"Ar ion beam"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

스퍼터링 AES분석 auger 분석 증착 chiller RF-magnetron sputtering 박막공정 반도체 공정

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"Ar ion beam" 검색결과 1-20 / 110건

Ar+ 이온 빔 조사가 탄소섬유와 열경화성 수지 간 계면결합력에 미치는 영향 (Effects of Ar+ Ion Beam Irradiation on the Adhesion Forces between Carbon Fibers and Thermosetting Resins)

한국고분자학회 박수진, 서민강, 김학용, 이경엽

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.17 | 수정일 2025.05.22

다운로드
이중 이온빔 스퍼터링 방식을 사용한 보조 이온빔의 Ar/O2 가스 유량에 따른 Ta2O5 박막의 제조 및 특성분석 (Characteriistics Analysis and Maunfacture of Ta2O5 Thin Films Prepared by Dual Ion-beam Sputtering Deposition with Change of Ar/O2 Gas Flow Rate of Assist Ion Beam)

한국세라믹학회 윤석규, 김회경, 김근영, 김명진,이형만, 이상현, 황보창권, 윤대호

논문 | 1165페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.17 | 수정일 2025.05.22

다운로드
판매자 표지

반도체 공정 정리본

이 끝나면 탈착(desorb)된다.Gas stream으로 diffuse되어 Chamber 밖으로 옮겨진다.Ion millingIon milling 과정은 순수한 Ar+ 이온을 사용 ... Ar 원자와 충돌하여 Ar 원자들을 이온화시킨다.이렇게 생성된 이온은 Wafer의 표면을 때리게 되는데, 이러한 과정은 ion bombardment라고 한다. Etching ... 은 딜 수 있다. Plasma 처리 및 E-Beam 충격도 Photoresist를 효과적으로 경화시키는 것으로 나타났다. 현재 상업용 Deep-UV 경화 시스템이 이용 가능하고 널리

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 61페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.07.15 | 수정일 2023.07.02

다운로드 장바구니
Ar 이온빔 조사에 따른 SnO2 박막의 물성 연구 (Effect Effect of Ar Ion Irradiation on the Hydrogen Gas Sensitivity of SnO2 Thin Films)

한국열처리공학회 허성보, 이영진, 김선광, 유용주, 최대한, 이병훈, 김민규, 김대일

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.17 | 수정일 2025.05.22

다운로드
반도체 전공정 면접 대비 자료

. Gography or 가격 비싼 x-ray litho, E-beam litho(마스크 형성) EUV -필요성: 미세화된 mask 패턴 만들기 위해. 주로 gate 패터닝에 사용 ... electivity, 생산성 좋지만 미세패턴 x Dry etch -종류: chemical etching(라디칼), physical etching(Ar이 전자충돌해 Ar+->bias에 의해 ... 식각), RIE, protective ion enhanced etching -RIE issue: footing(si-sio2 계면 +전하 쌓임), bowing, micro

자기소개서 | 16페이지 | 3,500원 | 등록일 2024.10.01 | 수정일 2024.10.15

다운로드 장바구니
집속이온빔 가공 처리된 오스테나이트 스테인리스강의 표면 손상층 제어 방법 (Effective Removal Method for Layer of FIB-Induced Surface Damage in Austenitic Stainless Steel)

대한금속·재료학회 진형하, 류이슬

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.17 | 수정일 2025.05.22

다운로드
기기분석2 현미경 레포트

(Scanninnsmission Electron Microscope), FIB(Focused Ion Beam)과 같이 전자나 이온을 이용한 장치를 사용해 추측이 맞는지 물리 해석을 수행 ... Imaging)하거나 소자 절단, 연결 등 시료 표면 가공에 쓰일 수 있다.1. FIB의 원리a) LMIS(Liquid Metal Ion Source)에서 발생한 이온을 Aperture ... . FIB의 반도체 응용FIB를 이용한 기술은 회로 수정, FIB Cross Section, TEM Sampling, Ion Channeling Contrast, 3D 나노 구조

