 기판 상 ... 에 증착되는 곳이다.GaCl 3 및 AsH 3가 만나 반응한다. 이 시스템은 다른 III-V 화합물과 Al-dopants를 갖는 화합물을 성장시키는 데에도 사용될 수 있습니다.5
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.01.28
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  • 자료 표지
    반도체공정과제
    (bubbler)를 통과하면서 SiCl4+H2의 혼합 기체로 바뀌며, 이어서 이 혼합기체는 원하는 불순물(dopant)을 포함하고 있는 다른 기체들과 섞여 반응기 내의 기판 결정 위로 도입 ... 적합하다.2) 성장속도 빠르다.3) 얇은 박막의 성장 가능4) 열평형 상태에 가까운 조건에서 성장단점1) 유독가스(HCl)를 원료로 사용한다.3. 공정 과정HVPE 방법에서는 Ga ... 1하여 HCl 상태로 배기(Exhaust)된다.MOVPE1. 장비의 구성시약이 기체 상태 인 유기 금속 화합물의 층의 증착으로 구성된 에피 택셜 기술이다. 임베딩은 대기압 또는
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    | 리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.30
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  • 자료 표지
    폴리아닐린을 함유한 도전성 복합필름의 제조 및 특성 연구(2)
    한국유화학회 이수, 성은숙
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    반도체 공정 중간고사 대비 정리
    ~98% pure (not so pure)2.Conversion of MGS to SiHCl3Si(s)+3HCl(g)=>SiHCl3(g)+H2(g)+heatSiHCl3(g ... (Electronic Grade Silicon)2SiHCl3(g)+3H2(g)=>2Si(s)+6HCl이 Si(s)는 almost 100% pure Si (99.9999%~)■CZ ... interfaceLiquid의 농도는 일정하지만, solid의 농도는 interface에서 멀어질수록 농도가 낮아짐. 농도 차이만큼 dopants -> impurities
    Non-Ai HUMAN
    | 시험자료 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.12.11
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  • 자료 표지
    [고려대 재료공학실험 - 예비보고서] Hall measurement 및 4-point probe를 이용한 반도체의 전기적 특성 분석
    는다. ITO에 Sn이 3at% 미만으로 도핑 되어 있을 때는 첨가된 dopant보다 전체 반송자(carrier)의 농도가 크게 나타나지만 3at% 이상 도핑할 경우 dopant ... 과 HCl 간의 반응에 의해 생성된 수소에 의해서만 가능하다. 결정화 온도가 높고, 에칭이 힘들기 때문에 복잡한 공정을 거쳐야하고 이는 투명전극으로의 활용은 불리한 점으로 작용한다.3 ... 를 이용하여 결함 농도를 증가시켜 저항을 낮추는 방법, implantation, plasma 공정으로 불순물(impurity)를 넣는 방법, Ga, B, Al, 등의 dopant
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.17
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  • 자료 표지
    투명전극 전기적 특성 평가
    으로 도핑 되어 있을 때는 첨가된 dopant보다 전체 carrier의 농도가 크게 나타나지만 3 atomic% 이상 도핑 할 경우 dopont의 농도가 carrier의 농도보다 크 ... 과 HCl 사이의 반응으로부터 생성된 수소에 의해서만 식각할 수 있다. 박막은 유리 기판에 화학적으로 부착되기 때문에 접착 강도가 약 200 kgf/ 로서 우수하다. 는 ITO
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.30
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  • 자료 표지
    반도체 제조공정
    된 금속을 제거하기 위해 fractional distillation(부분증류법)을 필요로 한다. 여기에는 HCl이 사용된다.이 과정에서 금속 불순물은 FeCl3과 같은 염화물을 생성 ... silicon을 쌓는 과정을 stacking이라 한다. 이 과정에서 필요에 따라 dopant도 함께 들어가게 된다.dopant가 어떤 물질이냐에 따라서 만들어질 wafer
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.16
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  • 자료 표지
    MO-CVD 설명
    함으로써 성막 속도 제어 용이하고 다른 성장 Process에 비하여 박막 성장 속도 매우 빠름 HCl등 산이 관여하지 않기 때문에 기판 및 장치 손상 적음 성장된 layer의 높 ... -dopant)CCl4와 동일CCl4와 동일CBr4Carbontetrabromide (p-dopant)액상, LED 생산품에서 사용됨.(C2H5)2TeDETe (n-dopant)기체 ... , 가연성SiH4과 유사하지만 열분해 온도 더 낮음. SiH4 보다 고른 dopingSi2H6Disilane (n-dopant)화학적인 특징을 저감시키는 오존으로부터 법적 규제 받
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    | 리포트 | 12페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.04.17 | 수정일 2018.09.28
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  • 자료 표지
    TCO,ITO
    은 내부 산소 공공(oxygen vacancy)에 직접적인 영향을 받으며, ITO에서 Sn이 3 atomic% 미만으로 도핑되어 있을 때는 첨가된 dopant보다 전체 carrier ... band gap이 3.87～4.3eV이고, 가시광선 및 근적외선에 대하여 80% 이상의 높은 투과율을 나타낸다. 또한 화학적 내구성이 우수하여 아연과 HCl 사이의 반응으로부터 생성
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25
