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EasyAI “8전압” 관련 자료
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"8전압" 검색결과 1-20 / 28,845건

  • 새로운 기준 전압 인가 방법을 사용하는 8b 200MHz 시간 공유 서브레인징 ADC (An 8b 200MHz Time-Interleaved Subranging ADC With a New Reference Voltage Switching Scheme)
    본 논문에서는 단일 폴리 공정을 기반으로 하여 8b 해상도로 200MHz의 고속 동작을 하기 위해 최적화된 시간 공유 서브레인징 ADC(Analog-to-Digital ... Converter)를 제안한다. 제안하는 ADC는 높은 정확도를 요구하는 하위 ADC에 이중 채널 구조를 적용하여 높은 샘플링 주파수를 보장하였고, 새로운 기준 전압 인가 방식을 적용 ... 하여 기준 전압의 빠른 정착 시간을 얻으면서 동시에 칩 면적을 크게 감소시켰다. 기준 전압을 생성하는 저항열에서는 선형성 및 속도 향상을 위해 기존의 인터메쉬드 구조를 보완한 새로운
    논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.16 | 수정일 2025.06.17
  • LCOS 패널용 전압-모드 5-1.8V DC-DC 벅 컨버터 IC (A Voltage-Mode 5-1.8V DC-DC Buck Converter IC for LCOS Panels)
    한국정보기술학회 김훈, 이상록, 정원섭
    논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.09 | 수정일 2025.05.17
  • 온-칩 RC 필터 기반의 기준전압을 사용하는 8b 220 MS/s 0.25 um CMOS 파이프라인 A/D 변환기 (An 8b 220 MS/s 0.25 um CMOS Pipeline ADC with On-Chip RC-Filter Based Voltage References)
    본 논문에서는 온도 및 전원전압에 덜 민감한 기준전압을 위해 온-칩 필터를 사용하는 8b 220 MS/s 230 mW 3단 파이프라인 CMOS A/D 변환기 (ADC) 회로 ... 부하에서도 기준전압의 정착시간을 줄인다. 시제품 ADC는 0.25 um CMOS 공정을 이용하여 설계 및 제작되었고, 입/출력단의 패드를 제외한 코어 면적은 2.25 mm2 이 ... 의 경우에 비해 3 dB 정도만 감소되었다. This work proposes an 8b 220 MS/s 230 mW 3-stage pipeline CMOS ADC with on-c
    논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.12 | 수정일 2025.07.19
  • 20% 황산 및 8% 황산 + 3% 옥살산에서 AA6061 합금 표면에 형성된 아노다이징 피막의 내전압 특성 (Dielectric breakdown of anodic oxide films formed on AA6061in 20% H2SO4 and 8% H2SO4+ 3% C2H2O4 solutions)
    Anodizing of Al6061 alloy was conducted in two different electrolytes of 20% sulfuric acid and 8% s ... resistance of the anodic oxide films to crack initiation. The anodic oxide film formed in 8% sulfuric acid ... . Anodizing of Al6061 alloy was conducted in two different electrolytes of 20% sulfuric acid and 8% s
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.05 | 수정일 2025.07.10
  • 8주차-실험8 예비 - MOSFET 기본특성2- 문턱전압, 이동도, "on"저항 Ron
    전자회로실험Ⅰ교수님조교님실험 8. MOSFET 기본특성Ⅱ - 예비보고서문턱전압, 이동도, “on”저항R _{on}제출일 : 2016. 04. 29. 금요일실험제목 : MOSFET ... 기본특성Ⅱ- 문턱전압, 이동도, “on”저항R _{on}1. 실험 목적본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정하는 것이다. 이 실험을 마친 후 ... 에는 다음을 이해할 수 있다.- MOSFET의 채널은 소오스-드레인의 작은 전압V _{DS} `에 대해 작은 전류i _{D}가 흐르는 저항으로 이해된다.- 게이트의 전압을 증가시켜 문
    리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02
  • [부산대학교][응용전기전자실험][전기공학과][결과보고서] 6주차 8장 전압 체배회로
    1. 실험 목적-전파전압 체배회로의 입출력파형을 관찰하고, DC 전압을 측정한다.-직렬전압 체배회로의 입출력파형을 관찰하고, DC 전압을 측정한다.2. 실험 방법1) 그림의 회로 ... 를 구성한다.2) 전원을 ON한다. A-G, P-G 양단의 DC 무부하 전압을 측정하여 표에 기록한다.3) 오실로스코프를 이용하여, A-G, P-G 양단의 무부하 리플 전압을 측정 ... 하여 표에 기록한다.4) 전원을 OFF 하고, RB와 병렬로 500Ω 부하저항을 연결한다.5) 오실로스코프를 이용하여, A-G, P-G 양단의 무부하 리플 전압을 측정하여 표에 기록한다
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.06.21 | 수정일 2021.11.14
  • [부산대학교][응용전기전자실험][전기공학과][예비보고서] 6주차 8장 전압 체배회로
    B. C3의 정격 전압이 C1, C2보다 높아야 하는 이유 C3에서 C1의 충전된 전압과 C2의 충전된 전압을 합친 전압을 충전해야 하므로, C3의 정격 전압이 C1, C2 ... 보다 높아야 한다.2. 직렬 전압 체배회로A. 동작원리 설명 (다이오드 D의 ON, OFF와 C의 충,방전에 대해 자세히 기입)...