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.08.31

다운로드 장바구니
RF 마그네트론 스퍼터링 및 전자빔 이베이퍼 증착 방법 및 과정 애니메이션

beam evaporator Ion Au 4. 2 번과 같은 방법으로 Au 층 위에 GZO 층 증착 GZO1. ITO 2. GZO/Au/GZO 4. 결론 3. WO 3 /Ag ... 실험방법 1. 유리 기판 세척 2. RF 마그네트론 스퍼터로 유리 기판 위에 GZO 층 증착 GZO Glass Substrate Glass Substrate MFC Ar Gas ... Vacuum pump GZO RF Power supply gun Plasma Ion e - GZO 3. 전자빔 이베이퍼로 GZO 층 위에 3nm 의 Au 층 증착1. ITO 2

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.05.12 | 수정일 2017.05.15

다운로드 장바구니
A+ 박막의 패터닝 실험 예비보고서

)(d) 반응성 이온식각 (Reactive Ion Etcher : RIE)(e) 삼극 평면 식각장치 (Triode Planar Reactor)(f) 이온 빔 식각장치 (Ion Beam ... 하여 산화막(SiO2) 위를 PR 코팅한다.2) 광학 현미경을 사용하여 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양을 관찰한다.3) 광학 현미경을 사용하여 패턴된 산화막식각 [C2F6/Ar ... plasma]-‘표면 코팅 및 식각 장치’를 이용하여 C2F6/Ar plasma를 발생시켜 선택된 가스, pressure와 power의 식각 조건에서 실험을 진행한다.4) 광학

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.01.27

다운로드 장바구니
Principles of X-ray Photoelectron Spectroscopy

with ion-beam sputteringDepth profiling5-100 ÅDepth probedYes, in many materialsChemical state ... rate (preferential sputtering) 4. Surface charging; electron consumption of Ar+ ion 5. Chemical ... 시키는 ir photon을 irradiate 하면 photon energy loss를 볼 수 있음IR Surface enhanced IR spectrometerion beam

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 99페이지 | 4,000원 | 등록일 2017.09.22

다운로드 장바구니
CT

(횡단 및 회전)Narrow fan beam (좁은선속) 180도(10도씩)제2세대 검출기 : 5~30Motion ar. 최초 brain CT Water back (경화방지 ... tube사용 -장시간 부하시 출력안정Spiral CT : R-RT-R (횡단 및 회전)X선관 회전, 검출기 고정 R-S회전식부채형 (wide fan beam)제4세대Ring ... artifact (장치에 의한)360도회전 (시계.반시계) R-R (회전 및 회전)Fan beam (부채형)제3세대 검출기 :260~520Bow tie filter (경화방지)T-R

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 80페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.05.28

다운로드 장바구니
증착법

-beam Evaporation), 스퍼터링 법(Sputtering)이 있다. 이 방법들이 공통적으로 PVD로 분류되는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태 ... 다eam 증발, 즉 증발은 heating과 E-beam으로 하는데 E-beam은 열 증발으로 열에 의해 증발하는 것이다. 이 때 증착시키는 물질은 source물질이라하고 이 때 ... 박막의 오염이 되면 안되고, 증발된 source물질이 기상에서 분자와 충돌하여 산란하는것을 막기위하여 고진공(torr이하)을 요구한다. 이 때 물질을 증발시키는 방법에는 E-beam

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.12.08

다운로드 장바구니
표면 분석(AES/SAM)

으며, 잔류 기체에 의한 시료의 오염을 줄일 수 있다. 현재 이 MEIS 장비의 UHV-ion beam assisted deposition 박막 성장 장비를 연결하여 epi-초박막 ... 의 표면 계면 화학조성 분석과 원자 구조분석, 계면의 변형(strain) 깊이 분석에 대한 정보를 얻을 수 있다는 것이다. 이에 대한 주요 결과로 Ar 이온빔에 의한 ... . 표면/계면 화학조성 분석 (1) 스퍼트링에 의하여 조성이 변한 표면층 분석표면 조성을 원자층의 분해능으로 측정할 수 있다는 것을 Ar+ 이온빔에 의한 preferential s

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 37페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.09.22

다운로드 장바구니
[2015 년도 A+] 패터닝 결과레포트

하여 국부적으로 바닥면의 식각속도를 증가시키기 때문에 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 이온의 입사각도를 조절할수 있는 Reactive Ion Beam etching ... . ( Ar → Ar++ e- ) 이때 식각장치는 웨이퍼의 밑부분을 음전하로 만들어주고, Ar+ 이온은 SiO2 층을 공격하여 깎아낸다. 이는 건식식각중 물리적식각에 해당되며, 단점 ... 웨이. 각각의 웨이퍼는다른 조건은 동일하게 즉, Ar 가스와C2F6 가스의 부피유량, Pressure와시간을 동일하게 놓고 오로지 출력만변화시키며 실험을 진행하였다. 1번과 2번