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  • 자료 표지
    sputtering
    은 내부 산소 공공(oxygen vacancy)에 직접적인 영향을 받으며, ITO에서 Sn이 3 atomic% 미만으로 도핑되어 있을 때는 첨가된 dopant보다 전체 carrier ... band gap이 3.87～4.3eV이고, 가시광선 및 근적외선에 대하여 80% 이상의 높은 투과율을 나타낸다. 또한 화학적 내구성이 우수하여 아연과 HCl 사이의 반응으로부터 생성
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.25
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  • 자료 표지
    Layer by layer-polyaniline(LbL) 을 이용한 HCN가스 검출 기체 센서의 개발
    에 적용Polyaniline MechanismPolymerization: Aniline monomer+ HCL(dopant) + (NH4)2S2O8(initiator) 합성 후 ... .porous: 기공이 많아질수록 접촉할 수 있는 표면적이 증가하므로 감도가 증가 3.Dopant 종류와 시간: 도핑물질의 크기가 클수록 (steric hindrance) 도핑 시간이 짧
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    | 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.04
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  • 자료 표지
    디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정1
    : 3족이나 5족. 6. Cl : HCl, Cl을 포함한 유기물질 vapor에 의해산화 공정반응로의 구조 -Boat : 실리콘 웨이퍼를 탑재하는 장치. -Torch : H2와 O2 ... 을 도핑하는 방법(Doped Poly Si). - Diffusion에 의한 도핑방법 : 순수 Poly Si성장 → Dopant Source 공급되는 반응로에서 900~1000 ... ℃의 고온 열치리. 장점 : 매우 높은 농도의 dopants를 poly-Si 박막에 침투. 단점 : 고온공정이라는 점과 surface Roughness(표면 거칠도)를 증가LP-CVD
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    | 리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20
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  • 자료 표지
    화합물 반도체
    어 왔다.LPE 박막에 대해 doping도 행해지며 GaAs 경우에 n type dopent로는 Sn, Se, Te 등이 p type dopant 로는 Zn와 Ge이 사용된다. Hg ... 1-xCdxTe의 경우에 n type dopant로는 In p type dopant 로는 As이 사용된다.3.3 VPE법에 의한 박막 성장VPE법은 화학증착법의 일종으로 볼 수 있 ... 과 수소이다. 이 process는 비교적 간단하며 micro wave device의 제조에 많이 사용되어 왔다. Hydride법은 GaCl의 source로서 HCL과 Ga을 Ⅴ족 원소
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    | 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02
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  • 자료 표지
    Thermal Oxidation -Furnace
    소자에서 매우 우수한 절연체(insulator)로 전류와 도핑물질(dopant)의 이동을 막는데 사용..PAGE:4T < 200 ℃ : anodization : ethylene ... (4:1)-HF (100 : 1)-Metal contaminant : HCl(100%) or SC-2- Dry nitrogen(N2) 주입 : 산화 방지- 온도가 1000
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    | 리포트 | 28페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.02.13
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  • 자료 표지
    epitaxy
    성이 매우 큰데, 예를 들어 VPE법은 원하는 불순물(dopant) 농도를 갖는 에피층을 연속적으로 여러 층 성장시킬 수 있어 비교적 간단하게 서로 다른 불순물 농도를 갖는 다중 기능 ... )의 증기를 수소기체와 반응시켜 단결정 Si와 무수(anhydrous) HCl을 생성시키는 방법이 있다.이와 같은 반응이 가열된 결정의 표면 위에서 진행되면 이 반응에 의하여 방출 ... 된 Si 원자가 에피층으로서 침착될 수 있는 것이다. HCl은 이 반응 온도에서는 기체상태로 머물러 있게 되어 결정성장을 방해하지 않는다. 한편 화합물 반도체(예: GaAs
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.09
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  • 자료 표지
    [반도체]반도체 제조 공정
    은 사염화규소나 삼염화 사일렌으로 시작한다. 사염화 실리콘 : SiCl4+2H2-4HCl+Si 삼염화 사일렌 : 2SiHCl3+2H2-6HCl+2Si 이때 추출된 실리콘은 다결정 ... 단결정 성장시 적절한 Dopant를 첨가하여 n형 및 p형 Si웨이퍼를 제조한다. 대부분은 웨이퍼 그 자체도 상품이 된다.2. 결정 성장 및 웨이퍼 형성3. 웨이퍼 가공웨이퍼 가공 ... 성과 전도성이 Dopant 첨가에 따라 변화한다3-(1) 막 형성실리콘 마이크로칩을 만드는 첫 과정은 실리콘 웨이퍼 표면에 SiO2 박막을 키우는 일인데 이 막은 절연체에 속한다. 이 외
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    | 리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.01
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