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.06.21 | 수정일 2021.09.23
  • 8주차-실험7 예비 - MOSFET 기본특성1- 역전압 다이오드의 접합 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스
    전자회로실험Ⅰ교수님조교님실험 7. MOSFET 기본특성Ⅰ - 예비보고서역전압 다이오드의 접합 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스제출일 : 2016. 04. 29. 금요일 ... 실험제목 : MOSFET 기본특성Ⅰ- 역전압 다이오드의 접합 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스1. 실험 목적역전압이 인가된 PN접합과 MOSFET의 게이트 캐패시턴스를 측정 ... 다음을 이해하게 된다.- 역전압이 인가된 PN 접합은 캐패시턴스 특성을 나타낸다.- MOSFET의 게이트에서 소자를 바라보면 캐패시턴스 성분으로 인식되고 이로부터 단위면적
    리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02
  • 8. 전압분배기
    실험 실습 보고서1. 실험실습 제목(subject) : 8. 전압분배기2. 실험실습 목적(object)- 전압분배 회로의 원리를 이해시킨다.3. 관련이론(relational ... 가 되어지도록 저항에 흐르는 전류를 조정하여 사용하여야 한다.예를 들어 그림 8-3과 같이 200V의 전압을 분배하여 사용할 경우 가변저항기에서의 소비 전 력이 4W가 되므로 10 ... 점을 나타내는 기호를 사용하게 되는데 이 공통 접속점은 전압의 기준점으로 간주되며 접지점(ground point)이라고 불린다. 예를 들어 그림 8-5(a)의 회로는 등가
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.06
  • [결과레포트] Chapter 8 전압 배율기와 전류 분류기
    1. 실험 제목: Chapter 8 전압 배율기와 전류 분류기2.실험 결과실험1 전압배율기R _{eqalign{Mt#}}0(연결하지 않음)100[Ω]200[Ω]300[Ω]400 ... 10[mA]19.7[mA]29.9[mA]38.6[mA]46.8[mA]3.고찰이번 실험은 전압 배율기와 전류 분류기, 그리고 테브난과 노턴의 정리에 대해 실험을 진행했다.우선 실험 1 ... 의 결과는 처음에 저항 100Ω 하나만을 연결하고 전체전류가 10mA가 나오기 위해서는 전압을 1V로 설정해야 된다. 그리고 저항을 100Ω, 200Ω, 300Ω, 400Ω 늘릴때
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.05.02
  • 8전압분배바이어스
    Report◆Introduction○목적이번 실험을 통해 NPN 트랜지스터로 NPN Voltage-Divider Biasing 증폭회로를 만들어 이 회로의 전압과 전류에 대해 ... 의 회로는 전압분배 바이어싱 회로로 알려진 바이어싱 설계를 보여주며, 이것은 한 개의 전압원 Vcc를 사용하여 전압 분배로서 바이어싱을 하고 있다. 이 경우 R1과 R2에 의해서 ... 전압분배가 이루어지며 b변화에 임의적으로 민감하지 않게 만들어질 수 있다. R1과 R2를 작게 하면 할수록 베이스 전압과 컬렉터 전류는 더욱 다르기 어렵게 된다. 하지만 R1과 R
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.01.25
  • 실험8.변압기의 전압 변동율 실험[예비]
    실험 목적저항 부하일 때의 변압기의 전압 변동율을 구한다.유도 및 용량일 때의 변압기 전압 변동율을 구한다.관련 이론정격 역률의 정격 부하에서 2차에 정격 전류 I2n이 흐를 때 ... , 2차 단자 전압이 정격 전압 V2n이 되도록 1차 전압을 조정한 다음, 1차 전압을 그대로 유지하면서 무부하로 하였을 경우의 2차 단자 전압을 V20이라고 하면 변압기의 전압 ... 변동율은 다음 식으로 정의된다.이 전압 변동률식을 백분율 저항 강하율 p, 백분율 리액턴스 강하율 q 및 역율 cosθ로 나타내면 다음과 같이 된다.변전소에서 사용되는 대용량 변압
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.03.04
  • 8장예비_BJT 고정 바이어스, 전압분배 바이어스
    실험.8 BJT의 고정바이어스 및 전압 분배기 회로 [예비]1. 목적고정 바이어스와 전압 분배기 바이어스회로의 직류 동작점을 결정한다.2. 이론바이폴라(BJT) 트랜지스터는 차단 ... 은 동작을 하는데 이미터에서 콜렉터로 극히 작은 양의 역방향 전류가 흐르고 에미터에서 콜렉터사이의 전압은 걸린다. 포화모드에서는 스위치가 온 되는것과 같은 동작을 하며 에미터 ... 에서 콜렉터사이의 전압강하가 작으면서 콜렉터에서 에미터로 전류가 흐른다. 이 전류의 크기는 트랜지스터에 연결된 외부회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드는 디지털 회로에서 이용