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.11

다운로드 장바구니
PVD의 종류와 특성, 응용분야

에을 발생시키는 방법에 따라 D.C, R.F(Radio Frequency), microwave, ion beam 등이 있다. 가장 간단한 기술은 직류 2극 스퍼터링이며, 일반 ... ourc시킬 수 있다.아래 그림은 저항열을 이용한 evaporation의 형상을 보여준다.2)Electron Beam Evaporation전자 beam을 이용한 증착방법은 증착재료 ... 의 용융점이 높은 경은 경우에 주로 사용된다. Electron beam source인 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자 beam을 전자석에 의한 자기장으로 유도

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.01.08 | 수정일 2023.04.29

다운로드 장바구니
BMW GROUP 현황과 미래 - 기술력과 디자인의 조화 [BMW GROUP Present and Future-Harmonization of technical design]

LIFE-DRIVE AR C HITE CTURE EXPANSION PLANT SPARTANBURG, USA BMW ACTIVE E CARBON PRODUCTION MOSES ... G IC APP R O A C H VI S ION이동 사람들에게 영감을. . VISION We are Number ONE. We inspire people on the move ... Park Distance Control BMW Selective Beam Remote Control Parking Active cruise control with Stop Go

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2016.09.05

다운로드 장바구니
재공실 - sputtering 결과보고서

을 열음극형 카우프만 이온원을 사용하는 이온빔 스퍼터(ion beam sputter), 전자 사이클로트론 공명(electron cyclotron resonance)형 이온형을 사용 ... : 기판6)Shutter : 기판과 타겟 사이를 차단하는 장치이다. 원하는 곳에, 원하는 시간만큼 증착을 하기위해 순간적으로 차폐해준다.7)Gas systen : 챔버 내에 Ar가스 ... 와 탄성 혹은 비탄성 충돌을 하여 타겟표면의 원자나 분자는 증발하는 스퍼터 증발(sputtering evaporation) 혹은 조사된 이온이 물질 속으로 흡입되는 이온 주입(ion

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.29

다운로드 장바구니
PVD

Electron beam Molecualr beam Ion plating Laser ablating Radio-Frequency DC Magnetron 박막 성장 방법 2PVD ... (Pulse laser evaporation)15 Electron beam evaporationThermal elcteron 16 Electron beam ... evaporationPrinciple 17 Electron beam evaporationVariety of method 18 Electron beam evaporation270°bending

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 77페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24

다운로드 장바구니
반도체 공정의 이해

만 , 고회전시켜 Gas 분자에 더 많이 충돌하게 만든다 . analyzer ; Source 에서 생성된 Beam 에는 동위원소를 포함해 여러 가지 Ion 들이 포함 되어있 ... 는데 analyzer 안에 들어있는 magnet 을 이용해 이온들을 제어한후 여기서 주입될 Ion 들만을 찾아낸다 이온주입을 하게 되면 Si wafer 의 격자구조가 damage 를 입 ... 을 사용해 액체를 젤로 다시 젤을 고체물질로 변화시켜 막을 형성 Sputtering( DC/RF/magnetron ) Evaporation( Thermal/E-beam ) LPCVD

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

다운로드 장바구니
CABIE-dry etching

하기 힘든 물질들을 식각할 때 사용된다.이온빔 식각(IBE) 이란?Chemical Assistant Ion Beam Etching. 화학 보조 이온빔 식각이라 한다. Ar 등과 같 ... 식각(Etching) 이란? 건식 식각(Dry Etching) 이란? 이온 식각(Ion Etching) 이란? 이온빔 식각(Ion Beam Etching) 이란? CAIBE 방식 ... 은 이온빔 식각(이온빔 밀링), RF 스퍼터 식각으로 나뉜다.이온 식각(Ion Etching) 이란?Ion Beam Etching 또는 이온빔 밀링(Ion Beam Milling) 이

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.04

다운로드 장바구니

이전10개12 3 4 5 6 다음10개

파워링크

신청하기