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.30 | 수정일 2016.11.26
  • 8장결과_BJT 고정 바이어스, 전압분배 바이어스
    실험.8 BJT 고정 바이어스, 전압분배 바이어스[결과]1. 실험결과1)beta 의 결정①2N3904 트랜지스터를 사용하여 고정바이어스 회로를 구성하라.②(측정치)V _{BE ... 치)V _{B}=0.696V, V _{C}= 16.82V, V _{E}=0V, V _{CE}=V _{C}=16.82V③모든 저항과 V _{CC}전압은 그대로 유지하고, 2N3904 ... 적으로는 전압과 전류의 값은 트 랜지스터가 바뀌더라도 변하지 않아야 한다. 그러나 고정 바이어스회로는 beta 의 변화에 민감하게 변한다.%TRIANGLE beta ={LEFT
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.30 | 수정일 2016.11.26
  • 실험8 전압 체배회로 결과
    과 리플에 관한 커패시터의 영향을 측정한다.나. 실험분석8.4.1 전파 전압 체배회로 실험1) 그림 8-6의 회로를 구성한다.,,는 1N5625 실리콘 정류기이다.2) 전원을 OFF ... 한다. P-G 양단저항을 측정하여이 되는지를 확인한다.3) 전원을 ON한다. A-G, P-G 양단의 DC 무부하 전압을 측정하여 표 8-1에 기록한다.4) 오실로스코프를 이용하여, A ... -G, P-G 양단의 무부하 리플 전압을 측정하여 표 8-1에 기록한다.5) 전원을 OFF한다.와 병렬로 400옴, 5W 부하저항을 연결한다.6) 이 때 실험과정 3)과 4
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.26
  • 울산대 예비전자 8장. BJT의 고정바이어스 및 전압 분배기 회로
    예비 Report(전자 8장)실험. 8장 : BJT의 고정바이어스 및 전압 분배기 회로1. 실험 목적○ 고정바이어스와 전압분배기 바이어스회로의 직류 동작 점을 결정한다.○ 앞서 ... Nashelsky3. 시뮬레이션 및 예상값1) 고정 바이어스 회로그림8-1. 고정 바이어스 회로2) 전압분배 바이어스 회로그림8-2. 전압분배기 바이어스 회로앞서 우리가 7장 BJT ... } =16.5V 가 됩니다.전압분배 바이어스 회로에서는 왼쪽에서 바라본 Thevenin등가회로를 이용하여 그려서 식을 세우면R _{TH} = {33 TIMES 6.8} over {33
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.10.30
  • 울산대 결과전자 8장.BJT의 고정 바이어스 및 전압 분배기 회로
    결과 Report(전자 8장)실험. 8장 : BJT의 고정 바이어스 및 전압 분배기 회로5. 실험 결과1)고정 바이어스 회로표8-1. 저항 측정값(실험 오차를 보기위한 측정값 ... %% TRIANGLE I _{B} = {��19.45-19.41��} over {��19.41��} =0.2%2)전압 분배기 회로표8-4. BJT 전압분배바이어스 회로 동작점2N3904V ... 입니다.)소자680Ω1.0㏀1.8㏀측정값672Ω995Ω1.795㏀소자6.8㏀33㏀1㏁측정값6.80㏀32.7㏀995㏀표8-2. BJT 고정바이어스 회로의 동작 점 변화트랜지스터V _{B
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.10.30
  • 실험8. 전압제어 발진기 회로
    실험8. 전압제어 발진기 회로1.실험 목적: 555 타이머를 이용하여 VCO로 동작시키는 방법과 사용법을 이해한다.2.실험 이론:555타이머는 범용 타이머 IC로 예전부터 많이 ... 전압입력 단자로서 사용하여(그림 8-3) 이 단자에 인가된 전압은 문턱 및 트리거 전압을 변화시켜 출력을 변조시킨다.(그림8-2. 비안정 발진회로-5번단자 캐패시터 사용) (그림8 ... -3. VCO의 경우)그림 8-3(VOC회로그림)의 외부 커패시터 전압의 최고치는 그림 4처럼 5번 단자에 입력된 전압값이 되고 최저치는 입력된 전압 값의 1/2이 된다. 그래서
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25
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2025년 07월 31일 목요일
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